【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，特別是用于快速測試的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、近年來，垂直腔面發(fā)射激光器(vertical?cavity?surface?emitting?laser，vcsel)元件作為光源而廣泛地運用在電子消費品上。
2、完整的垂直腔面發(fā)射激光器芯片制程為了防止側(cè)壁漏電及限制電流路徑避免電流自點測區(qū)進入有源層，故會在結(jié)構(gòu)中加上絕緣層，如圖1所示。圖1為現(xiàn)有的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)1的截面圖。垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)1包含一基板11、一磊晶層12(其包含一n型磊晶層12n、一多重量子阱層12m及一p型磊晶層12p)、一蓋層13、一絕緣層14、一第一電極15以及一第二電極16。磊晶層12中還包含有濕氧層121。點測區(qū)r1(虛線左邊)與發(fā)光區(qū)r2(虛線右邊)由一溝槽102所劃分。由于需要形成絕緣層14，故完整的垂直腔面發(fā)射激光器芯片制程通常需要耗時多日，難以在短時間內(nèi)完成新開發(fā)的磊晶驗證，提供后續(xù)開發(fā)改善與優(yōu)化。
3、有鑒于此，如何縮短垂直腔面發(fā)射激光器芯片制程的天數(shù)，達到快速測試垂直腔面發(fā)射激光器芯片屬業(yè)界亟需解決的課題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為解決上述問題，本專利技術(shù)提供一種用于快速測試的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)及其形成方法。
2、本專利技術(shù)的目的在于提供一種用于快速測試的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)。通過省略絕緣層的制程，并在點測區(qū)增加溝槽設(shè)計，使得在發(fā)光區(qū)形成具有目標孔徑的濕氧層的同時，點
3、為達上述目的，本專利技術(shù)揭示一種用于快速測試的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)。該垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)具有一點測區(qū)及一發(fā)光區(qū)。該點測區(qū)與該發(fā)光區(qū)由一第一溝槽所劃分。該垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)包含一基板、一磊晶層、一蓋層、一第一電極以及一第二電極。該磊晶層形成于該基板的一上表面上。該蓋層形成于該磊晶層上。該第一電極形成于該蓋層上及該第一溝槽的一底部及兩側(cè)壁上。該第二電極形成于該基板的一下表面上。該點測區(qū)具有多個第二溝槽，以及所述第二溝槽將該點測區(qū)劃分成多個子區(qū)域。該發(fā)光區(qū)中的該磊晶層具有一第一濕氧層，其具有一孔徑。該點測區(qū)中的各該子區(qū)域的該磊晶層具有一第二濕氧層，其橫跨對應(yīng)的該子區(qū)域。
4、于一實施例中，該基板為一砷化鎵(gaas)基板。
5、于一實施例中，該磊晶層包含：一n型磊晶層，形成于該基板的該上表面上；一多重量子阱層，形成于該n型磊晶層上；以及一p型磊晶層，形成于該多重量子阱層上。該第一濕氧層形成于該發(fā)光區(qū)的該p型磊晶層中，以及各該第二濕氧層形成于該點測區(qū)的對應(yīng)的該子區(qū)域的該p型磊晶層中。該第一濕氧層與各該第二濕氧層在一濕氣氧化制程中同時形成。
6、于一實施例中，該磊晶層使用三五族半導(dǎo)體材料或二六族半導(dǎo)體材料以一有機金屬化學(xué)氣相沉積方式或一分子束磊晶方式生長形成。
7、于一實施例中，該第一溝槽及所述第二溝槽在一濕蝕刻制程或一干蝕刻制程中同時形成。
8、另外，本專利技術(shù)還揭示一種形成用于快速測試的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)的方法。該方法包含：設(shè)置一基板；形成一磊晶層于該基板的一上表面上；形成一蓋層于該磊晶層上；形成一第一溝槽，以將該垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)劃分成一點測區(qū)及一發(fā)光區(qū)，以及形成多個第二溝槽，以將該點測區(qū)劃分成多個子區(qū)域；于該發(fā)光區(qū)的該磊晶層中，形成一第一濕氧層，且于該點測區(qū)的各該子區(qū)域的該磊晶層中，形成一第二濕氧層，其中，該第一濕氧層具有一孔徑，且各該子區(qū)域的該第二濕氧層橫跨對應(yīng)的該子區(qū)域；形成一第一電極于該蓋層上及該第一溝槽的一底部及兩側(cè)壁上；以及形成一第二電極于該基板的一下表面上。
9、于一實施例中，該基板為一砷化鎵(gaas)基板。
10、于一實施例中，形成該磊晶層包含：形成一n型磊晶層于該基板的該上表面上；形成一多重量子阱層于該n型磊晶層上；以及形成一p型磊晶層于該多重量子阱層上。該第一濕氧層形成于該發(fā)光區(qū)的該p型磊晶層中，以及各該第二濕氧層形成于該點測區(qū)的對應(yīng)的該子區(qū)域的該p型磊晶層中。該第一濕氧層與各該第二濕氧層在一濕氣氧化制程中同時形成。
11、于一實施例中，該磊晶層使用三五族半導(dǎo)體材料或二六族半導(dǎo)體材料以一有機金屬化學(xué)氣相沉積方式或一分子束磊晶方式生長形成。
12、于一實施例中，該第一溝槽及所述第二溝槽在一濕蝕刻制程或一干蝕刻制程中同時形成。
13、在參閱附圖及隨后描述的實施方式后，此
普通技術(shù)人員便可了解本專利技術(shù)的其他目的，以及本專利技術(shù)的技術(shù)手段及實施方式。
【技術(shù)保護點】
1.一種垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，具有一點測區(qū)及一發(fā)光區(qū)，該點測區(qū)與該發(fā)光區(qū)由一第一溝槽所劃分，該垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)包含：
2.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，其中，該基板為一砷化鎵基板。
3.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，其中，該磊晶層包含：
4.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，其中，該磊晶層使用三五族半導(dǎo)體材料或二六族半導(dǎo)體材料以一有機金屬化學(xué)氣相沉積方式或一分子束磊晶方式生長形成。
5.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，其中，該第一溝槽及所述第二溝槽在一濕蝕刻制程或一干蝕刻制程中同時形成。
6.一種形成垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)的方法，包含：
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該基板為一砷化鎵基板。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成該磊晶層包含：
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該磊晶層使用三五族半導(dǎo)體材料或二六族半導(dǎo)體材料以一有機金屬化學(xué)氣相沉積方式或一分子束磊晶方式生長形成。
10.如權(quán)利要
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，具有一點測區(qū)及一發(fā)光區(qū)，該點測區(qū)與該發(fā)光區(qū)由一第一溝槽所劃分，該垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)包含：
2.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，其中，該基板為一砷化鎵基板。
3.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，其中，該磊晶層包含：
4.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)構(gòu)，其中，該磊晶層使用三五族半導(dǎo)體材料或二六族半導(dǎo)體材料以一有機金屬化學(xué)氣相沉積方式或一分子束磊晶方式生長形成。
5.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器芯片結(jié)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李尚澤，
申請(專利權(quán))人：臺亞半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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