【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及，更具體的說是涉及一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置及方法。
技術(shù)介紹
1、超導(dǎo)材料是一類具有特殊物理性質(zhì)的材料，其在大型粒子對撞機(jī)、超導(dǎo)電機(jī)、熱核聚變磁體及核磁共振成像等
具有良好的應(yīng)用前景和廣闊的市場背景，具有極高的科學(xué)研究價值。
2、第二代高溫超導(dǎo)體憑借高臨界轉(zhuǎn)變溫度、高電流密度、高上臨界磁場、失超率低且不需要超導(dǎo)成相熱處理等優(yōu)異的特點，是應(yīng)用于未來高場超導(dǎo)磁體的候選材料之一。
3、基于高溫超3導(dǎo)帶材衍生的corc纜，是將帶材在芯棒上進(jìn)行多層纏繞，從而限制交流損耗。尺寸較大的corc纜可作為高電流傳輸電纜使用，尺寸小的corc纜可成型cicc導(dǎo)體或磁體線圈。
4、然而在實際應(yīng)用中所需的corc纜較長，且根據(jù)使用狀態(tài)的不同及空間限制，常需要超導(dǎo)體接頭實現(xiàn)電纜與電流引線、導(dǎo)體與導(dǎo)體、線圈與線圈之間的電連接。高溫超導(dǎo)帶材接頭的連接方式主要分為兩類，一類是超導(dǎo)焊接，該工藝較為復(fù)雜，對設(shè)備要求極高，且需要特定的實驗條件；另一類是有阻焊接，主要分為機(jī)械壓接、因擴(kuò)散和釬焊法三種，其中釬焊法操作簡單成本低廉，被廣泛使用?；诖朔N連接方式，衍生出高導(dǎo)電介質(zhì)填充法這一電纜導(dǎo)體接頭制備方法。
5、同時為了充分體現(xiàn)帶材的超導(dǎo)性能，降低超導(dǎo)磁體的熱負(fù)荷，接頭電阻越小越好。
6、目前，傳統(tǒng)的高溫超導(dǎo)體接頭制備方法多采用水平放置的制備方式，易產(chǎn)生氣泡和缺陷，影響高溫超導(dǎo)體接頭性能。
7、因此，如何提供一種提高高溫超導(dǎo)體的接頭性能的高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置及方法
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本專利技術(shù)提供了一種，旨在解決上述
技術(shù)介紹
中的問題之一，提高高溫超導(dǎo)體的接頭性能。
2、為了實現(xiàn)上述目的，一方面，本專利技術(shù)采用如下技術(shù)方案：
3、一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，包括：
4、高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐，所述高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐的頂部設(shè)有開口，所述高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐靠近開口的側(cè)壁上設(shè)有螺紋通孔，所述螺紋通孔在水平方向上間隔設(shè)置兩個，所述高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐靠近底部的側(cè)壁上設(shè)有第一通孔；
5、立式端子結(jié)構(gòu)，所述立式端子結(jié)構(gòu)的頂部設(shè)有排氣孔，所述立式端子結(jié)構(gòu)的底部設(shè)置方形孔，所述立式端子結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)有圓柱形通孔，所述圓柱形通孔連通所述圓柱形通孔和所述方形孔，所述方形孔內(nèi)插入導(dǎo)體外部鎧甲，所述立式端子結(jié)構(gòu)的側(cè)壁靠近所述方形孔處設(shè)有第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔通過連通銅管連通；
6、加熱保溫組件，包括第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板，所述第一加熱板設(shè)置為c型板，所述第二加熱板和第三加熱板均設(shè)置為方形板，所述第二加熱板靠近頂部的側(cè)壁上設(shè)有沉頭孔，所述沉頭孔與所述螺紋通孔對應(yīng)設(shè)置兩個，所述第二加熱板的底部設(shè)有穿設(shè)槽，所述穿設(shè)槽與所述連通銅管適配，所述第一加熱板和第三加熱板配合包裹住所述高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐和立式端子結(jié)構(gòu)，所述第二加熱板設(shè)置在所述高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐和立式端子結(jié)構(gòu)之間。
7、進(jìn)一步的，還包括溫控電腦，所述溫控電腦與所述第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板通過導(dǎo)線連接。
8、進(jìn)一步的，還包括螺栓，所述螺栓連接所述螺紋通孔和沉頭孔。
9、進(jìn)一步的，所述方形孔的邊長大于所述導(dǎo)體外部鎧甲的邊長，所述立式端子結(jié)構(gòu)距離底部端面10mm處設(shè)置臺階限位，所述導(dǎo)體外部鎧甲插入所述立式端子結(jié)構(gòu)的長度為10mm。
