【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及芯片老化測試，尤其涉及一種芯片老化測試的治具控制方法、裝置及存儲介質。
技術介紹
1、隨著集成電路制造工藝的不斷發展，芯片集成度和性能要求不斷提高，芯片老化測試作為評估芯片可靠性的關鍵手段變得越來越重要。傳統的芯片老化測試方法主要采用單通道串行測試方式，測試效率低下，且難以滿足大規模芯片批量測試的需求。同時，由于芯片工作環境的復雜性，溫度波動和電壓波動等因素會導致測試數據不穩定，影響測試結果的準確性。
2、現有的芯片老化測試系統普遍存在溫度控制精度不足的問題，難以準確模擬芯片在實際工作環境中的溫度應力條件。此外，測試過程中產生的大量數據缺乏有效的篩選和分析手段，無法準確識別和剔除異常數據，導致測試結果的可靠性不高。同時，傳統的數據處理方法難以充分挖掘芯片性能退化的深層特征，無法準確預測芯片的剩余使用壽命。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種芯片老化測試的治具控制方法、裝置及存儲介質，本專利技術能夠準確捕捉芯片性能退化特征，同時輸出性能預測值和壽命預測值，提供了全面的老化評估結果。
2、第一方面，本專利技術提供了一種芯片老化測試的治具控制方法，所述芯片老化測試的治具控制方法包括：
3、對測試治具進行參數采集，得到原始測試數據，所述測試治具包括并行的多個測試通道；
4、將所述原始測試數據分別輸入溫度應力補償器和動態參數控制器進行控制信號分析和信號融合，生成融合溫度控制指令，并將所述融合溫度控制指令輸入所述測試治具的溫控單
5、對所述穩態測試數據進行多維度分析和數據篩選，得到有效測試數據；
6、將所述有效測試數據輸入特征增強網絡進行性能特征提取，得到性能特征數據；
7、按照所述多個測試通道對所述性能特征數據進行分組，并計算各測試通道的權重系數，結合失效模式標準對各測試通道的性能特征數據進行加權處理，得到老化特性數據；
8、將所述老化特性數據輸入壽命預測模型進行性能預測值和壽命預測值計算，得到芯片老化測試結果。
9、第二方面，本專利技術提供了一種芯片老化測試的治具控制裝置，所述芯片老化測試的治具控制裝置包括：
10、采集模塊，用于對測試治具進行參數采集，得到原始測試數據，所述測試治具包括并行的多個測試通道；
11、溫控模塊，用于將所述原始測試數據分別輸入溫度應力補償器和動態參數控制器進行控制信號分析和信號融合，生成融合溫度控制指令，并將所述融合溫度控制指令輸入所述測試治具的溫控單元，得到穩態測試數據；
12、數據篩選模塊，用于對所述穩態測試數據進行多維度分析和數據篩選，得到有效測試數據；
13、特征提取模塊，用于將所述有效測試數據輸入特征增強網絡進行性能特征提取，得到性能特征數據；
14、加權處理模塊，用于按照所述多個測試通道對所述性能特征數據進行分組，并計算各測試通道的權重系數，結合失效模式標準對各測試通道的性能特征數據進行加權處理，得到老化特性數據；
15、計算模塊，用于將所述老化特性數據輸入壽命預測模型進行性能預測值和壽命預測值計算，得到芯片老化測試結果。
16、本專利技術第三方面提供了一種計算機設備，包括：存儲器和至少一個處理器，所述存儲器中存儲有指令；所述至少一個處理器調用所述存儲器中的所述指令，以使得所述計算機設備執行上述的芯片老化測試的治具控制方法。
17、本專利技術的第四方面提供了一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質中存儲有指令，當其在計算機上運行時，使得計算機執行上述的芯片老化測試的治具控制方法。
18、本專利技術提供的技術方案中，采用多個并行測試通道的設計，結合多層pcb布線結構，顯著提升了測試通量；通過溫度應力補償和動態參數控制的雙重控制策略，使溫度控制精度達到±0.5°c，加快了測試穩態的達成。引入多維度分析和數據篩選機制，通過統計特征計算、相關性分析和正態性檢驗等手段，有效識別和剔除異常數據；設計了包含組歸一化層、silu激活層、卷積塊注意力模塊和多頭自注意力層的特征增強網絡，實現了電壓、電流和溫度特征的深度融合；通過位置編碼和殘差連接機制，增強了特征的時序表達能力。構建了基于雙向長短時記憶網絡和自注意力機制的壽命預測模型，通過多尺度特征提取和殘差連接，準確捕捉芯片性能退化特征；采用雙分支預測結構，同時輸出性能預測值和壽命預測值，提供了全面的老化評估結果。
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1.一種芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述對測試治具進行參數采集，得到原始測試數據，所述測試治具包括并行的多個測試通道，包括：
3.根據權利要求2所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述將所述原始測試數據分別輸入溫度應力補償器和動態參數控制器進行控制信號分析和信號融合，生成融合溫度控制指令，并將所述融合溫度控制指令輸入所述測試治具的溫控單元，得到穩態測試數據，包括：
4.根據權利要求3所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述對所述穩態測試數據進行多維度分析和數據篩選，得到有效測試數據，包括：
5.根據權利要求4所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述將所述有效測試數據輸入特征增強網絡進行性能特征提取，得到性能特征數據，包括：
6.根據權利要求5所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述按照所述多個測試通道對所述性能特征數據進行分組，并計算各測試通道的權重系數，結合失效模式標準對各測試通道的性能特
7.根據權利要求6所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述將所述老化特性數據輸入壽命預測模型進行性能預測值和壽命預測值計算，得到芯片老化測試結果，包括：
8.一種芯片老化測試的治具控制裝置，其特征在于，用于執行如權利要求1-7中任一項所述的芯片老化測試的治具控制方法，所述芯片老化測試的治具控制裝置包括：
9.一種計算機設備，其特征在于，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有可在處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現權利要求1至7中任一項所述的芯片老化測試的治具控制方法。
10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序在被處理器運行時使得所述處理器執行如權利要求1至7中任一項所述的芯片老化測試的治具控制方法。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述對測試治具進行參數采集，得到原始測試數據，所述測試治具包括并行的多個測試通道，包括：
3.根據權利要求2所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述將所述原始測試數據分別輸入溫度應力補償器和動態參數控制器進行控制信號分析和信號融合，生成融合溫度控制指令，并將所述融合溫度控制指令輸入所述測試治具的溫控單元，得到穩態測試數據，包括：
4.根據權利要求3所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述對所述穩態測試數據進行多維度分析和數據篩選，得到有效測試數據，包括：
5.根據權利要求4所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述將所述有效測試數據輸入特征增強網絡進行性能特征提取，得到性能特征數據，包括：
6.根據權利要求5所述的芯片老化測試的治具控制方法，其特征在于，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：涂炳超，
申請(專利權)人：東莞市臺易電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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