【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體激光器，尤其涉及一種提高聚焦的發光器件結構。
技術介紹
1、led芯片中p/n導通路徑是在發光區內設置多個規則排列的凹陷，通過多金屬設計的反射層和導電層實現p到n的電流流通，在通過絕緣層隔離p和n，防止直接導通造成短路,從而實現發光發亮。
2、現有的發光器件由第一半導體層、第二半導體層和有源層組成，有源層發射的光子為各向等幾率發射，當需要聚焦于某特定區域發光時，需要通過反射層結構提高出光效率，無反射層區域則需要限制出光，本專利技術提出了一種提高聚焦的發光器件結構，減少雜光產生，使發光區域光源更集中。
技術實現思路
1、基于
技術介紹
存在的技術問題，本專利技術提出了一種提高聚焦的發光器件結構，減少雜光產生，使發光區域光源更集中。
2、本專利技術提出的一種提高聚焦的發光器件結構，包括由第一半導體層、第二半導體層和有源層組成的發光器件；有源層位于第一半導體層、第二半導體層之間；與第二半導體層形成歐姆接觸的第一導電層，與第一導電層形成電連接的反射層，與反射層形成電連接的第二導電層，與第二導電層形成電連接的第三導電層，與第三導電層電連接的導電基板，第一導電層、反射層、第二導電層、第三導電層、導電基板共同組成第一電連接層；覆蓋于第二半導體層表面且部分暴露于第二半導體層兩側的第一絕緣層，覆蓋于第一半導體層表面和側壁的第二絕緣層；大部分接觸于第二絕緣層表面并且與第一半導體層形成電連接的電極，所述電極為第二電連接層；覆蓋于電極部分表面且部分暴露于發光器件外部
3、優選地，所述第一導電層、反射層嵌在第一絕緣層中，且所述反射層為多層結構，所述電極也為多層結構。
4、優選地，所述發光器件設置在第二絕緣層中，所述電極與發光器件之間設有未覆蓋吸光層的發光區域。
5、優選地，所述吸光層包括氧化銦錫、鈦、鈦鎢及其合金。
6、優選地，所述第二導電層、第三導電層為多層金屬結構。
7、本專利技術中的有益效果為：在非發光區域的第三絕緣層鍍上一層吸光層，吸收雜光，減少雜光產生，使得發光區域光源更集中聚焦，從而提高器件發光效率。
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1.一種提高聚焦的發光器件結構，包括由第一半導體層(1)、第二半導體層(2)和有源層(3)組成的發光器件；有源層(3)位于第一半導體層(1)、第二半導體層(2)之間；其特征在于，
2.根據權利要求1所述的一種提高聚焦的發光器件結構，其特征在于，所述第一導電層(4)、反射層(5)嵌在第一絕緣層(7)中，且所述反射層(5)為多層結構，所述電極(11)也為多層結構。
3.根據權利要求1所述的一種提高聚焦的發光器件結構，其特征在于，所述發光器件設置在第二絕緣層(6)中，所述電極(11)與發光器件之間設有未覆蓋吸光層的發光區域。
4.根據權利要求1所述的一種提高聚焦的發光器件結構，其特征在于，所述吸光層(13)包括氧化銦錫、鈦、鈦鎢及其合金。
5.根據權利要求1所述的一種提高聚焦的發光器件結構，其特征在于，所述第二導電層(8)、第三導電層(9)為多層金屬結構。
【技術特征摘要】
1.一種提高聚焦的發光器件結構，包括由第一半導體層(1)、第二半導體層(2)和有源層(3)組成的發光器件；有源層(3)位于第一半導體層(1)、第二半導體層(2)之間；其特征在于，
2.根據權利要求1所述的一種提高聚焦的發光器件結構，其特征在于，所述第一導電層(4)、反射層(5)嵌在第一絕緣層(7)中，且所述反射層(5)為多層結構，所述電極(11)也為多層結構。
3.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔡琳榕，唐如夢，吳東東，劉詩雨，
申請(專利權)人：安徽格恩半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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