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    一種螺栓、半導體設備及螺栓的制作方法技術

    技術編號:44385064 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-25 10:00
    本發明專利技術公開了一種螺栓、半導體設備及螺栓的制作方法,螺栓包括螺栓本體、彈性件以及密封件,彈性件的一端插入螺栓本體內,另一端與密封件配合;密封件具有與螺栓本體的凹槽間隙配合的第一狀態以及與螺栓本體的凹槽緊密配合的第二狀態。在本發明專利技術中,密封件具有兩種狀態。第一狀態時,密封件具有與螺栓本體的凹槽間隙配合,即密封件與凹槽的內壁之間具有間隙,這種狀態下可對螺栓進行安裝或者拆卸,僅需要將拆卸工具卡在間隙中即可。第二狀態時,螺栓本體的凹槽緊密配合,即密封件與凹槽的內壁之間沒有間隙,實現了密封效果,此時能夠防止鍍膜工藝過程中,氣體進入螺栓縫隙,造成氣流擾動影響薄膜質量,且能夠防止縫隙內沉積薄膜帶來的顆粒污染。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及半導體設備,尤其涉及一種螺栓、半導體設備及螺栓的制作方法


    技術介紹

    1、在現有半導體工藝設備,例如原子層沉積設備中常使用真空螺栓來固定真空腔室內的噴淋板等主要部件,方便真空抽氣時將空氣從螺紋孔和底孔內快速排出。另外,為了方便拆裝,一般使用具有六角型凹槽的圓柱螺栓頭,使用內六角扳手來進行螺釘的拆裝,這種拆卸方式要求在真空螺栓的端部預留內六角凹槽,便于與內六角扳手進行配合。

    2、然而,半導體工藝設備通常具有較大的進氣量,在關鍵的位置特別是噴淋板處所使用的真空螺栓,因為空心結構和比較大的內六角凹槽的存在,通入腔室內的化學氣體會在工藝過程中在螺栓的凹槽處或空心孔隙內產生渦流,尤其是在極短循環時間的工藝要求下,并不能完全將化學氣體吹掃干凈。因此在晶圓上方靠近噴淋板的真空螺栓的區域會帶來流程的不均勻性,導致晶圓上所鍍的薄膜在螺栓位置處厚度高于其他位置,表現為厚度均勻性較差。


    技術實現思路

    1、有鑒于此,本專利技術的實施例提供了一種螺栓、半導體設備及螺栓的制作方法,解決了傳統半導體設備中的螺栓因空心結構和內六角凹槽而導致的薄膜厚度均勻性較差的技術問題。

    2、為了解決上述問題,根據本申請的一個方面,本專利技術的實施例提供了一種螺栓,所述螺栓包括螺栓本體、彈性件以及密封件,所述彈性件的一端插入所述螺栓本體內,所述彈性件的另一端與位于所述螺栓本體的凹槽處的所述密封件配合;且所述密封件具有與所述螺栓本體的凹槽間隙配合的第一狀態以及與所述螺栓本體的凹槽緊密配合的第二狀態。

    3、在一些實施例中,所述密封件采用形狀記憶合金,其能夠在溫度升高后產生膨脹以與所述螺栓本體的凹槽緊密配合,也能夠在溫度降低后回到初始狀態以與所述螺栓本體的凹槽間隙配合。

    4、在一些實施例中,所述形狀記憶合金的膨脹系數大于所述螺栓本體的膨脹系數。

    5、在一些實施例中,所述螺栓本體包括連接的空心段和實心段,所述空心段的內壁具有與所述彈性件配合的第一螺紋。

    6、在一些實施例中,所述彈性件為彈簧,所述彈簧的一端與所述第一螺紋配合。

    7、在一些實施例中,所述密封件內具有第二螺紋,所述彈簧的另一端與所述第二螺紋配合。

    8、在一些實施例中,當所述彈簧處于釋放狀態時,所述彈簧的長度和所述密封件的長度之和與所述空心段的長度相同。

    9、在一些實施例中,所述螺栓本體內部具有導向軸,所述彈簧能夠套設在所述導向軸上。

    10、在一些實施例中,所述凹槽遠離所述實心段部分的直徑小于靠近所述實心段部分的直徑;其中,所述密封件設置在遠離所述實心段的部分處。

    11、根據本申請的另一個方面,本專利技術的實施例提供了一種半導體設備,所述半導體設備包括噴淋板以及上述的螺栓,所述噴淋板通過所述螺栓固定在半導體設備的腔體內。

    12、根據本申請的另一個方面,本專利技術的實施例提供了一種螺栓的制作方法,用于制作上述的螺栓,所述制作方法包括:

    13、s1,將螺栓本體、彈性件以及密封件裝配在一起;

    14、s2,將臨時芯棒通過螺栓本體的尾部插入螺栓本體內,當臨時芯棒的底部頂住密封件后,對螺栓本體的頭部進行加工,使得彈性件在自然狀態下時密封件的表面和螺栓本體的表面齊平;

    15、s3,撤去所述臨時芯棒,完成螺栓的制作。

    16、在一些實施例中,所述s1中將螺栓本體、彈性件以及密封件裝配在一起,包括:

    17、s11,加工螺栓本體和密封件,同時在螺栓本體的槽底預留焊料;

    18、s12,將彈性件與密封件裝配在一起后共同裝入所述螺栓本體的螺栓槽內;

    19、s13,將彈性件的尾部通過預留的焊料焊接在螺栓槽槽底。

    20、與現有技術相比,本專利技術的螺栓至少具有下列有益效果:

