【技術實現步驟摘要】
本公開涉及用于制造電子器件的方法和設備。更具體地，本公開涉及受保護金屬部件以及包括受保護金屬部件的反應室。此外，本公開還涉及形成和利用受保護金屬部件的方法。
技術介紹
1、在集成器件的制造中，例如通過化學氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)，在反應室或反應器中的襯底上沉積或形成薄層。在這些沉積過程中，沉積層也沉積在其它表面上，例如反應室內部的部件、反應室的壁和反應室內的其它暴露(例如濕潤)表面上。隨著時間的推移，這些通常被稱為“寄生層”的層積累和增加，最終從反應室內的濕潤表面剝落、脫落和/或分層顆粒。落在襯底表面上的顆粒(例如落在表面上或被氣流攜帶)會導致制造過程中的問題，例如降低過程的產量和/或再現性。定期清除反應室中的污染物可以減少這些問題。
2、清潔反應室內部件的一種方法是通過使用一個或多個合適蝕刻劑的清潔循環的原位蝕刻循環。然而，在一些情況下，原位蝕刻表現出一個或多個缺點，例如顯著蝕刻反應室內的部件。因此，在某些情況下，原位清潔是不可行的。
3、清潔反應室內部件的另一種選擇是非原位清潔，其中被污染的部件從維護中取出進行清潔。“噴丸處理”是一種通過機械磨損的非原位清潔形式，其中，例如氧化鋁、氧化鋯、玻璃、二氧化硅、碳化硅(sic)或其它合適材料的磨料流沖擊待清潔表面，例如使用高壓流體流。噴丸處理具有多個缺點，例如清潔過程會對反應室部件造成損壞，從而降低它們的壽命。噴丸處理是一種“視線”過程，導致難以清潔高縱橫比部件。由于不能視覺監測污染物的去除，終點是不明顯的，因此當污染物被去除并且到達下面的材
4、本部分中闡述的任何討論，包括對問題和解決方案的討論，已被包括在本公開中，僅僅是為了提供本公開的背景。這種討論不應被視為承認任何或所有信息在本專利技術被做出時是已知的，或者構成現有技術。
技術實現思路
1、本
技術實現思路
可以簡化的形式介紹一些概念，這將在下面進一步詳細描述。本
技術實現思路
不旨在必要地標識所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護的主題的范圍。
2、本公開的各種實施例涉及受保護金屬部件、包括受保護金屬部件的沉積設備以及用于形成和利用受保護金屬部件的方法。如下文更詳細闡述，本文描述的受保護金屬部件以及形成和利用受保護金屬部件的方法可以在電子器件的制造過程中使用。這種受保護金屬部件以及用于形成和利用受保護金屬部件的方法可以延長金屬部件的壽命，降低去除形成在金屬部件上的寄生層的復雜性，并且防止在去除形成在金屬部件上的寄生層的過程中對金屬部件的損壞。舉例來說，本文所述的受保護金屬部件以及形成和利用受保護金屬部件的方法可用于配置用于沉積金屬氧化物層的反應室中。在這種情況下，金屬氧化物的沉積可以包括在襯底上沉積氧化鉿，從而在反應室內的金屬部件上形成氧化鉿寄生層。反應室內采用的金屬部件可以具有與氧化鉿相似的蝕刻特性，從而由于寄生氧化鉿層和金屬部件相似的蝕刻特性，使得寄生氧化鉿層的選擇性去除更加復雜。通過形成與氧化鉿寄生層具有不同蝕刻特性的保護層，可以清潔金屬部件以去除寄生層，而不會蝕刻和損壞金屬部件。
3、根據本公開的示例，提供了一種在反應室內部的濕潤區域內使用的受保護金屬部件。根據本公開的示例，受保護金屬部件包括由選自鈦、鈦合金、鎳合金、不銹鋼和鋁的材料制成的金屬芯。根據本公開的示例，金屬芯包括非平面表面。根據本公開的示例，保形保護層直接設置在非平面表面上，保形保護層具有20nm和300nm之間的平均層厚度，并且在非平面表面上的階梯覆蓋率大于90%。根據本公開的示例，受保護金屬部件包括選自金屬、金屬氧化物和金屬碳化物的材料。根據本公開的示例，保形保護層包括選自氧化鋁、氧化鋯和氧化鉭的金屬氧化物。在這種情況下，保形保護層具有部分結晶結構。此外，在這種情況下，保形保護層可以是密度大于3g/cm3的氧化鋁層。此外，在這種情況下，保形保護層可以是密度大于5g/cm3的氧化鋯層。根據本公開的另外示例，保形保護層包括選自氧化鋁、氧化硅、氧化釔和氧化鋯的金屬氧化物。在這種情況下，保形保護層具有無定形結構。此外，在這種情況下，保形保護層可以具有1%和10%之間的孔隙率。
4、根據本公開的另外示例，提供了一種沉積設備。沉積設備包括反應室和與反應室一起設置的受保護金屬部件。受保護金屬部件由選自鈦、鈦合金、鎳合金、不銹鋼和鋁的材料制成。此外，受保護金屬部件包括非平面表面。保形保護層直接設置在金屬芯的非平面表面上，保形保護層的平均層厚度在20nm和300nm之間，并且在非平面表面上的階梯覆蓋率大于90%。根據本公開的示例，保形保護層具有部分結晶結構。在這種情況下，保形保護層可以包括密度大于3g/cm3的氧化鋁層。
5、根據本公開的另外示例，提供了一種形成和利用受保護金屬部件的方法。根據這樣的示例，所提供的方法包括，在由選自鈦、鈦合金、鎳合金、不銹鋼和鋁的材料制成的金屬芯處。金屬芯還包括非平面表面。示例性方法還包括清潔非平面表面以形成清潔的紋理化表面，并在清潔的紋理化表面上直接沉積保形保護層。根據本公開的示例，沉積保形保護層包括選自以下的過程：循環沉積過程、化學氣相沉積過程、物理氣相沉積過程和噴射沉積過程。根據本公開的示例，通過循環沉積過程沉積保形保護層，循環沉積過程包括將金屬芯加熱到100℃和500℃之間的溫度，并執行一個或多個沉積循環。在這種情況下，每個沉積循環包括提供金屬前體以在金屬芯的表面上形成吸收的金屬物質，并且提供反應物以與吸收的金屬物質反應以在金屬芯的表面上形成保形保護層。根據本公開的進一步示例，所提供的方法還可以包括將受保護金屬部件安置在反應室內，將襯底安置在反應室內，以及在襯底的表面上和受保護金屬部件的表面上沉積層，從而在受保護金屬部件上形成寄生層。根據本公開的示例，該方法還可以包括，從反應室中取出其上具有寄生層的受保護金屬部件，并且選擇性地去除設置在受保護金屬部件上的寄生層。根據本公開的示例，選擇性地去除寄生層包括使保形保護層與選擇性蝕刻劑接觸，以從金屬芯上去除保形保護層，從而從金屬芯上剝離寄生層。根據本公開的另外示例，選擇性去除寄生層包括使寄生層與選擇性蝕刻劑接觸，選擇性蝕刻劑相對于保形保護層選擇性地蝕刻寄生層。在這種情況下，沉積保形保護層和沉積寄生層在不同的反應室內進行。根據本公開的示例，選擇性蝕刻劑選自氫氧化鈉和氫氧化鉀。
