【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，特別是涉及一種芯片封裝結構及發光裝置。
技術介紹
1、隨著科技的不斷發展，led（light?emitting?diode，發光二極管）芯片封裝技術處于不斷迭代之中，基于led芯片封裝結構的led發光裝置也得以在各行各業應用廣泛，例如汽車大燈、商業照明、路燈照明、舞臺照明、投影儀和移動照明等。
2、目前，傳統的led芯片封裝結構主要由p型半導體和n型半導體兩部分組件，其中，p型半導體的空穴濃度高，n型半導體的電子濃度高，在p型半導體和n型半導體緊密接觸，p型半導體和n型半導體之間會形成p-n結，進而p型半導體和n型半導體上的載流子遷移會使得p-n結附近產生光，但是，由于led芯片封裝結構的均勻化設計，導致led芯片結構中的電流在傳輸過程中均勻分布，進而使得出現難以聚焦發光以及發光強度低等情況，所以，當前led芯片的發光靈活性差。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種通過在芯片封裝結構中設置具備不同電流導通能力的貫穿孔以使不同發光區域的發光強度不同，從而提升led芯片的發光靈活性的芯片封裝結構及發光裝置。
2、第一方面，本申請提供了一種芯片封裝結構，所述芯片封裝結構包括封裝體、芯片體和對所述芯片體進行貫穿的貫穿孔，其中，所述封裝體包括封裝組件、位于芯片體背光側的第一電極層和位于所述芯片體背光側的對側的第二電極層，所述第一電極層包括第一正極和第一負極，所述第二電極層包括第二正極和第二負極，所述芯片體包括依次層疊的n型半導體
3、所述封裝組件分別與所述第二電極層和電源電連接，所述第一正極分別與所述第二正極和所述第一導電層電連接，所述第一負極分別與所述第二負極和所述第二導電層電連接，所述n型半導體和所述第一導電層之間通過所述貫穿孔形成導電通路，并基于所述導電通路在所述發光層發光，其中，所述導電通路的第一電流通過所述第一貫穿孔導通，所述導電通路的第二電流通過所述第二貫穿孔導通，所述第一電流和所述第二電流的電流大小不同。
4、在其中一個實施例中，所述第一導電層和所述反射層位于所述芯片體的不同深度位置，所述第二導電層設置在所述反射層上，所述第一區域和所述第二區域的區域面積比值在第一預設比例和第二預設比例之間，其中，所述第一預設比例小于所述第二預設比例，所述第一預設比例下所述第一區域小于所述第二區域的區域面積，所述第二預設比例下所述第一區域大于所述第二區域的區域面積。
5、在其中一個實施例中，所述芯片封裝結構包括以下各項之一：
6、所述第一貫穿孔的孔密度大于所述第二貫穿孔的孔密度；所述第一貫穿孔的數量大于所述第二貫穿孔的數量；所述第一貫穿孔的數量和所述第二貫穿孔的數量相同，且所述第一貫穿孔的孔徑大于所述第二貫穿孔的孔徑。
7、在其中一個實施例中，所述反射層還包括第一子區域、第二子區域、第三子區域和第四子區域，所述第一子區域、所述第二子區域、所述第三子區域和所述第四子區域共同構成離散分布的第三區域，所述第二導電層位于所述第三區域。
8、在其中一個實施例中，所述封裝體還包括金屬圍壩，所述金屬圍壩和所述第一電極層位于同一層，所述封裝組件包括封裝基座和焊接底座，所述第一電極層、所述封裝基座、所述第二電極層和所述焊接底座在第一預設方向上依次層疊焊接。
9、在其中一個實施例中，所述第一正極位于所述第一電極層的第一導電區域，所述第一負極位于所述第一電極層的第二導電區域，所述第二正極位于所述第二電極層的第三導電區域，所述第二負極位于所述第二電極層的第四導電區域，所述第一導電區域和所述第三導電區域滿足預設位置分布關系，所述第二導電區域和第四導電區域滿足所述預設位置分布關系，其中，所述第二導電區域為所述第一導電區域內的中心區域，所述第三導電區域和所述第四導電區域為不同的導電區域。
10、在其中一個實施例中，所述芯片體還包括金屬鍵合層和芯片基座，所述芯片基座和所述第一電極層電連接，所述第一導電層設置在所述金屬鍵合層上，其中，所述n型半導體、所述發光層、所述p型半導體、所述反射層、所述第二導電層和所述金屬鍵合層在第二預設方向上依次層疊后，通過所述金屬鍵合層鍵合于所述芯片基座，所述第一電極層的底面面積大于所述芯片基座的底面面積。
