本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種籽晶晶圓選擇方法和系統(tǒng)，其中，方法包括：步驟S1：獲取第一籽晶晶圓對(duì)應(yīng)的第一圖像，以及第二籽晶晶圓對(duì)應(yīng)的第二圖像，并獲取所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)；步驟S2：對(duì)所述第一籽晶晶圓和第二籽晶晶圓進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，得到關(guān)于第一籽晶晶圓的第一晶體，以及第二籽晶晶圓的第二晶體；步驟S3：獲取所述第一晶體對(duì)應(yīng)的第一晶體圖像，以及所述第二晶體對(duì)應(yīng)的第二晶體圖像，并獲取所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)；步驟S4：將所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)與所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，完成籽晶晶圓的選擇。本發(fā)明專利技術(shù)能夠有效挑選出高品質(zhì)籽晶晶圓。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及籽晶晶圓挑選，尤其是指一種籽晶晶圓選擇方法和系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、解決現(xiàn)有物理氣相傳輸法（pvt）進(jìn)行碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)的作為晶種的碳化硅籽晶晶圓品質(zhì)優(yōu)劣不一，難以篩選的難題。碳化硅籽晶晶圓加工需經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光過(guò)程，該些加工工序涉及磨料顆粒大小、加工壓力、移除量、移除時(shí)間、加工相對(duì)運(yùn)動(dòng)方式等參數(shù)皆會(huì)造成晶圓內(nèi)加工應(yīng)力的殘留，該些應(yīng)力往往需要被量測(cè)、鑒別，并被采取適當(dāng)?shù)募庸すに嚱M合來(lái)加以去除。
2、現(xiàn)有技術(shù)缺點(diǎn)在于無(wú)法量測(cè)籽晶晶圓中殘留應(yīng)力情況，包括源頭晶體生長(zhǎng)時(shí)便存在的原生應(yīng)力以及機(jī)械加工（切割、研磨、拋光）過(guò)程產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力。殘留應(yīng)力代表著原子排列不規(guī)則、短程或長(zhǎng)程無(wú)序，在晶體生長(zhǎng)時(shí)，原子級(jí)尺度一對(duì)一沉積時(shí)，便會(huì)延續(xù)籽晶晶圓表面已不規(guī)則的原子排列而進(jìn)一步延伸至新生晶體生長(zhǎng)區(qū)域。
3、現(xiàn)有方法對(duì)碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)的作為籽晶的碳化硅籽晶晶圓品質(zhì)優(yōu)劣不一，難以篩選高品質(zhì)籽晶晶圓成為難題，需要設(shè)計(jì)一種高品質(zhì)籽晶晶圓挑選方法，以提高晶體生長(zhǎng)良率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為此，本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中篩選高品質(zhì)籽晶晶圓存在困難的問(wèn)題。
2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)提供了一種籽晶晶圓選擇方法，包括：
3、步驟s1：獲取第一籽晶晶圓對(duì)應(yīng)的第一圖像，以及第二籽晶晶圓對(duì)應(yīng)的第二圖像，并獲取所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)，其中，所述第一籽晶晶圓和第二籽晶晶圓從同一晶錠取出，并且具有殘留應(yīng)力引起的形變；
>4、步驟s2：對(duì)所述第一籽晶晶圓和第二籽晶晶圓進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，得到關(guān)于第一籽晶晶圓的第一晶體，以及第二籽晶晶圓的第二晶體，其中，所述第一晶體和第二晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中受到包括機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的影響而引起形變；5、步驟s3：獲取所述第一晶體對(duì)應(yīng)的第一晶體圖像，以及所述第二晶體對(duì)應(yīng)的第二晶體圖像，并獲取所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)；
6、步驟s4：將所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)與所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，完成籽晶晶圓的選擇。
7、在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述步驟s1中獲取所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)，方法包括：
8、對(duì)所述第一圖像和第二圖像進(jìn)行灰度處理，得到第一灰度圖像和第二灰度圖像；
9、設(shè)置對(duì)比像素，對(duì)于所述第一灰度圖像和第二灰度圖像，將高于所述對(duì)比像素的位置保留，將低于所述對(duì)比像素的位置去除，得到第一灰度圖像和第二灰度圖像對(duì)應(yīng)的第一散斑圖像和第二散斑圖像；
10、獲取第一散斑圖像和第二散斑圖像中每個(gè)連通域的面積，獲取去噪后第一散斑圖像和第二散斑圖像各自連通域的幾何中心點(diǎn)所在位置，其中，所述幾何中心點(diǎn)為連通域所在區(qū)域的最長(zhǎng)長(zhǎng)度的中心點(diǎn)。
11、在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，統(tǒng)計(jì)第一散斑圖像和第二散斑圖像中連通域的面積超過(guò)第一預(yù)設(shè)面積的連通域個(gè)數(shù)，若個(gè)數(shù)大于或等于第一預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)，則表明第一散斑圖像對(duì)應(yīng)的第一籽晶晶圓或第二散斑圖像對(duì)應(yīng)的第二籽晶晶圓不合格，并放棄選擇；若個(gè)數(shù)小于第一預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)，則繼續(xù)判斷連通域的幾何中心點(diǎn)之間的距離；
12、若第一散斑圖像或第二散斑圖像中相鄰連通域的幾何中心點(diǎn)之間的距離小于預(yù)設(shè)長(zhǎng)度，則進(jìn)行記錄，當(dāng)記錄次數(shù)大于或等于預(yù)設(shè)次數(shù)時(shí)，則判斷第一散斑圖像對(duì)應(yīng)的第一籽晶晶圓或第二散斑圖像對(duì)應(yīng)的第二籽晶晶圓不合格，并放棄選擇不合格的第一籽晶晶圓或第二籽晶晶圓，重新挑選籽晶晶圓；當(dāng)記錄次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)時(shí)，則判斷第一散斑圖像對(duì)應(yīng)的第一籽晶晶圓或第二散斑圖像對(duì)應(yīng)的第二籽晶晶圓合格，并作為備選籽晶晶圓。
13、在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述步驟s3中獲取所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)的方法包括：
14、對(duì)所述第一晶體圖像和第二晶體圖像進(jìn)行灰度處理，得到第一晶體灰度圖像和第二晶體灰度圖像；
15、對(duì)于所述第一晶體灰度圖像和第二晶體灰度圖像，將高于所述對(duì)比像素的位置保留，將低于所述對(duì)比像素的位置去除，得到第一晶體灰度圖像和第二晶體灰度圖像對(duì)應(yīng)的第一晶體散斑圖像和第二晶體散斑圖像；
16、獲取去噪后第一晶體散斑圖像和第二晶體散斑圖像中每個(gè)連通域的面積，獲取去噪后第一晶體散斑圖像和第二晶體散斑圖像各自連通域的個(gè)數(shù)。