10、另一方面，本專利技術(shù)公開了一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備方法，基于上述所述的一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，包括以下步驟：
11、步驟一：通過連通銅管將立式端子結(jié)構(gòu)與高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐的內(nèi)部連通；
12、步驟二：將第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板與立式端子結(jié)構(gòu)以及高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐進(jìn)行連接，利用外部夾具夾緊使其相互之間固定；
13、步驟三：并開啟溫控電腦，對第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板進(jìn)行加熱，使立式端子結(jié)構(gòu)與高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐迅速升溫至高導(dǎo)電介質(zhì)的熔點以上10-15℃；
14、步驟四：將導(dǎo)體外部鎧甲插入立式端子結(jié)構(gòu)底部的方形孔內(nèi)，導(dǎo)體外部鎧甲插入立式端子結(jié)構(gòu)內(nèi)的長度為10mm；
15、步驟五：將溫度為高導(dǎo)電介質(zhì)熔點以上10-15℃的液態(tài)高導(dǎo)電介質(zhì)向高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐的頂部開口處倒入，觀察立式端子結(jié)構(gòu)頂部的排氣孔，直至高導(dǎo)電介質(zhì)液面與立式端子結(jié)構(gòu)的頂部齊平時，停止液態(tài)高導(dǎo)電介質(zhì)的倒入；
16、步驟六：關(guān)閉溫控電腦，停止對第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板加熱，利用冷卻裝置使第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板溫度降低至高導(dǎo)電介質(zhì)熔點以下。
17、經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)公開提供了一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置及方法，通過加熱保溫組件，用于對高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐和高溫超導(dǎo)體立式端子進(jìn)行加熱保溫，通過向高導(dǎo)電介質(zhì)存儲罐內(nèi)填注高導(dǎo)電介質(zhì)，利用連通器原理，立式端子結(jié)構(gòu)內(nèi)高導(dǎo)電介質(zhì)由下而上填充完整立式端子結(jié)構(gòu)內(nèi)部，并可避免傳統(tǒng)由上而下澆注高導(dǎo)電介質(zhì)產(chǎn)生氣孔的發(fā)生；用于大型成型后的導(dǎo)體進(jìn)行端子制備，且容易安裝；高導(dǎo)電介質(zhì)從立式端子結(jié)構(gòu)的底部填滿至頂部，避免了立式端子結(jié)構(gòu)的內(nèi)部產(chǎn)生氣孔，能夠提高高溫超導(dǎo)體的接頭性能。
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1.一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，還包括溫控電腦，所述溫控電腦與所述第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板通過導(dǎo)線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，還包括螺栓，所述螺栓連接所述螺紋通孔和沉頭孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，所述方形孔的邊長大于所述導(dǎo)體外部鎧甲的邊長，所述立式端子結(jié)構(gòu)距離底部端面10mm處設(shè)置臺階限位，所述導(dǎo)體外部鎧甲插入所述立式端子結(jié)構(gòu)的長度為10mm。
5.一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備方法，根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，包括以下步驟：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，還包括溫控電腦，所述溫控電腦與所述第一加熱板、第二加熱板和第三加熱板通過導(dǎo)線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高溫超導(dǎo)體立式端子的制備裝置，其特征在于，還包括螺栓，所述螺栓連接所述螺紋通孔和沉頭孔。
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張乃展，楊東昇，劉華軍，薛圣泉，
申請(專利權(quán))人：合肥國際應(yīng)用超導(dǎo)中心，
類型：發(fā)明
國別省市：
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