11、在其中一個實施例中，所述封裝組件還包括熒光層，所述熒光層包括均勻分布的熒光物質，所述熒光層涂覆于所述n型半導體表面，所述熒光層和所述n型半導體在所述第二預設方向上依次層疊。
12、在其中一個實施例中，所述芯片體還包括絕緣層，所述絕緣層設置于所述反射層和所述金屬鍵合層之間，所述絕緣層用于隔絕所述第一導電層和所述第二導電層之間的電流。
13、第二方面，本申請還提供了一種芯片封裝結構的制備方法，用于制作如上述第一方面所述的芯片封裝結構，所述方法包括：在封裝體設置封裝組件、位于芯片體背光側的第一電極層和位于所述芯片體背光側的對側的第二電極層，其中，所述第一電極層包括第一正極和第一負極，所述第二電極層包括第二正極和第二負極，所述芯片體包括依次層疊的n型半導體、發光層、p型半導體和反射層，并在所述芯片體設置對所述芯片體進行貫穿的貫穿孔，其中，不相鄰于所述n型半導體的第一導電層和相鄰于所述p型半導體的第二導電層設置在所述芯片體上，所述貫穿孔包括貫穿所述反射層的第一區域的第一貫穿孔和貫穿所述反射層的第二區域的第二貫穿孔；其中，所述封裝組件分別與所述第二電極層和電源電連接，所述第一正極分別與所述第二正極和所述第一導電層電連接，所述第一負極分別與所述第二負極和所述第二導電層電連接，通過封裝所述封裝體和所述芯片體形成芯片封裝結構，以使所述n型半導體和所述第一導電層之間通過所述貫穿孔形成導電通路，并基于所述導電通路在所述發光層發光，其中，所述導電通路的第一電流通過所述第一貫穿孔導通，所述導電通路的第二電流通過所述第二貫穿孔導通，所述第一電流和所述第二電流的電流大小不同。
14、第三方面，本申請還提供了一種發光裝置，包括如上述第一方面所述的芯片封裝結構。
15、上述芯片封裝結構及發光裝置，由封裝體、芯片體和對芯片體進行貫穿的貫穿孔共同組成，其中，封裝體由封裝組件、位于芯片體背光側的第一電極層和位于芯片體背光側的對側的第二電極層三部分組成，即，將不同電極層設置在位于芯片體背光側的不同側，封裝體的不同電極層均具有正負極，而芯片體則依次層疊有n型半導體、發光層、p型半導體和反射層，并將不相鄰于n型半導體的第一導電層和相鄰于p型半導體的第二導電層設置在芯片體上，其中，由于封裝組件分別與第二電極層和電源連接，且第一正極分別與第二正極和第一導電層電連接，第一負極分別與第二負極和第二導電層電連接，進而可確保不相鄰的n型半導體和第一導本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構包括封裝體、芯片體和對所述芯片體進行貫穿的貫穿孔，其中，所述封裝體包括封裝組件、位于芯片體背光側的第一電極層和位于所述芯片體背光側的對側的第二電極層，所述第一電極層包括第一正極和第一負極，所述第二電極層包括第二正極和第二負極，所述芯片體包括依次層疊的N型半導體、發光層、P型半導體和反射層，不相鄰于所述N型半導體的第一導電層和相鄰于所述P型半導體的第二導電層設置在所述芯片體上，所述貫穿孔包括貫穿所述反射層的第一區域的第一貫穿孔和貫穿所述反射層的第二區域的第二貫穿孔；其中，
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一導電層和所述反射層位于所述芯片體的不同深度位置，所述第二導電層設置在所述反射層上，所述第一區域和所述第二區域的區域面積比值在第一預設比例和第二預設比例之間，其中，所述第一預設比例小于所述第二預設比例，所述第一預設比例下所述第一區域小于所述第二區域的區域面積，所述第二預設比例下所述第一區域大于所述第二區域的區域面積。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構包
4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述反射層還包括第一子區域、第二子區域、第三子區域和第四子區域，所述第一子區域、所述第二子區域、所述第三子區域和所述第四子區域共同構成離散分布的第三區域，所述第二導電層位于所述第三區域。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝體還包括金屬圍壩，所述金屬圍壩和所述第一電極層位于同一層，所述封裝組件包括封裝基座和焊接底座，所述第一電極層、所述封裝基座、所述第二電極層和所述焊接底座在第一預設方向上依次層疊焊接。
