【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種薄膜及其制備方法、光電器件及顯示裝置。
技術介紹
1、n型半導體材料是指以電子導電為主的半導體，包括但不限于無機金屬氧化物或者摻雜金屬氧化物，例如氧化鋅納米粒子、摻雜氧化鋅納米粒子、二氧化鈦納米粒子、摻雜二氧化鈦納米粒子等。這些材料大多具有優(yōu)異的電子注入或傳輸性能，被廣泛應用于半導體器件中。
2、然而，這類無機半導體材料大多存在高缺陷密度，制成的薄膜往往具有較高的缺陷密度，限制了其應用。
技術實現(xiàn)思路
1、鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N薄膜及其制備方法、光電器件及顯示裝置。
2、本申請實施例是這樣實現(xiàn)的：
3、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N薄膜，所述薄膜的材料包括n型半導體材料和第一材料，所述第一材料包括具有如下式(1)所示的結構的第一化合物中的一種或多種：
4、
5、其中，z1、z2、z3各自獨立的選自n或者cr1，且z1、z2、z3中至少一個選自n；
6、m為1、2或3；n為0、1或2；
7、x每次出現(xiàn)時獨立的選自o為0或1；
8、l選自-m1-m2p-，其中，p為0或1，m1選自s、nr2、cr3r4、亞苯基、亞單雜環(huán)基、環(huán)碳原子數(shù)為6～10的亞稠環(huán)芳基或環(huán)碳原子數(shù)為5～12的亞稠雜環(huán)基，m2每次出現(xiàn)時獨立的選自取代或未取代的c1～c10亞烷基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～12的亞芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～12的亞雜芳基中的一種或多種的組合，取代基獨立的選
9、y每次出現(xiàn)時獨立的選自氨基、鹵素原子、羧基、羥基、巰基、硝基、取代或未取代的c1～c20烷基酰氧基、取代或未取代的c1～c20烷氧基羰基、取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～20的雜芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為5～20的雜芳氧基中的任意一種，取代基獨立的選自氨基、鹵素原子、c1～c5烷基羰基、羧基、羥基、氰基、巰基、硝基、c1～c5烷基酰氧基、c1～c5烷氧基羰基中的一種或多種；
10、r1、r2、r3、r4各自獨立的選自h、氰基、氨基、鹵素原子、羧基、羥基、巰基、硝基、取代或未取代的c1～c20烷基酰氧基、取代或未取代的c1～c20烷氧基羰基、取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～20的雜芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為5～20的雜芳氧基中的一種或多種的組合，取代基獨立的選自氨基、鹵素原子、c1～c5烷基羰基、羧基、羥基、氰基、巰基、硝基、c1～c5烷基酰氧基、c1～c5烷氧基羰基中的一種或多種。
11、第二方面，本申請還提出一種薄膜的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：
12、提供第一材料和n型半導體材料；
13、沉積所述第一材料和所述n型半導體材料，得到薄膜；
14、其中，所述第一材料包括具有如下式(1)所示的結構的第一化合物中的一種或多種：
15、
16、其中，z1、z2、z3各自獨立的選自n或者cr1，且z1、z2、z3中至少一個選自n；
17、m為1、2或3；n為0、1或2；
18、x每次出現(xiàn)時獨立的選自o為0或1；
19、l選自-m1-m2p-，其中，p為0或1，m1選自s、nr2、cr3r4、亞苯基、亞單雜環(huán)基、環(huán)碳原子數(shù)為6～10的亞稠環(huán)芳基或環(huán)碳原子數(shù)為5～12的亞稠雜環(huán)基，m2每次出現(xiàn)時獨立的選自取代或未取代的c1～c10亞烷基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～12的亞芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～12的亞雜芳基中的一種或多種的組合，取代基獨立的選自氨基、鹵素原子、c1～c5烷基羰基、羧基、羥基、氰基、巰基、硝基、c1～c5烷基酰氧基、c1～c5烷氧基羰基中的一種或多種；
20、y每次出現(xiàn)時獨立的選自氨基、鹵素原子、羧基、羥基、巰基、硝基、取代或未取代的c1～c20烷基酰氧基、取代或未取代的c1～c20烷氧基羰基、取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～20的雜芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為5～20的雜芳氧基中的任意一種，取代基獨立的選自氨基、鹵素原子、c1～c5烷基羰基、羧基、羥基、氰基、巰基、硝基、c1～c5烷基酰氧基、c1～c5烷氧基羰基中的一種或多種；
21、r1、r2、r3、r4各自獨立的選自h、氰基、氨基、鹵素原子、羧基、羥基、巰基、硝基、取代或未取代的c1～c20烷基酰氧基、取代或未取代的c1～c20烷氧基羰基、取代或未取代的c1～c20烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為6～20的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～20的雜芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為5～20的雜芳氧基中的一種或多種的組合，取代基獨立的選自氨基、鹵素原子、c1～c5烷基羰基、羧基、羥基、氰基、巰基、硝基、c1～c5烷基酰氧基、c1～c5烷氧基羰基中的一種或多種。
22、第三方面，本申請還提出一種光電器件，所述光電器件包括如上文所述的薄膜，或者，包括上文所述的制備方法制得的薄膜。
