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【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種處理襯底的襯底處理裝置及襯底處理方法。襯底包括例如半導(dǎo)體晶圓、液晶顯示裝置或有機(jī)el(electroluminescence:電致發(fā)光)顯示裝置等fpd(flatpanel?display:平板顯示器)用襯底、光盤用襯底、磁盤用襯底、磁光盤用襯底、光掩模用襯底、陶瓷襯底、太陽能電池用襯底等。
技術(shù)介紹
1、jp?2015095583?a揭示了使用處理膜從襯底去除微粒的襯底洗凈方法及襯底洗凈系統(tǒng)。在所述方法及系統(tǒng)中,用以形成處理膜的成膜處理液被供給到表面為親水性的襯底。然后,將從襯底剝離處理膜的剝離處理液供給到襯底,并將溶解處理膜的溶解處理液供給到襯底。
2、然而,在jp?201?5095583a所記載的方法及系統(tǒng)中,為了將處理膜從襯底剝離,需要對襯底供給剝離處理液。因此,處理液的消耗量增加。
3、本專利技術(shù)的至少1個實施方式提供一種不使用剝離液就能夠從襯底剝離聚合物膜的襯底處理裝置及襯底處理方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的一實施方式提供一種襯底處理裝置,具備:襯底支架,水平地保持以固體狀或半固體狀的聚合物膜覆蓋上表面的襯底;至少1個剝離氣體噴嘴,通過以第1速度向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出剝離氣體,而以從所述襯底的所述上表面剝離的剝離部及與所述襯底的所述上表面密接的密接部包含在所述聚合物膜中的方式以所述剝離氣體的壓力破壞所述聚合物膜,然后,一邊以小于所述第1速度的第2速度向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出所
2、在所述實施方式中,也可以將以下特征中的至少1個添加到所述襯底處理裝置中。
3、所述噴嘴致動器在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第1速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴位于所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的非器件形成區(qū)域碰撞的第1噴出位置,在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第2速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴移動到所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的器件形成區(qū)域碰撞的位置。
4、所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;所述襯底處理裝置還具備:清洗液噴嘴,在所述聚合物膜從所述襯底的所述上表面剝離后,向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出含有水的清洗液。
5、所述襯底處理裝置還具備:筒狀的保護(hù)件,接住從保持在所述襯底支架的所述襯底的上表面飛散到所述襯底周圍的所述聚合物膜及清洗液。
6、所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;水相對于所述襯底的所述上表面的接觸角為32度以上。
7、所述襯底處理裝置還具備:聚合物溶液噴嘴,向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出聚合物溶液;及熱源,產(chǎn)生使所述襯底上的所述聚合物溶液的液膜變化為所述聚合物膜的熱。
8、所述至少1個剝離氣體噴嘴向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出所述剝離氣體,直到所述聚合物膜整體不分離地從所述襯底的所述上表面剝離。
9、所述至少1個剝離氣體噴嘴是以所述第1速度噴出所述剝離氣體、以所述第2速度噴出所述剝離氣體的1個剝離氣體噴嘴;所述襯底處理裝置還具備:流量調(diào)整閥,變更對所述1個剝離氣體噴嘴供給的所述剝離氣體的流量;所述1個剝離氣體噴嘴是當(dāng)對所述剝離氣體噴嘴供給的所述剝離氣體的流量增加時開口面積減少、當(dāng)對所述剝離氣體噴嘴供給的所述剝離氣體的流量減少時開口面積增加的開度可變噴嘴。
10、所述開度可變噴嘴包含:外管,包含噴出所述剝離氣體的噴出口;內(nèi)管,包含在所述外管內(nèi)噴出所述剝離氣體的前端開口;及彈性體,在所述外管內(nèi)支撐所述內(nèi)管;且所述彈性體在對所述外管內(nèi)供給的所述剝離氣體的流量增加到第1流量時,彈性變形為在所述內(nèi)管插入到所述外管的所述噴出口的狀態(tài)下所述內(nèi)管的所述前端開口配置在所述外管之外的第1形狀,在對所述外管內(nèi)供給的所述剝離氣體的流量從所述第1流量減少到第2流量時,返回到所述內(nèi)管整體配置在所述外管中的第2形狀。
11、本專利技術(shù)的另一實施方式提供一種襯底處理方法,包含:襯底保持工序,水平地保持以固體狀或半固體狀的聚合物膜覆蓋上表面的襯底;剝離部形成工序,通過使至少1個剝離氣體噴嘴以第1速度向所述襯底的所述上表面噴出剝離氣體,而以從所述襯底的所述上表面剝離的剝離部及與所述襯底的所述上表面密接的密接部包含在所述聚合物膜中的方式以所述剝離氣體的壓力破壞所述聚合物膜;及剝離部擴(kuò)大工序,通過一邊使所述至少1個剝離氣體噴嘴以小于所述第1速度的第2速度向所述襯底的所述上表面噴出所述剝離氣體,一邊使所述至少1個剝離氣體噴嘴水平移動,而利用進(jìn)入到所述剝離部與所述襯底之間的所述剝離氣體使所述密接部變化為所述剝離部。根據(jù)所述方法,能夠發(fā)揮與所述襯底處理裝置同樣的效果。也可以將襯底處理裝置相關(guān)的所述特征中的至少1個添加到所述襯底處理方法中。例如,也可以將以下特征添加到所述襯底處理方法中。
12、所述剝離部形成工序包含如下工序:在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第1速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴位于所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的非器件形成區(qū)域碰撞的第1噴出位置;所述剝離部擴(kuò)大工序包含如下工序:在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第2速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴移動到所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的器件形成區(qū)域碰撞的位置。
13、所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;所述襯底處理方法還包含:清洗液供給工序,在所述聚合物膜從所述襯底的所述上表面剝離后,使清洗液噴嘴向所述襯底的所述上表面噴出含有水的清洗液。
14、所述襯底處理方法還包含:接住工序,利用筒狀的保護(hù)件接住從所述襯底的上表面飛散到所述襯底周圍的所述聚合物膜及清洗液。
