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    一種F摻雜改性LiPON固態(tài)薄膜電解質(zhì)及其制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:44386899 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-25 10:02
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種F摻雜改性LiPON固態(tài)薄膜電解質(zhì)及其制備方法。所述方法使用真空熱壓燒結(jié)工藝和磁控濺射工藝,制備出LiPFON固態(tài)電解質(zhì)薄膜,以適量的F取代O位點(diǎn)來降低P周圍的結(jié)合能,改變了薄膜中P周圍的電荷分布,明顯提升了固態(tài)薄膜電解質(zhì)的離子電導(dǎo)率,而且該制備方法工藝流程簡單,節(jié)省了高溫成本和時間成本。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)屬于全固態(tài)薄膜鋰離子電池,涉及一種f摻雜改性lipon固態(tài)薄膜電解質(zhì)及其制備方法。


    技術(shù)介紹

    1、液態(tài)鋰離子電池經(jīng)過多年的發(fā)展,已在多個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,包括消費(fèi)電子、電動汽車和儲能系統(tǒng)。然而,隨著技術(shù)的進(jìn)步,液態(tài)電池的能量密度提升遇到了瓶頸,同時存在鋰枝晶生長、熱失控和安全性問題。這些問題促使研究者們轉(zhuǎn)向固態(tài)電解質(zhì)的研究,以期解決現(xiàn)有技術(shù)的不足。對于下一代鋰離子電池來說,固態(tài)鋰離子導(dǎo)體是很有吸引力的電解質(zhì),因?yàn)樗鼈兛梢杂行У挚逛囍?,提高了電池安全性,而且可以通過使用鋰金屬負(fù)極來提高電池能量密度。

    2、目前,固態(tài)電解質(zhì)主要分為氧化物電解質(zhì)、硫化物電解質(zhì)和聚合物電解質(zhì)。每種材料都有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和挑戰(zhàn)。氧化物電解質(zhì)是目前研究最多的一類固態(tài)電解質(zhì),包括lisicon、nasicon、鈣鈦礦型、石榴石型和非晶態(tài)lipon型等。其優(yōu)點(diǎn)化學(xué)穩(wěn)定性好,耐高溫,不易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。缺點(diǎn)是室溫離子電導(dǎo)率相對較低,這限制了其在電池中的應(yīng)用。提高室溫離子電導(dǎo)率仍然是一個重要的研究方向。硫化物電解質(zhì)在室溫下的離子電導(dǎo)率很高,遠(yuǎn)高于氧化物電解質(zhì)。但其空氣穩(wěn)定性差,容易與水反應(yīng)生成有毒氣體,這限制了其在實(shí)際應(yīng)用中的廣泛使用。聚合物電解質(zhì)在一定溫度范圍內(nèi)具有較高的離子電導(dǎo)率。但力學(xué)性能較差,對溫度敏感,通常需要與其他材料復(fù)合使用,以提高其綜合性能。

    3、在全固態(tài)薄膜電池
    中,lipon是公認(rèn)的最有潛力也是最具實(shí)用性的電解質(zhì)。目前l(fā)ipon已經(jīng)商用化,lipon由美國橡樹嶺實(shí)驗(yàn)室率先開發(fā),在純n2或者有一定比例的n2/ar氣氛對li3po4靶材進(jìn)行磁控濺射,其室溫離子電導(dǎo)率達(dá)到2×10-6s/cm,活化能為ea=0.54ev(joumal?of?power?sources,43-44(1993)103-110)。它有著寬泛的電化學(xué)窗口,良好的化學(xué)穩(wěn)定性以及優(yōu)秀的力學(xué)性能,但其2×10-6s/cm的離子電導(dǎo)率仍然無法滿足人們的需求。

    4、對此問題,前人對lipon薄膜電解質(zhì)做了很多研究。young?soo?yoon對磁控濺射非晶lipon薄膜進(jìn)行200℃退火處理,使其部分結(jié)晶,成功從1.26×10-6s/cm提升到3.31×10-6s/cm,并且在四天后仍能保持91.9%的離子電導(dǎo)率,但是這種方法提升了高溫?zé)Y(jié)的成本和時間成本(ceramics?international?46(2020)14071-14077)。近些年研究則提出了混合陽離子網(wǎng)絡(luò)效應(yīng),dongwook?shin制備li3po4-li3bo3復(fù)合靶材,制備的libpon離子電導(dǎo)率為3.52×10-6s/cm(thin?solid?films?685(2019)434-439)。frederic?le?cras則燒制li3+xsixp1-xo4單相晶體靶材在n2進(jìn)行磁控濺射得到lisipon離子電導(dǎo)率可提升一個數(shù)量級,達(dá)到2.2×10-5s/cm(acs?appl.energy?mater.2019,2,4782-4791)。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)旨在提供一種f摻雜改性lipon固態(tài)薄膜電解質(zhì)及其制備方法。所述方法通過簡單的熱壓燒結(jié)方法制備出lif-li3po4復(fù)合相靶材,在n2中磁控濺射將f摻雜進(jìn)lipon,制備lipfon薄膜,工藝流程簡單,且明顯提升其離子電導(dǎo)率。

