【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本公開的實施例的一個或多個方面涉及一種半導體光刻膠組合物和利用所述半導體光刻膠組合物形成(或提供)圖案的方法。
技術介紹
1、極紫外(extreme?ultraviolet，euv)光刻被視為制造下一代半導體裝置的重要(甚至是必要的)技術。euv光刻是利用波長為約13.5nm的euv射線作為曝光源的圖案形成(或提供)技術。當應用euv光刻時，可在半導體裝置的制造期間在曝光工藝中形成非常精細的圖案(例如，小于或等于約20nm)。
2、極紫外(euv)光刻是通過相容的光刻膠的顯影來實現(xiàn)(例如，通過相容的光刻膠的顯影來實行)，其中顯影(例如，對光刻膠進行顯影的工藝)可以小于或等于約16nm的空間分辨率實行。目前，正在努力克服或減輕用于下一代裝置的化學放大(chemicallyamplified，ca)光刻膠的不足或不適用的規(guī)格，例如分辨率、感光速度(photospeed)和/或特征粗糙度(也被稱為線邊緣粗糙度或ler(line?edge?roughness))。
3、由于聚合物類型或種類的光刻膠中的酸催化反應而導致的固有圖像模糊可能會限制小特征尺寸的分辨率，此為眾所周知在電子束(e-beam)光刻中會出現(xiàn)的一種現(xiàn)象?；瘜W放大(ca)光刻膠被設計用于實現(xiàn)相對高的靈敏度，但由于其典型的元素構成可降低光刻膠在約13.5nm波長下的吸光度且因此降低其靈敏度，因此化學放大(ca)光刻膠在euv曝光下可能部分地具有更多的困難。
4、在一個或多個實施例中，ca光刻膠可因粗糙度問題而在小特征尺寸方面存在困難，且實驗
5、為克服化學放大(ca)有機感光性組合物的上述缺點，已研究出一種無機感光性組合物。所述無機感光性組合物主要用于負型圖案化，所述負型圖案化由于通過非化學放大機制進行的化學改性而抵抗被顯影劑組合物移除。所述無機組合物含有euv吸收率高于烴的無機元素，且因此可通過非化學放大機制而確保靈敏度(例如，對euv光的靈敏度)，且此外對隨機性效應(stochastic?effect)可不太敏感，且因此可具有相對低的線邊緣粗糙度和相對少量的缺陷。
6、已報道基于與鎢、鈮、鈦和/或鉭混合的鎢的過氧多元酸的無機光刻膠作為用于圖案化的輻射敏感材料(作為實例還參見us?5061599；h.岡本、t.巖崎、k.莫奇、h.梅崎、t.工藤(h.okamoto,t.iwayanagi,k.mochiji,h.umezaki,t.kudo)，《應用物理學快報》(appliedphysics?letters)，49(5)，298-300，1986；所述兩個實例中的每一者的全部內容并入本文供參考)。
7、這些材料可如遠紫外線(深uv)、x射線和/或電子束源一樣有效地用于或者適用于對雙層配置的大節(jié)距進行圖案化。最近，若陽離子鉿金屬氧化物硫酸鹽(hfsox)材料與過氧絡合劑一起用于通過投影euv曝光對15nm半節(jié)距(half-pitch，hp)進行成像(例如，當陽離子鉿金屬氧化物硫酸鹽(hfsox)材料與過氧絡合劑一起用于通過投影euv曝光對15nm半節(jié)距(hp)進行成像時)，已獲得了改善的性能(作為實例還參見us2011-0045406；j.k.斯托爾斯、a.特萊基、m.科奇斯、b.l.克拉克、d.a.凱茲勒、a.格倫維爾、c.n.安德森、p.p.納勞(j.k.stowers,a.telecky,m.kocsis,b.l.clark,d.a.keszler,a.grenville,c.n.anderson,p.p.naulleau)，《國際光學工程學會會議錄》(proc.spie)，7969，796915，2011；所述兩個實例中的每一者的全部內容并入本文供參考)。此系統(tǒng)針對非ca光刻膠表現(xiàn)出相對高的性能，且具有接近euv光刻膠所要求(或者需要)的可實行的感光速度。然而，具有過氧絡合劑的鉿金屬氧化物硫酸鹽材料具有一些實際缺點。首先，這些材料是以腐蝕性硫酸/過氧化氫的混合物形式進行涂覆且保質期穩(wěn)定性不足或不適用。第二，作為一種復合混合物，為實現(xiàn)性能改善對其進行結構改變不容易被實現(xiàn)。第三，顯影應在約25重量％的相對極高濃度的氫氧化四甲銨(tetramethylammonium?hydroxide，tmah)溶液和/或類似溶液中實行。
8、最近，已經(jīng)進行了研究來探索含錫的分子，因為所述含錫的分子可對極紫外射線具有優(yōu)異或合適的吸收。在有機錫聚合物化合物之中，烷基配體可通過光吸收和/或由此產(chǎn)生的二次電子而解離，并且可通過氧鍵而與相鄰的鏈交聯(lián)，從而使得能夠實現(xiàn)可不被有機顯影劑移除的負型圖案化。此種有機錫聚合物可表現(xiàn)出極大改善的靈敏度，并保持合適的分辨率和線邊緣粗糙度，但是為了商業(yè)可用性，需要進一步改善其圖案化特性。
技術實現(xiàn)思路
1、本公開的實施例的一個或多個方面涉及一種半導體光刻膠組合物，所述半導體光刻膠組合物具有優(yōu)異或合適的靈敏度、改善的防潮儲存穩(wěn)定性和改善的涂覆特性。
2、本公開的實施例的一個或多個方面涉及一種利用所述半導體光刻膠組合物來形成(或提供)圖案的方法。
3、將在以下說明中部分地闡述附加方面，且通過閱讀所述說明，所述附加方面將部分地變得顯而易見，或者可通過實踐本公開的所呈現(xiàn)實施例來獲知所述附加方面。
4、根據(jù)一個或多個實施例的半導體光刻膠組合物包含由化學式1表示的有機錫化合物和溶劑。