17、在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，統(tǒng)計(jì)第一晶體散斑圖像和第二晶體散斑圖像中連通域的面積超過(guò)第二預(yù)設(shè)面積的連通域個(gè)數(shù)，若個(gè)數(shù)大于或等于第二預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)，則表明第一晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第一籽晶晶圓或第二晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第二籽晶晶圓不合格，并放棄選擇；若個(gè)數(shù)小于第二預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)，則表明第一晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第一籽晶晶圓或第二晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第二籽晶晶圓合格，則繼續(xù)判斷籽晶晶圓的連通域的個(gè)數(shù)；
18、若第一晶體散斑圖像或第二晶體散斑圖像中連通域的個(gè)數(shù)大于第三預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)，則表明第一晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第一籽晶晶圓或第二晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第二籽晶晶圓不合格，并放棄選擇；若第一晶體散斑圖像或第二晶體散斑圖像中連通域的個(gè)數(shù)小于第三預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)，則表明第一晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第一籽晶晶圓或第二晶體散斑圖像對(duì)應(yīng)的第二籽晶晶圓合格，可以選擇。
19、在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，若所述第一籽晶晶圓受殘留應(yīng)力引起的形變小于第二籽晶晶圓，則所述第一晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中受到包括機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的影響而引起形變小于第二晶體；
20、若所述第一籽晶晶圓受殘留應(yīng)力引起的形變大于第二籽晶晶圓，則所述第一晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中受到包括機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的影響而引起形變大于第二晶體。
21、在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述第一散斑圖像和第二散斑圖像進(jìn)行濾波處理，保留至少3個(gè)像素形成的連通域，以去除噪聲；同時(shí)對(duì)所述第一晶體散斑圖像和第二晶體散斑圖像進(jìn)行濾波處理，保留至少3個(gè)像素形成的連通域，以去除噪聲。
22、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)提供了一種籽晶晶圓選擇系統(tǒng)，包括：
23、第一獲取模塊：用于獲取第一籽晶晶圓對(duì)應(yīng)的第一圖像，以及第二籽晶晶圓對(duì)應(yīng)的第二圖像，并獲取所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)，其中，所述第一籽晶晶圓和第二籽晶晶圓從同一晶錠取出，并且具有殘留應(yīng)力引起的形變；
24、生長(zhǎng)模塊：用于對(duì)所述第一籽晶晶圓和第二籽晶晶圓進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，得到關(guān)于第一籽晶晶圓的第一晶體，以及第二籽晶晶圓的第二晶體，其中，所述第一晶體和第二晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中受到包括機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的影響而引起形變；
25、第二獲取模塊：用于獲取所述第一晶體對(duì)應(yīng)的第一晶體圖像，以及所述第二晶體對(duì)應(yīng)的第二晶體圖像，并獲取所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)；
26、對(duì)比與選擇模塊：用于將所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)與所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，完成籽晶晶圓的選擇。
27、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)提供了一種電子設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：所述步驟S1中獲取所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)，方法包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：所述步驟S3中獲取所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)的方法包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：若所述第一籽晶晶圓受殘留應(yīng)力引起的形變小于第二籽晶晶圓，則所述第一晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中受到包括機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的影響而引起形變小于第二晶體；
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：對(duì)所述第一散斑圖像和第二散斑圖像進(jìn)行濾波處理，保留至少3個(gè)像素形成的連通域，以去除噪聲；同時(shí)對(duì)所述第一晶體散斑圖像和第二晶體散斑圖像進(jìn)行濾波處理，保留至少3個(gè)像素形成的連通域，以去除噪聲。
8.一種籽晶晶圓選擇系統(tǒng)，其特征在于：包括：
9.一種電子設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于：所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述籽晶晶圓選擇方法的步驟。
10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于：所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)，實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述籽晶晶圓選擇方法的步驟。
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【技術(shù)特征摘要】
1.一種籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：所述步驟s1中獲取所述第一圖像和第二圖像的分析數(shù)據(jù)，方法包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：所述步驟s3中獲取所述第一晶體圖像和第二晶體圖像的分析數(shù)據(jù)的方法包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的籽晶晶圓選擇方法，其特征在于：若所述第一籽晶晶圓受殘留應(yīng)力引起的形變小于第二籽晶晶圓，則所述第一晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中受到包括機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的影響而引起形變小于第二晶體；
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：萬(wàn)新軍，顧偉中，藍(lán)文安，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州瑞霏光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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