    2、本專利技術(shù)的技術(shù)方案如下:

    3、f摻雜改性lipon固態(tài)薄膜電解質(zhì)及其制備方法,包括以下步驟:

    4、步驟1,按f和p的摩爾比為1:x,5≤x≤10,將li3po4、lif混合球磨,得到混合均勻的粉體;

    5、步驟2,將上述粉體放入真空熱壓燒結(jié)爐中,抽真空,以一定升溫速率升溫到800~900℃,以一定升壓速率升壓到20mpa~40mpa,保溫保壓一段時間,以一定降溫速率降至一定溫度,以一定降壓速率降壓,最后隨爐冷卻至室溫,得到lif-li3po4復(fù)合相靶材;

    6、步驟3,磁控濺射腔室預(yù)抽真空,工作氣體為n2,流速40-80sccm,功率密度1w/cm2~1.7w/cm2,以lif-li3po4復(fù)合相靶材進(jìn)行磁控濺射得到lipfon薄膜。

    7、優(yōu)選的,步驟1中,lif和li3po4摩爾比為1:10。

    8、優(yōu)選的,步驟1中,球磨機(jī)轉(zhuǎn)速為400rpm,球磨時間為12h。

    9、優(yōu)選的,步驟2中,真空熱壓燒結(jié)爐抽真空至1×10-5pa,以一定升溫速率升溫至800℃,以一定升壓速率升壓到32mpa下,保溫保壓1h,以一定降溫速率降至500℃,以一定降壓速率降壓到常壓,最后隨爐冷卻至室溫,得到lif-li3po4復(fù)合相靶材。

    10、優(yōu)選的,步驟2中,升溫速率為10℃/min,加壓速率為1mpa/min;降溫速率為2℃/min,降壓速率為0.2mpa/min。

    11、優(yōu)選的,步驟3中,磁控濺射腔室預(yù)抽真空1.5×10-5pa,功率密度為1.3w/cm2。

    12、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):

    13、首先粉體制備靶材工藝簡單,成分調(diào)控容易;然后采用室溫磁控濺射的方法,不需要制備完畢后退火,有效降低時間成本和高溫退火成本;最后固態(tài)薄膜電解質(zhì)的離子電導(dǎo)率有明顯的提升。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種F摻雜改性LiPON固態(tài)薄膜電解質(zhì)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,LiF和Li3PO4摩爾比為1:10。

    3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟1中,球磨機(jī)轉(zhuǎn)速為400rpm,球磨時間為12h。

    4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟2中,真空熱壓燒結(jié)爐抽真空至1×10-5Pa,以一定升溫速率升溫至800℃,以一定升壓速率升壓到32MPa下,保溫保壓1h,以一定降溫速率降至500℃,以一定降壓速率降壓到常壓,最后隨爐冷卻至室溫,得到LiF-Li3PO4復(fù)合相靶材。

    5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟2中,升溫速率為10℃/min,加壓速率為1MPa/min;降溫速率為2℃/min,降壓速率為0.2MPa/min。

    6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟3中,磁控濺射腔室預(yù)抽真空1.5×10-5Pa,功率密度為1.3W/cm2。

    7.如權(quán)利要求1-7任一所述的方法制備的F摻雜改性LiPON固態(tài)薄膜電解質(zhì)。

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種f摻雜改性lipon固態(tài)薄膜電解質(zhì)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,lif和li3po4摩爾比為1:10。

    3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟1中,球磨機(jī)轉(zhuǎn)速為400rpm,球磨時間為12h。

    4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟2中,真空熱壓燒結(jié)爐抽真空至1×10-5pa,以一定升溫速率升溫至800℃,以一定升壓速率升壓到32mpa下,保溫保壓1h,以一定降溫速率降至500...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:昝峰,郭一飛,夏暉,高超馮揚(yáng)帆,張興安,沈雨紅,
    申請(專利權(quán))人:南京理工大學(xué)
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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