6.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一正極位于所述第一電極層的第一導電區域，所述第一負極位于所述第一電極層的第二導電區域，所述第二正極位于所述第二電極層的第三導電區域，所述第二負極位于所述第二電極層的第四導電區域，所述第一導電區域和所述第三導電區域滿足預設位置分布關系，所述第二導電區域和第四導電區域滿足所述預設位置分布關系，其中，所述第二導電區域為所述第一導電區域內的中心區域，所述第三導電區域和所述第四導電區域為不同的導電區域。
7.根據權利要求6所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片體還包括金屬鍵合層和芯片基座，所述芯片基座和所述第一電極層電連接，所述第一導電層設置在所述金屬鍵合層上，其中，所述N型半導體、所述發光層、所述P型半導體、所述反射層、所述第二導電層和所述金屬鍵合層在第二預設方向上依次層疊后，通過所述金屬鍵合層鍵合于所述芯片基座，所述第一電極層的底面面積大于所述芯片基座的底面面積。
8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝組件還包括熒光層，所述熒光層包括均勻分布的熒光物質，所述熒光層涂覆于所述N型半導體表面，所述熒光層和所述N型半導體在所述第二預設方向上依次層疊。
9.根據權利要求8所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片體還包括絕緣層，所述絕緣層設置于所述反射層和所述金屬鍵合層之間，所述絕緣層用于隔絕所述第一導電層和所述第二導電層之間的電流。
10.一種發光裝置，其特征在于，所述發光裝置包括如權利要求1至9任意一項所述的芯片封裝結構。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構包括封裝體、芯片體和對所述芯片體進行貫穿的貫穿孔，其中，所述封裝體包括封裝組件、位于芯片體背光側的第一電極層和位于所述芯片體背光側的對側的第二電極層，所述第一電極層包括第一正極和第一負極，所述第二電極層包括第二正極和第二負極，所述芯片體包括依次層疊的n型半導體、發光層、p型半導體和反射層，不相鄰于所述n型半導體的第一導電層和相鄰于所述p型半導體的第二導電層設置在所述芯片體上，所述貫穿孔包括貫穿所述反射層的第一區域的第一貫穿孔和貫穿所述反射層的第二區域的第二貫穿孔；其中，
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一導電層和所述反射層位于所述芯片體的不同深度位置，所述第二導電層設置在所述反射層上，所述第一區域和所述第二區域的區域面積比值在第一預設比例和第二預設比例之間，其中，所述第一預設比例小于所述第二預設比例，所述第一預設比例下所述第一區域小于所述第二區域的區域面積，所述第二預設比例下所述第一區域大于所述第二區域的區域面積。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構包括以下各項之一：
4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述反射層還包括第一子區域、第二子區域、第三子區域和第四子區域，所述第一子區域、所述第二子區域、所述第三子區域和所述第四子區域共同構成離散分布的第三區域，所述第二導電層位于所述第三區域。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝體還包括金屬圍壩，所述金屬圍壩和所述第一電極層位于同一層，所述封裝組件包括封裝基座和焊接底座，所述第一電極層、...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何廣洲，鄢遍，蔡曼純，周子洋，
申請(專利權)人：東莞市傲雷移動照明設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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