5、化學式1
6、
7、在化學式1中，
8、r1可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1到c20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3到c20環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c2到c20烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c2到c20炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6到c30芳基、或者la-o-ra(其中l(wèi)a可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1到c20亞烷基，且ra可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1到c20烷基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6到c30芳基)，
9、r2可為鹵素、烷氧基和/或芳氧基(例如，-orb，其中rb可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1到c20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3到c20環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c2到c20烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c2到c20炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6到c30芳基和/或其(例如，任何合適的)組合)、羧基(例如，-o(co)r6，其中r6可為氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1到c20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c3到c20環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c2到c20烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c2到c20炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c6到c30芳基和/或其(例如，任何合適的)組合)、烷基氨基和/或二烷基氨基(例如，-nr7r8，其中r7和r8可各自獨立地為氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1到c20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種半導體光刻膠組合物，包含：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體光刻膠組合物，其中
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體光刻膠組合物，其中
7.根據(jù)權利要求5所述的半導體光刻膠組合物，其中
8.根據(jù)權利要求5所述的半導體光刻膠組合物，其中
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
10.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
11.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
12.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
13.一種形成圖案的方法，包括：
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中通過施加波長為5納米到150納米的光來形成所述光刻膠圖案。
15.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中
【技術特征摘要】
1.一種半導體光刻膠組合物，包含：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體光刻膠組合物，其中
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體光刻膠組合物，其中
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體光刻膠組合物，其中
7.根據(jù)權利要求5所述的半導體光刻膠組合物，其中
8.根據(jù)權利要求5所述的半導體光刻膠組合物，其...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：柳東完，姜恩美，金鈴根，林雪熙，林秀斌，姜錫一，
申請(專利權)人：三星SDI株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。