【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體產品制作，尤其涉及一種倒角加工裝置和倒角加工方法。
技術介紹
1、晶圓(wafer)作為半導體領域最基礎的材料，在其上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。在晶圓生產過程中，硅片的邊緣處理至關重要，由于邊沿小裂紋或裂縫會在硅片上產生機械應力，從而產生位錯，造成有害玷污物的聚集與脫落，此外，邊緣位錯還會在高溫處理或表面外延時引起邊緣位錯生長，而優異的倒角工藝可使得硅片邊緣獲得平滑的半徑周線，將以上影響降到最小。
2、圖1為目前12寸硅片常用的倒角研磨方式。
3、采用兩組同樣的研磨砂輪10，砂輪10為圓形。
4、砂輪10的旋轉方向為垂直方向；
5、硅片100的旋轉方向為水平方向。
6、兩組砂輪10上下分別運動，行走特定軌跡，造就特定的邊緣形狀。
7、在這樣的情況下，由于砂輪10的旋轉方向與硅片100旋轉方向相垂直，導致硅片100的邊緣出現垂直磨輪印記。
8、而后續工藝邊緣拋光時，硅片邊緣設置多個研磨墊，硅片與研磨墊保持同向高速旋轉，進行硅片邊緣拋光，即研磨墊的旋轉方向是與硅片的旋轉方向相平行的水平方向。
9、但是垂直的倒角磨輪印記在這種邊緣拋光的加工方式下，難以被完全去除，最終造成如圖2所示的邊緣形貌，該形貌邊緣粗糙度極差。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題，本專利技術提供一種倒角加工裝置和倒角加工方法，
2、為了達到上述目的
3、所述第一控制結構用于控制所述第一磨輪和第二磨輪均在第一平面內旋轉；
4、所述第二控制結構用于控制所述硅片在第二平面內旋轉；
5、所述第一控制結構和所述第二控制結構相配合以對所述硅片進行倒角；
6、所述第一平面和所述第二平面相平行，且所述第二平面與所述硅片的表面相平行。
7、可選的，所述硅片包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面和硅片的側面之間為第一邊角，所述第二表面和硅片的側面之間為第二邊角；
8、所述第一控制結構用于控制所述第一磨輪和第二磨輪在第一狀態和第二狀態之間轉換；
9、在所述第一狀態下，所述第一磨輪的外周面與硅片的側面之間面接觸，所述第二磨輪的外周面與硅片的側面之間面接觸，所述第一磨輪和所述第二磨輪相配合以對硅片的側面進行整體研磨；
10、在所述第二狀態下，所述第一磨輪傾斜第一預設角度以對硅片的所述第一邊角進行研磨，所述第二磨輪傾斜第二預設角度以對硅片的所述第二邊角研磨。
11、可選的，所述第一預設角度為45-90度，所述第二預設角度為45-90度。
12、可選的，所述第一磨輪的外周面為錐面，所述第二磨輪的外周面為錐面。
13、可選的，在對硅片進行倒角時，所述第一磨輪和所述第二磨輪呈鏡像設置。
14、可選的，所述第一控制結構用于控制所述第一磨輪和所述第二磨輪以第一預設速度旋轉；
15、所述第二控制結構用于控制所述硅片以第二預設速度旋轉；
16、所述第一磨輪的旋轉方向、所述第二磨輪的旋轉方向和所述硅片的旋轉方向相同，所述第一預設速度和所述第二預設速度不同。
17、可選的，所述第一磨輪的旋轉方向、所述第二磨輪的旋轉方向與所述硅片的旋轉方向相反。
18、可選的，所述倒角加工裝置還包括噴嘴，用于朝向所述第一磨輪和所述第二磨輪噴射研磨液。
19、本專利技術實施例還提供一種倒角加工方法，用于采用上述的倒角加工裝置對硅片進行倒角，
20、所述硅片包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面和硅片的側面之間為第一邊角，所述第二表面和硅片的側面之間為第二邊角；
21、所述倒角加工方法包括：
22、控制第一磨輪和第二磨輪對硅片的側面進行研磨，直至硅片的直徑為預設直徑；
23、控制第一磨輪傾斜第一預設角度，以對所述第一邊角進行倒角加工；
24、控制第二磨輪傾斜第二預設角度，以對所述第二邊角進行倒角加工；
25、其中，所述第一磨輪和第二磨輪均在第一平面內進行旋轉，所述硅片在第二平面內旋轉，并與所述第一磨輪和所述第二磨輪相對運動；
26、所述第一平面和所述第二平面相平行，且所述第二平面與所述硅片的表面相平行。
27、本專利技術的有益效果是：通過所述第一磨輪和所述第二磨輪相配合實現硅片的倒角的加工，且在倒角加工過程中，所述第一磨輪、所述第二磨輪和所述硅片在相互平行的平面內旋轉，使得硅片上的研磨印記與硅片的表面相平行，這樣可以在后續的拋光工藝中去除這些印記，提升硅片的邊緣的粗糙度。
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1.一種倒角加工裝置，用于對硅片進行倒角，其特征在于，包括第一磨輪、第二磨輪，以及第一控制結構和第二控制結構；
2.根據權利要求1所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述硅片包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面和硅片的側面之間為第一邊角，所述第二表面和硅片的側面之間為第二邊角；
3.根據權利要求2所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述第一預設角度為45-90度，所述第二預設角度為45-90度。
4.根據權利要求1所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述第一磨輪的外周面為錐面，所述第二磨輪的外周面為錐面。
5.根據權利要求4所述的倒角加工裝置，其特征在于，在對硅片進行倒角時，所述第一磨輪和所述第二磨輪呈鏡像設置。
6.根據權利要求1所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述第一控制結構用于控制所述第一磨輪和所述第二磨輪以第一預設速度旋轉；
7.根據權利要求1所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述第一磨輪的旋轉方向、所述第二磨輪的旋轉方向與所述硅片的旋轉方向相反。
8.根據權利要求1所述的倒角加工裝置，其特征在于
9.一種倒角加工方法，其特征在于，用于采用權利要求1-8任一項所述的倒角加工裝置對硅片進行倒角，
...【技術特征摘要】
1.一種倒角加工裝置，用于對硅片進行倒角，其特征在于，包括第一磨輪、第二磨輪，以及第一控制結構和第二控制結構；
2.根據權利要求1所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述硅片包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面和硅片的側面之間為第一邊角，所述第二表面和硅片的側面之間為第二邊角；
3.根據權利要求2所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述第一預設角度為45-90度，所述第二預設角度為45-90度。
4.根據權利要求1所述的倒角加工裝置，其特征在于，所述第一磨輪的外周面為錐面，所述第二磨輪的外周面為錐面。
5.根據權利要求4所述的倒角...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王誠，陳光林，
申請(專利權)人：西安奕斯偉材料科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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