23、第四方面，本申請還提出一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上文所述的光電器件。
24、本申請?zhí)峁┑募夹g方案中，薄膜包括第一材料和n型半導體材料，所述第一材料可以鈍化n型半導體材料表面的缺陷，降低薄膜的缺陷密度，同時起到提高薄膜電子遷移率的作用。
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1.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括N型半導體材料和第一材料，所述第一材料包括具有如下式(1)所示的結構的第一化合物中的一種或多種：
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，Z1選自N，Z2選自N，且Z3選自N。
3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜，其特征在于，M1選自S、NR2、CR3R4或亞苯基；和/或，
4.根據(jù)權利要求3所述的薄膜，其特征在于，Y每次出現(xiàn)時獨立的選自氨基、鹵素原子或環(huán)碳原子數(shù)為6～10的芳基；和/或，
5.根據(jù)權利要求3或4所述的薄膜，其特征在于，所述第一材料包括具有式(2)至式(13)任一所示的結構的化合物中的一種或多種：
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜中，所述第一材料和所述N型半導體材料的質量比為10～(30:100)；和/或，
7.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括所述第一材料和所述N型半導體材料的混合物；或者，
8.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜包括所述第二功能層及所述第一功能層時；
9.一種
10.根據(jù)權利要求9所述的制備方法，其特征在于，沉積所述第一材料和所述N型半導體材料，得到薄膜的步驟包括：
11.根據(jù)權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述第一溶劑、所述第二溶劑、所述第三溶劑各自獨立的包括甲醇、乙醇、四氫呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、甲苯、乙苯、乙腈、丙酮、異丙醇中的一種或多種；和/或，
12.一種光電器件，包括第一電極、電子傳輸層和第二電極，其特征在于，所述電子傳輸層包括權利要求1至8任一項所述的薄膜，或者包括由權利要求9至11任一項所述的制備方法制得的薄膜。
13.根據(jù)權利要求12所述的光電器件，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極各自獨立的選自摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復合電極選自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS，所述金屬電極的材料選自Ag、Al、Cu、Mo、Au、Pt、Si、Ca、Mg及Ba中的一種或多種；和/或，
14.根據(jù)權利要求13所述的光電器件，其特征在于，所述電子傳輸層包括所述薄膜，且所述薄膜包括第二功能層以及設于所述第二功能層一側的第一功能層，所述第二功能層的材料包括所述N型半導體材料，所述第一功能層的材料包括所述第一材料時，所述第一功能層設于所述第二功能層和所述發(fā)光層之間。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求12至14任一項所述的光電器件。
...【技術特征摘要】
1.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括n型半導體材料和第一材料，所述第一材料包括具有如下式(1)所示的結構的第一化合物中的一種或多種：
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，z1選自n，z2選自n，且z3選自n。
3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜，其特征在于，m1選自s、nr2、cr3r4或亞苯基；和/或，
4.根據(jù)權利要求3所述的薄膜，其特征在于，y每次出現(xiàn)時獨立的選自氨基、鹵素原子或環(huán)碳原子數(shù)為6～10的芳基；和/或，
5.根據(jù)權利要求3或4所述的薄膜，其特征在于，所述第一材料包括具有式(2)至式(13)任一所示的結構的化合物中的一種或多種：
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜中，所述第一材料和所述n型半導體材料的質量比為10～(30:100)；和/或，
7.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括所述第一材料和所述n型半導體材料的混合物；或者，
8.根據(jù)權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜包括所述第二功能層及所述第一功能層時；
9.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
10.根據(jù)權利要求9所述的制備方法，其特征在于，沉積所述第一材料和所述n型半導體材料，得到薄膜的步驟包括：
11.根據(jù)權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述第一溶劑、所述第二溶劑、所述第三溶劑各自獨立的包括甲醇、乙醇、四氫呋喃、n,n-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、甲苯、乙苯、乙...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：梁文林，
申請(專利權)人：TCL科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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