【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池，特別涉及一種topcon電池結構及其制備方法。
技術介紹
1、topcon電池背面結構主要由超薄氧化硅層和摻雜多晶硅層組成，二者共同形成鈍化接觸結構。
2、如授權公告號為cn117542915b的中國專利公開了一種topcon太陽能電池，包括電池片，電池片由上至下依次采用正面減反射層、正面鈍化層、發(fā)射極、硅襯底層、超薄隧穿二氧化硅層、多晶硅層背面鈍化層和背面減反射層組成。本專利技術設計的topcon太陽能電池設備能夠采用絕緣導熱層和導熱支撐層將熱量快速的傳遞給導熱片然后利用導熱片和換熱片與外部水流等進行換熱進行快速的散熱降溫，同時還能夠借助透光板以及噴灑在透光板上的水流來進行降溫，從而能夠快速的將電池片的溫度穩(wěn)定在理想溫度范圍內(nèi)，有效的保障了電池片的轉化效率。
3、其中，硅襯底層背面沉積二氧化硅層，但是上述結構存在以下缺陷：氧化硅在沉積過程中，氧化硅和硅襯底層之間可能會由于熱膨脹系數(shù)的差異以及晶格失配等原因產(chǎn)生應力，這種應力可能會導致硅基底發(fā)生變形、彎曲，甚至可能在氧化硅層中產(chǎn)生裂紋等缺陷，影響器件的性能和可靠性。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術提供一種topcon電池結構及其制備方法，用以解決上述
技術介紹
中提出的至少一項技術問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術公開了一種topcon電池結構，包括：半導體基底，半導體基底的一面設置第二導電類型半導體區(qū)域，第二導電類型半導體區(qū)域遠離半導體基底一側設置第二鈍化層a，第二鈍
3、優(yōu)選的，超薄非晶硅層的厚度為0.1-5nm，更優(yōu)為0.1-3nm。
4、優(yōu)選的，隧穿層的厚度為0.1-5nm，更優(yōu)為0.1-2.5nm。
5、本專利技術還公開了一種topcon電池結構制備方法，用于制備上述topcon電池結構，包括以下步驟：
6、步驟1：準備一經(jīng)歷了制絨、硼擴、刻蝕工藝后的單面拋光片作為半導體基底；
7、步驟2：將半導體基底放入反應室內(nèi)；
8、步驟3：向反應室內(nèi)通入含有硅源氣體、載氣，制備超薄非晶硅層；
9、步驟4：在超薄非晶硅層遠離半導體基底一側制備隧穿層；
10、步驟5：在隧穿層遠離超薄非晶硅層一側制備第一導電類型半導體區(qū)域；
11、步驟6：在第一導電類型半導體區(qū)域遠離隧穿層一側制備第一鈍化層，然后制作第一電極，第一電極穿過第一鈍化層，與第一導電類型半導體區(qū)域接觸；
12、步驟7：在半導體基底遠離第一導電類型半導體區(qū)域一面制備第二導電類型半導體區(qū)域；
13、步驟8：在第二導電類型半導體區(qū)域遠離半導體基底一側制備第二鈍化層a；
14、步驟9：制備第二鈍化層b與第二電極，第二電極穿過第二鈍化層b、第二鈍化層a與第二導電類型半導體區(qū)域接觸。
15、優(yōu)選的，在步驟2中，先在反應室通入氮氣，使得反應室內(nèi)與外界壓力一致，同時將反應室溫度設置在預設溫度范圍內(nèi)，然后將半導體基底放入反應室，停止通入氮氣，并對反應室進行抽真空處理。
16、優(yōu)選的，抽真空處理后，對反應室進行密閉性檢查，反應室每分鐘漏氣不超過120mtorr。
17、優(yōu)選的，密閉性檢查完畢后，對反應室進行升溫，使反應室內(nèi)溫度到達沉積目標溫度。
18、優(yōu)選的，制備第一導電類型半導體區(qū)域包括：
19、向反應室內(nèi)通入含有硅源氣體、摻雜氣體以及載氣的混合氣體，制備非晶硅層a；
20、向反應室內(nèi)通入含有硅源氣體、摻雜氣體以及載氣的混合氣體，制備非晶硅層b；
21、最后制得摻雜非晶硅，并對摻雜非晶硅進行晶化成為摻雜多晶硅，制得第一導電類型半導體區(qū)域。
22、優(yōu)選的，非晶硅層a與非晶硅層b厚度之和為30-170nm。
23、優(yōu)選的，制備第一導電類型半導體區(qū)域包括：在隧穿層表面沉積多晶硅，對多晶硅進行摻雜工藝，成為摻雜多晶硅，制得第一導電類型半導體區(qū)域。
24、本專利技術的技術方案具有以下優(yōu)點：本專利技術提供了一種topcon電池結構及其制備方法，涉及太陽能電池