15、所述襯底處理方法還包含:聚合物溶液供給工序,在所述剝離部形成工序之前,使聚合物溶液噴嘴向所述襯底的所述上表面噴出聚合物溶液;及聚合物膜形成工序,利用熱源發(fā)出的熱使所述襯底上的所述聚合物溶液的液膜變化為所述聚合物膜。
16、所述剝離部擴(kuò)大工序包含如下工序:使所述至少1個剝離氣體噴嘴向所述襯底的所述上表面噴出所述剝離氣體,直到所述聚合物膜整體不分離地從所述襯底的所述上表面剝離。
17、本專利技術(shù)的所述或進(jìn)一步其它的目的、特征及效果將參考附圖通過如下描述的實施方式的說明來闡明。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種襯底處理裝置,具備:襯底支架,水平地保持以固體狀或半固體狀的聚合物膜覆蓋上表面的襯底;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其中所述噴嘴致動器在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第1速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴位于所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的非器件形成區(qū)域碰撞的第1噴出位置,在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第2速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴移動到所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的器件形成區(qū)域碰撞的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置,其中還具備:筒狀的保護(hù)件,接住從保持在所述襯底支架的所述襯底的上表面飛散到所述襯底周圍的所述聚合物膜及清洗液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中還具備:聚合物溶液噴嘴,向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出聚
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述至少1個剝離氣體噴嘴向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出所述剝離氣體,直到所述聚合物膜整體不分離地從所述襯底的所述上表面剝離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述至少1個剝離氣體噴嘴是以所述第1速度噴出所述剝離氣體、以所述第2速度噴出所述剝離氣體的1個剝離氣體噴嘴;
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置,其中所述開度可變噴嘴包含:外管,包含噴出所述剝離氣體的噴出口;內(nèi)管,包含在所述外管內(nèi)噴出所述剝離氣體的前端開口;及彈性體,在所述外管內(nèi)支撐所述內(nèi)管;且
10.一種襯底處理方法,包含:襯底保持工序,水平地保持以固體狀或半固體狀的聚合物膜覆蓋上表面的襯底;
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理方法,其中所述剝離部形成工序包含如下工序:在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第1速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴位于所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的非器件形成區(qū)域碰撞的第1噴出位置;
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的襯底處理方法,其中所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的襯底處理方法,其中還包含:接住工序,利用筒狀的保護(hù)件接住從所述襯底的上表面飛散到所述襯底周圍的所述聚合物膜及清洗液。
14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的襯底處理方法,其中還包含:聚合物溶液供給工序,在所述剝離部形成工序之前,使聚合物溶液噴嘴向所述襯底的所述上表面噴出聚合物溶液;及
15.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的襯底處理方法,其中所述剝離部擴(kuò)大工序包含如下工序:使所述至少1個剝離氣體噴嘴向所述襯底的所述上表面噴出所述剝離氣體,直到所述聚合物膜整體不分離地從所述襯底的所述上表面剝離。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種襯底處理裝置,具備:襯底支架,水平地保持以固體狀或半固體狀的聚合物膜覆蓋上表面的襯底;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其中所述噴嘴致動器在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第1速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴位于所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的非器件形成區(qū)域碰撞的第1噴出位置,在所述至少1個剝離氣體噴嘴以所述第2速度噴出所述剝離氣體時,使所述至少1個剝離氣體噴嘴移動到所述剝離氣體與所述襯底的上表面內(nèi)的器件形成區(qū)域碰撞的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置,其中還具備:筒狀的保護(hù)件,接住從保持在所述襯底支架的所述襯底的上表面飛散到所述襯底周圍的所述聚合物膜及清洗液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述聚合物膜是含有水溶性聚合物的固體狀或半固體狀的膜;
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中還具備:聚合物溶液噴嘴,向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出聚合物溶液;及
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述至少1個剝離氣體噴嘴向保持在所述襯底支架的所述襯底的所述上表面噴出所述剝離氣體,直到所述聚合物膜整體不分離地從所述襯底的所述上表面剝離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理裝置,其中所述至少1個剝離氣體噴嘴是以所述第1速度噴...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:張松,況晨,樋口鲇美,筱原健介,
申請(專利權(quán))人:株式會社斯庫林集團(tuán),
類型:發(fā)明
國別省市:
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