【技術實現步驟摘要】
本申請涉及顯示，特別是一種復合薄膜、光電器件及其制備方法和顯示裝置。
技術介紹
1、隨著光電器件的發展，由多層材料制備的復合薄膜的性質和功能越來越受到人們的廣泛關注。
2、尤其是隨著功能材料的應用越來越廣泛，相鄰的功能材料層之間會由于材料性質差異而產生腐蝕，不利于單功能薄膜的穩定工作，從而會影響功能薄膜的性能。
技術實現思路
1、基于此，本申請提供一種復合薄膜、光電器件及其制備方法和顯示裝置，以提高功能薄膜的性能。
2、第一方面，提供一種復合薄膜，包括：
3、第一功能層，以及設置于所述第一功能層一側的抗酸性修飾層，和/或，設置于所述第一功能層另一側的電子阻擋層；
4、其中，所述抗酸性修飾層的材料為堿性碳納米材料；和/或，所述電子阻擋層的材料包括：低價金屬氧化物材料。
5、可選地，所述堿性碳納米材料的表面連接有羥基；
6、所述堿性碳納米材料包括：堿性氧化石墨烯、堿性碳纖維、堿性碳納米管、堿性石墨烯和堿性石墨中的一種或多種；
7、和/或，
8、所述低價金屬氧化物材料包括cu2o、sno、nio、feo、coo、wo2和moo2中的一種或多種；
9、和/或，
10、所述抗酸性修飾層的厚度為10～20nm；
11、和/或，
12、所述電子阻擋層的厚度為5～10nm；
13、和/或，
14、所述第一功能層的材料包括：聚(3,4
15、和/或，
16、所述第一功能層的厚度為30～150nm。
17、第二方面，提供一種光電器件，包括：依次層疊的陽極、如第一方面所述的復合薄膜和陰極；
18、其中，所述抗酸性修飾層靠近所述陽極設置，所述電子阻擋層靠近所述陰極設置。
19、可選地，所述光電器件還包括發光層；
20、所述發光層的厚度為10～60nm；
21、和/或，所述陽極和/或所述陰極的材料包括金屬、碳材料以及金屬氧化物中的一種或多種；所述陽極和/或所述陰極的金屬包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或多種；和/或，所述陽極和/或所述陰極的碳材料包括石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或多種；和/或，所述陽極和/或所述陰極的金屬氧化物包括摻雜或非摻雜金屬氧化物，包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一種或多種，或者包括摻雜或非摻雜透明金屬氧化物之間夾著金屬的復合電極，所述復合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一種或多種；
22、和/或，所述發光層的材料包括：有機發光材料和/或量子點發光材料；所述有機發光材料包括：4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯苯:三[2-(對甲苯基)吡啶10-c2,n)合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶-c2,n)合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、tbrb熒光材料及dbp熒光材料、聚乙炔及其衍生物、聚對苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一種；和/或，所述量子點發光材料包括：單一結構量子點及核殼結構量子點中的至少一種，所述單一結構量子點的材料選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種，其中，所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一種，所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete及snpbste中的至少一種，所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一種，所述i-iii-vi族化合物選自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一種；和/或，所述核殼結構的量子點的核包括上述單一結構量子點中的任意一種，所述核殼結構的量子點的殼層材料包括cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses、zns和上述單一結構量子點中的至少一種。
23、可選地，光電器件還包括：空穴注入層；
24、所述空穴注入層設置于所述抗酸性修飾層與所述陽極之間。
25、可選地，所述空穴注入層的材料包括：聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、酞菁銅及第二過渡金屬硫系化合物中的一種或多種，所述第二過渡金屬硫系化合物選自mos2、mose2、ws3、wse3及cus中的一種或多種；
26、和/或，
27、所述空穴注入層的厚度為30～40nm。
28、可選地，所述光電器件還包括電子傳輸層和/或電子注入層；所述電子傳輸層和/或所述電子注入層的材料包括無機材料和/或有機材料；
29、所述電子傳輸層和/或所述電子注入層的無機材料選自摻雜或非摻雜的氧化鋅本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種復合薄膜，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述堿性碳納米材料的表面連接有羥基；
3.一種光電器件，其特征在于，包括：層疊的陽極、如權利要求1～2任一項所述的復合薄膜和陰極；
4.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件還包括發光層；
5.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，還包括：空穴注入層；
6.根據權利要求5所述的光電器件，其特征在于，
7.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件還包括電子傳輸層和/或電子注入層，所述電子傳輸層和/或所述電子注入層的材料包括無機材料和/或有機材料；
8.一種光電器件的制備方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述抗酸性修飾層的制備包括：沉積堿性碳納米材料，形成抗酸性修飾層的步驟，包括：
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述電子阻擋層的制備包括：沉積低價金屬氧化物材料，形成電子阻擋層的步驟，包括：
11.一種顯
...【技術特征摘要】
1.一種復合薄膜，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述堿性碳納米材料的表面連接有羥基；
3.一種光電器件，其特征在于，包括：層疊的陽極、如權利要求1～2任一項所述的復合薄膜和陰極；
4.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件還包括發光層；
5.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，還包括：空穴注入層；
6.根據權利要求5所述的光電器件，其特征在于，
7.根據權利要求3所述的光電器件...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱佩，陳亞文，
申請(專利權)人：廣東聚華印刷顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。