，包括半導體基底，半導體基底一面設置第二導電類型半導體區(qū)域，第二導電類型半導體區(qū)域遠離半導體基底一側設置第二鈍化層a，第二鈍化層a遠離第二導電類型半導體區(qū)域一側設置第二鈍化層b，半導體基底遠離第二導電類型半導體區(qū)域一面設置超薄非晶硅層，超薄非晶硅層遠離半導體基底一側設置隧穿層，隧穿層遠離超薄非晶硅層一側設置第一導電類型半導體區(qū)域，第一導電類型半導體區(qū)域遠離隧穿層一側設置第一鈍化層。本專利技術中，通過設置超薄非晶硅層，能夠緩解半導體基底和隧穿層之間的晶格失配問題，減少界面缺陷的產(chǎn)生，從而提高topcon電池的性能及可靠性。
25、本專利技術的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書以及說明書附圖中所特別指出的裝置來實現(xiàn)和獲得。
26、下面通過附圖和實施例，對本專利技術的技術方案做進一步的詳細描述。
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1.一種Topcon電池結構，其特征在于，包括：半導體基底，半導體基底的一面設置第二導電類型半導體區(qū)域，第二導電類型半導體區(qū)域遠離半導體基底一側設置第二鈍化層A，第二鈍化層A遠離第二導電類型半導體區(qū)域一側設置第二鈍化層B，半導體基底遠離第二導電類型半導體區(qū)域一面設置超薄非晶硅層，超薄非晶硅層遠離半導體基底一側設置隧穿層，隧穿層遠離超薄非晶硅層一側設置第一導電類型半導體區(qū)域，第一導電類型半導體區(qū)域遠離隧穿層一側設置第一鈍化層。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種Topcon電池結構，其特征在于，超薄非晶硅層的厚度為0.1-5nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種Topcon電池結構，其特征在于，隧穿層的厚度為0.1-5nm。
4.一種Topcon電池結構制備方法，用于制備如權利要求1-3中任一項所述的一種Topcon電池結構，其特征在于，包括以下步驟：
5.根據(jù)權利要求4所述的一種Topcon電池結構制備方法，其特征在于，在步驟2中，先在反應室通入氮氣，使得反應室內(nèi)與外界壓力一致，同時將反應室溫度設置在預設溫度范圍內(nèi)，然后將半導體基底放入反應
6.根據(jù)權利要求5所述的一種Topcon電池結構制備方法，其特征在于，抽真空處理后，對反應室進行密閉性檢查，反應室每分鐘漏氣不超過120mTorr。
7.根據(jù)權利要求6所述的一種Topcon電池結構制備方法，其特征在于，密閉性檢查完畢后，對反應室進行升溫，使反應室內(nèi)溫度到達沉積目標溫度。
8.根據(jù)權利要求4所述的一種Topcon電池結構制備方法，其特征在于，制備第一導電類型半導體區(qū)域包括：
9.根據(jù)權利要求8所述的一種Topcon電池結構制備方法，其特征在于，非晶硅層A與非晶硅層B厚度之和為30-170nm。
10.根據(jù)權利要求4所述的一種Topcon電池結構制備方法，其特征在于，制備第一導電類型半導體區(qū)域包括：在隧穿層表面沉積多晶硅，對多晶硅進行摻雜工藝，成為摻雜多晶硅，制得第一導電類型半導體區(qū)域。
...【技術特征摘要】
1.一種topcon電池結構，其特征在于，包括：半導體基底，半導體基底的一面設置第二導電類型半導體區(qū)域，第二導電類型半導體區(qū)域遠離半導體基底一側設置第二鈍化層a，第二鈍化層a遠離第二導電類型半導體區(qū)域一側設置第二鈍化層b，半導體基底遠離第二導電類型半導體區(qū)域一面設置超薄非晶硅層，超薄非晶硅層遠離半導體基底一側設置隧穿層，隧穿層遠離超薄非晶硅層一側設置第一導電類型半導體區(qū)域，第一導電類型半導體區(qū)域遠離隧穿層一側設置第一鈍化層。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種topcon電池結構，其特征在于，超薄非晶硅層的厚度為0.1-5nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種topcon電池結構，其特征在于，隧穿層的厚度為0.1-5nm。
4.一種topcon電池結構制備方法，用于制備如權利要求1-3中任一項所述的一種topcon電池結構，其特征在于，包括以下步驟：
5.根據(jù)權利要求4所述的一種topcon電池結構制備方法，其特征在于，在步驟2中，先在反應室通入氮氣，使...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王科，李永倉，王璐，楊健，嚴冬，
申請(專利權)人：江蘇潤達新能源科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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