6、通過參考附圖對某些實施例的以下詳細描述，這些和其他實施例對于本領域技術人員來說將變得顯而易見。本公開不限于所公開的任何特定實施例。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種在反應室內部的濕潤區域內使用的受保護金屬部件，該受保護金屬部件包括：
2.根據權利要求1所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層包含選自金屬、金屬氧化物和金屬碳化物的材料。
3.根據權利要求2所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層包含選自氧化鋁、氧化鋯和氧化鉭的金屬氧化物。
4.根據權利要求3所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層具有部分結晶結構。
5.根據權利要求4所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層是密度大于3g/cm3的氧化鋁層。
6.根據權利要求4所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層是密度大于5g/cm3的氧化鋯層。
7.根據權利要求2所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層包含選自氧化鋁、氧化硅、氧化釔和氧化鋯的金屬氧化物。
8.根據權利要求7所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層具有無定形結構。
9.根據權利要求8所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層具有1%和10%之間的孔隙率。
10.一種沉積設備，包括：
12.根據權利要求11所述的沉積設備，其中，所述保形保護層是密度大于3g/cm3的氧化鋁層。
13.一種形成和利用受保護金屬部件的方法，該方法包括：
14.根據權利要求13所述的方法，其中，沉積所述保形保護層包括選自以下的過程：循環沉積過程、化學氣相沉積過程、物理氣相沉積過程和噴射沉積過程。
15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述保形保護層通過循環沉積過程沉積，所述循環沉積過程包括：
16.根據權利要求13-15中任一項所述的方法，還包括：
17.根據權利要求16所述的方法，其中，選擇性地去除寄生層包括使所述保形保護層與選擇性蝕刻劑接觸，以從所述金屬芯上去除保形保護層，從而從金屬芯上剝離寄生層。
18.根據權利要求16所述的方法，其中，選擇性地去除寄生層包括使寄生層與選擇性蝕刻劑接觸，選擇性蝕刻劑相對于所述保形保護層選擇性地蝕刻寄生層。
19.根據權利要求17-18中任一項所述的方法，其中，所述選擇性蝕刻劑選自氫氧化鈉和氫氧化鉀。
20.根據權利要求18-19中任一項所述的方法，其中，沉積所述保形保護層和沉積所述寄生層在不同的反應室內進行。
...【技術特征摘要】
1.一種在反應室內部的濕潤區域內使用的受保護金屬部件，該受保護金屬部件包括：
2.根據權利要求1所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層包含選自金屬、金屬氧化物和金屬碳化物的材料。
3.根據權利要求2所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層包含選自氧化鋁、氧化鋯和氧化鉭的金屬氧化物。
4.根據權利要求3所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層具有部分結晶結構。
5.根據權利要求4所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層是密度大于3g/cm3的氧化鋁層。
6.根據權利要求4所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層是密度大于5g/cm3的氧化鋯層。
7.根據權利要求2所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層包含選自氧化鋁、氧化硅、氧化釔和氧化鋯的金屬氧化物。
8.根據權利要求7所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層具有無定形結構。
9.根據權利要求8所述的受保護金屬部件，其中，所述保形保護層具有1%和10%之間的孔隙率。
10.一種沉積設備，包括：
11.根據權利要求10所述的沉積設備，其中，所述保形保護層具有部分結晶結構。...
【專利技術屬性】
技術研發人員：I·尤丹諾夫，O·卡利爾，A·德安布拉，
申請(專利權)人：ASMIP私人控股有限公司，
類型：發明
國別省市：
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