    21、本專利技術提供的螺栓包括螺栓本體、彈性件以及密封件,所述彈性件的一端插入所述螺栓本體內,所述彈性件的另一端與位于所述螺栓本體的凹槽處的所述密封件配合;且所述密封件具有與所述螺栓本體的凹槽間隙配合的第一狀態以及與所述螺栓本體的凹槽緊密配合的第二狀態。

    22、在本專利技術中,密封件具有兩種狀態。第一狀態時,所述密封件具有與所述螺栓本體的凹槽間隙配合,即密封件與凹槽的內壁之間具有間隙,這種狀態下可對螺栓進行安裝或者拆卸,僅需要將拆卸工具卡在間隙中即可。第二狀態時,所述螺栓本體的凹槽緊密配合,即密封件與凹槽的內壁之間沒有間隙,實現了密封效果,此時能夠防止鍍膜工藝過程中,氣體進入螺栓縫隙,造成氣流擾動影響薄膜質量,且能夠防止縫隙內沉積薄膜帶來的顆粒污染。

    23、本專利技術提供的半導體設備是基于上述螺栓而設計的,其有益效果參見上述螺栓的有益效果,在此不一一贅述。

    24、本專利技術提供的螺栓的制作方法是基于上述螺栓而設計的,其有益效果參見上述螺栓的有益效果,除此之外,該制作方法在加工螺栓本體的頭部時,通過臨時芯棒頂住密封件,對螺栓本體的頭部進行加工,使得彈性件在自然狀態下時密封件的表面和螺栓本體的表面齊平。

    25、上述說明僅是本專利技術技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本專利技術的技術手段,并可依照說明書的內容予以實施,以下以本專利技術的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種螺栓,其特征在于,所述螺栓包括螺栓本體、彈性件以及密封件,所述彈性件的一端插入所述螺栓本體內,所述彈性件的另一端與位于所述螺栓本體的凹槽處的所述密封件配合;且所述密封件具有與所述螺栓本體的凹槽間隙配合的第一狀態以及與所述螺栓本體的凹槽緊密配合的第二狀態。

    2.根據權利要求1所述的螺栓,其特征在于,所述密封件采用形狀記憶合金,其能夠在溫度升高后產生膨脹以與所述螺栓本體的凹槽緊密配合,也能夠在溫度降低后回到初始狀態以與所述螺栓本體的凹槽間隙配合。

    3.根據權利要求2所述的螺栓,其特征在于,所述形狀記憶合金的膨脹系數大于所述螺栓本體的膨脹系數。

    4.根據權利要求1所述的螺栓,其特征在于,所述螺栓本體包括連接的空心段和實心段,所述空心段的內壁具有與所述彈性件配合的第一螺紋。

    5.根據權利要求4所述的螺栓,其特征在于,所述彈性件為彈簧,所述彈簧的一端與所述第一螺紋配合。

    6.根據權利要求5所述的螺栓,其特征在于,所述密封件內具有第二螺紋,所述彈簧的另一端與所述第二螺紋配合。

    7.根據權利要求5所述的螺栓,其特征在于,當所述彈簧處于釋放狀態時,所述彈簧的長度和所述密封件的長度之和與所述空心段的長度相同。

    8.根據權利要求5所述的螺栓,其特征在于,所述螺栓本體內部具有導向軸,所述彈簧能夠套設在所述導向軸上。

    9.根據權利要求5所述的螺栓,其特征在于,所述凹槽遠離所述實心段部分的直徑小于靠近所述實心段部分的直徑;其中,所述密封件設置在遠離所述實心段的部分處。

    10.一種半導體設備,其特征在于,所述半導體設備包括噴淋板以及權利要求1-9任一項所述的螺栓,所述噴淋板通過所述螺栓固定在半導體設備的腔體內。

    11.一種螺栓的制作方法,用于制作權利要求1-9任一項所述的螺栓,其特征在于,所述制作方法包括:

    12.根據權利要求11所述的螺栓的制作方法,其特征在于,所述S1中將螺栓本體、彈性件以及密封件裝配在一起,包括:

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    【技術特征摘要】

    1.一種螺栓,其特征在于,所述螺栓包括螺栓本體、彈性件以及密封件,所述彈性件的一端插入所述螺栓本體內,所述彈性件的另一端與位于所述螺栓本體的凹槽處的所述密封件配合;且所述密封件具有與所述螺栓本體的凹槽間隙配合的第一狀態以及與所述螺栓本體的凹槽緊密配合的第二狀態。

    2.根據權利要求1所述的螺栓,其特征在于,所述密封件采用形狀記憶合金,其能夠在溫度升高后產生膨脹以與所述螺栓本體的凹槽緊密配合,也能夠在溫度降低后回到初始狀態以與所述螺栓本體的凹槽間隙配合。

    3.根據權利要求2所述的螺栓,其特征在于,所述形狀記憶合金的膨脹系數大于所述螺栓本體的膨脹系數。

    4.根據權利要求1所述的螺栓,其特征在于,所述螺栓本體包括連接的空心段和實心段,所述空心段的內壁具有與所述彈性件配合的第一螺紋。

    5.根據權利要求4所述的螺栓,其特征在于,所述彈性件為彈簧,所述彈簧的一端與所述第一螺紋配合。

    6.根據權利要求5所述的螺栓,其特征在于...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:王思琦路希龍薛國標鄧浩董文惠劉振吳鳳麗
    申請(專利權)人:拓荊科技上海有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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