【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種支承玻璃基板。
技術介紹
1、伴隨電子設備的小型化，以高密度安裝這些電子設備中使用的半導體器件的技術的需求變高。近年來，作為以高密度安裝半導體器件的技術，例如提出了扇出晶圓級封裝(fan?out?wafer?level?package：fowlp)或扇出面板級封裝(fan?out?panel?levelpackage：foplp)。以下，將fowlp與foplp統稱為fowlp等。
2、在fowlp等中，為了抑制層疊半導體器件的加工基板的撓曲，有時使用支承加工基板的支承玻璃基板(例如，參照專利文獻1)。
3、現有技術文獻
4、專利文獻
5、專利文獻1：日本專利第6443668號公報
技術實現思路
1、對于fowlp等用的支承玻璃基板等用于支承構件的支承玻璃基板，要求抑制撓曲，并且也要求輕量化。支承玻璃基板在為了抑制撓曲而使厚度變厚的情況下，質量增加，如果為了輕量化而使厚度變薄，則容易產生撓曲。因此，存在難以兼顧撓曲的抑制與輕量化的情況。
2、本專利技術是鑒于上述課題而作出的，其目的在于提供一種能夠實現撓曲的抑制與輕量化的支承玻璃基板。
3、為了解決上述問題并實現目的，本專利技術的支承玻璃基板的楊氏模量ε(gpa)相對于密度d(g/cm3)的比率ε/d(gpa·cm3/g)為37.0(gpa·cm3/g)以上，且是大于比率算出值α(gpa·cm3/g)的值，該比率算出值α是根據組成而算出的楊氏模
4、α＝2·σ{(vi·gi)/mi)·xi}
5、這里，vi為上述支承玻璃基板中所含的金屬氧化物的填充參數，gi為上述支承玻璃基板中所含的金屬氧化物的解離能，mi為上述支承玻璃基板中所含的金屬氧化物的分子量，xi為上述支承玻璃基板中所含的金屬氧化物的摩爾比。
6、根據本專利技術，能夠實現撓曲的抑制與輕量化。
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1.一種支承玻璃基板，其楊氏模量ε相對于密度d的比率ε/d為32.0GPa·cm3/g以上，
2.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其中，滿足比率ε/d＞比率算出值α+2.0GPa·cm3/g的關系，所述比率ε/d和比率算出值α的單位是GPa·cm3/g。
3.根據權利要求2所述的支承玻璃基板，其中，滿足比率ε/d＞比率算出值α+4.0GPa·cm3/g的關系，所述比率ε/d和比率算出值α的單位是GPa·cm3/g。
4.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其中，比率ε/d為37.0GPa·cm3/g以上，所述比率ε/d的單位是GPa·cm3/g。
5.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其中，根據組成而算出的填充密度Vt小于13.8，所述填充密度Vt的單位是cm3/mol，
6.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其厚度為0.1mm～0.5mm的范圍。
7.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其為非晶玻璃。
8.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其為扇出晶圓級封裝和扇出面板級封裝中的至少一者的制造用的支
...【技術特征摘要】
1.一種支承玻璃基板，其楊氏模量ε相對于密度d的比率ε/d為32.0gpa·cm3/g以上，
2.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其中，滿足比率ε/d＞比率算出值α+2.0gpa·cm3/g的關系，所述比率ε/d和比率算出值α的單位是gpa·cm3/g。
3.根據權利要求2所述的支承玻璃基板，其中，滿足比率ε/d＞比率算出值α+4.0gpa·cm3/g的關系，所述比率ε/d和比率算出值α的單位是gpa·cm3/g。
4.根據權利要求1所述的支承玻璃基板，其中，比...
【專利技術屬性】
技術研發人員：長野干雄，稻葉誠二，齋藤康成，玉井喜芳，小野和孝，小林悠波，
申請(專利權)人：AGC株式會社，
類型：發明
國別省市：
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