【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體功率器件，尤其涉及一種超結mosfet器件及制備方法。
技術介紹
1、超結mosfet，又稱為超結金屬氧化物半導體場效應晶體管（super?juction?metaloxide?semiconductor?field?effect?transistor，sj-mosfet），是一種發展迅速、應用廣泛的新型功率半導體器件，已廣泛應用于面向個人電腦、筆記本電腦、上網本、手機、高壓氣體放電燈產品、液晶電視、等離子電視機以及游戲機等消費電子產品的電源或適配器。但目前的超結mosfet器件在抗干擾能力和動態特性方面還有待提高。
技術實現思路
1、本申請提供了一種超結mosfet器件及制備方法，能夠改善超結mosfet器件的抗干擾能力和動態特性。
2、為達到上述目的，本申請采用如下技術方案：
3、本申請實施例提供了一種超結mosfet器件，所述器件包括：
4、晶圓襯底、位于所述晶圓襯底上的柱結構、位于所述柱結構上的多晶硅柵極層以及形成于所述柱結構中的源極區，所述多晶硅柵極層的寬度為：
5、所述柱結構中包括第一導電類型的第一柱和第二導電類型的第二柱，所述第一柱和所述第二柱交替排列；
6、所述多晶硅柵極層下包括內圈的第一注入區和外圈的第二注入區，所述第一注入區為第一導電類型體區；
7、所述第二注入區具有第一導電類型，所述第二注入區位于所述柱結構中，所述第二注入區與所述第一柱連接。
8、作為一種可能的
9、所述第二注入區分別與所述浮空柱和所述接入柱連接。
10、作為一種可能的實現方式，所述柱結構上包括氧化層，所述多晶硅柵極層位于所述氧化層上，所述第一注入區和所述第二注入區位于所述多晶硅柵極層對應的氧化層下。
11、作為一種可能的實現方式，所述接入柱上包括第一導電類型的重摻雜區，所述源極區形成于所述重摻雜區中。
12、作為一種可能的實現方式，所述器件還包括：源極金屬，所述源極區通過接觸孔與所述源極金屬連接。
13、作為一種可能的實現方式，所述器件還包括柵極引線，所述多晶硅柵極層和所述柵極引線連接。
14、作為一種可能的實現方式，所述源極金屬與所述第二注入區之間包括層間介質。
15、作為一種可能的實現方式，所述多晶硅柵極層與所述柵極引線之間包括層間介質。
16、作為一種可能的實現方式，所述晶圓襯底具有第二導電類型，所述晶圓襯底具有相對的第一表面和第二表面；
17、所述器件還包括漏極，所述漏極形成于所述晶圓襯底的第一表面，所述柱結構設置于所述晶圓襯底的第二表面上。
18、作為一種可能的實現方式，所述第一導電類型為n型，所述第二導電類型為p型，或者，所述第一導電類型為p型，所述第二導電類型為n型。
19、本申請實施例提供的技術方案帶來的有益效果至少包括：
20、本申請實施例提供的超結mosfet器件，該器件包括：晶圓襯底、位于晶圓襯底上的柱結構、位于柱結構上的多晶硅柵極層以及形成于柱結構中的源極區，多晶硅柵極層的寬度為：柱結構中包括第一導電類型的第一柱和第二導電類型的第二柱，第一柱和第二柱交替排列；多晶硅柵極層下包括內圈的第一注入區和外圈的第二注入區，第一注入區為第一導電類型體區；第二注入區具有第一導電類型，第二注入區位于柱結構中，第二注入區與第一柱連接。本申請實施例提供的超結mosfet器件，通過設置更寬的多晶硅柵極層，并在多晶硅柵極層下進行額外注入，形成第二注入區，這樣可以改善柵極多晶硅下方耗盡情況，提升器件的源漏擊穿電壓，并可以增加cgs電容，使得cgd/ciss更小，可以提升器件抗干擾能力。額外的第二注入區圍繞晶圓一圈，將終端更多第二柱接入源極，為器件體二極管反向恢復時，終端的空穴抽取提供更多通路，改善器件反向恢復。
21、經測試器件的源漏擊穿電壓約提升20v左右。進一步的，可以通過改變多晶硅柵極層的寬度和第二注入區的寬度的方式，選擇增加合適的cgs電容，獲得動態特性更好的器件。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種超結MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括：
2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一柱中包括：接入柱和浮空柱，所述接入柱為接入所述源極區的第一柱，所述浮空柱為未接入所述源極區的第一柱；
3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述柱結構上包括氧化層，所述多晶硅柵極層位于所述氧化層上，所述第一注入區和所述第二注入區位于所述多晶硅柵極層對應的氧化層下。
4.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，所述接入柱上包括第一導電類型的重摻雜區，所述源極區形成于所述重摻雜區中。
5.根據權利要求4所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：源極金屬，所述源極區通過接觸孔與所述源極金屬連接。
6.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，所述器件還包括柵極引線，所述多晶硅柵極層和所述柵極引線連接。
7.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，所述源極金屬與所述第二注入區之間包括層間介質。
8.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，所述多晶硅柵極層與所述柵極引線之間包括層間介質。
9.根據
10.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型，或者，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。
...【技術特征摘要】
1.一種超結mosfet器件，其特征在于，所述器件包括：
2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一柱中包括：接入柱和浮空柱，所述接入柱為接入所述源極區的第一柱，所述浮空柱為未接入所述源極區的第一柱；
3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述柱結構上包括氧化層，所述多晶硅柵極層位于所述氧化層上，所述第一注入區和所述第二注入區位于所述多晶硅柵極層對應的氧化層下。
4.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，所述接入柱上包括第一導電類型的重摻雜區，所述源極區形成于所述重摻雜區中。
5.根據權利要求4所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：源極金屬，所述源極區通過接觸孔...
【專利技術屬性】
技術研發人員：栗終盛，柴展，羅杰馨，
申請(專利權)人：上海功成半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。