本發明專利技術公開了一種Micro?LED區塊及其制備方法、顯示裝置，所述Micro?LED區塊包括襯底及設置在所述襯底上的多個間隔分布的Micro?LED單元，多個間隔分布的所述Micro?LED單元具有厚度差，不同Micro?LED單元之間的厚度差為5nm～200nm。實施本發明專利技術，可以提高Micro?LED的轉移效率和發光效率。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及led器件，尤其涉及一種micro-led區塊及其制備方法、顯示裝置。
技術介紹
1、微型發光二極管(micro-led)指的是使用尺寸為1μm～60μm的led發光單元組成顯示陣列的技術。micro-led具有高解析度、低功耗、高亮度、高對比、高色彩飽和度、反應速度快、厚度薄、壽命長等特性，其功率消耗量可低至lcd的10％、oled的50％，是業界期待的下一代顯示技術。而且micro-led的應用領域非常廣泛，包括穿戴式設備、超大室內顯示屏幕、頭戴式顯示器、抬頭顯示器、車尾燈、無線光通訊、ar/vr、投影機等多個領域。
2、由于組成顯示陣列的micro-led的尺寸小，數量多，因此需要通過巨量轉移將百萬級甚至千萬級的芯片正確且有效率地移動到電路基板上，性能測試后，對單個不良芯片的定位和更換難度大。此外，micro-led像素單元的發光效率也有待進一步提高。
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題在于，提供一種micro-led區塊及其制備方法，micro-led區塊的轉移效率高，發光效率高。
2、本專利技術所要解決的技術問題在于，提供一種顯示裝置，顯示裝置的發光效率高。
3、為了解決上述問題，本專利技術公開了一種micro-led區塊，包括襯底及設置在所述襯底上的多個間隔分布的micro-led單元，多個間隔分布的所述micro-led單元具有厚度差，不同micro-led單元之間的厚度差為5nm～200nm。
>4、作為上述技術方案的改進，包括襯底及設置在所述襯底上的三個間隔分布的micro-led單元，三個所述micro-led單元沿直線分布且厚度遞增或遞減，不同micro-led單元之間的厚度差為5nm～200nm。5、作為上述技術方案的改進，所述micro-led單元的橫截面為六邊形，六邊形的邊長為1.5μm～25μm，相鄰micro-led單元之間的距離為1μm～100μm。
6、作為上述技術方案的改進，所述micro-led單元包括n型半導體層、有源層、p型半導體層、n電極和p電極，所述n電極設置在所述n型半導體層上，所述p電極設置在所述p型半導體層上；同一micro-led區塊中的不同micro-led單元的p型半導體層的厚度差為5nm～200nm；
7、所述n半導體層包括依次設置在基底上的第一n型半導體層和第二n型半導體層，多個所述第二n型半導體層相互隔離，且所述第二n型半導體層的橫截面為六邊形。
8、作為上述技術方案的改進，所述micro-led單元的p型半導體層上設有透明導電層，所述p型半導體層上、第一n型半導體層上、p型半導體層延伸至所述第一n型半導體層的側壁上均設有絕緣層；
9、所述micro-led單元一側的絕緣層上設有p延伸線，所述p延伸線用于將一個micro-led區塊中的多個micro-led單元的p電極連接。
10、相應的，本專利技術還公開了一種micro-led區塊的制備方法，用于制備上述的micro-led區塊，包括以下步驟：
11、提供一襯底；
12、在所述襯底上形成多個具有厚度差的micro-led單元；不同micro-led單元之間的厚度差為5nm～200nm。
13、作為上述技術方案的改進，采用以下步驟形成多個具有厚度差的micro-led單元：
14、采用相同的工藝形成多個厚度相同的外延結構，所述外延結構包括n型半導體層、有源層和p型半導體層，分別刻蝕不同外延結構的p型半導體層得到所需的厚度；不同micro-led單元的p型半導體層的厚度差為5nm～200nm。
15、作為上述技術方案的改進，采用以下步驟形成所述micro-led單元：
16、在所述襯底上生長第一n型半導體層；
17、在所述第一n型半導體層上生長隔離層，所述隔離層的厚度為5nm～500nm，所述隔離層具有暴露所述第一n型半導體層的多個鏤空部，所述鏤空部的尺寸為3μm～50μm，相鄰鏤空部之間的距離為1μm～100μm；
18、在所述鏤空部中生長第二n型半導體層、有源層和p型半導體層。
19、作為上述技術方案的改進，采用以下步驟制備外延結構：控制溫度為650℃～850℃，壓力為50torr～200torr，通入載氣和mo源，載氣為n2和/或h2，n2的流量為5slm～20slm，h2的流量為0～10slm，mo源中n源的流量為20slm～50slm。
20、相應的，本專利技術還公開了一種顯示裝置，包括上述的micro-led區塊。
21、實施本專利技術，具有如下有益效果：
22、1、本專利技術的micro-led區塊包括多個間隔分布的micro-led單元，micro-led區塊轉移至電路基板上，即可實現micro-led區塊內多個micro-led單元的一次性轉移，與常規的巨量轉移相比，操作簡單，轉移速率快，轉移良率高。
23、2、本專利技術的micro-led區塊包括多個具有厚度差的micro-led單元，可以減小多個micro-led單元之間的間距，減小micro-led區塊的面積并提高micro-led區塊的像素密度，而且不同厚度的micro-led單元可以產生立體發光效果且混色效果更均勻。
本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種Micro-LED區塊，其特征在于，包括襯底及設置在所述襯底上的多個間隔分布的Micro-LED單元，多個間隔分布的所述Micro-LED單元具有厚度差，不同Micro-LED單元之間的厚度差為5nm～200nm。
2.如權利要求1所述的Micro-LED區塊，其特征在于，包括襯底及設置在所述襯底上的三個間隔分布的Micro-LED單元，三個所述Micro-LED單元沿直線分布且厚度遞增或遞減，不同Micro-LED單元之間的厚度差為5nm～200nm。
3.如權利要求1所述的Micro-LED區塊，其特征在于，所述Micro-LED單元的橫截面為六邊形，六邊形的邊長為1.5μm～25μm，相鄰Micro-LED單元之間的距離為1μm～100μm。
4.如權利要求1所述的Micro-LED區塊，其特征在于，所述Micro-LED單元包括N型半導體層、有源層、P型半導體層、N電極和P電極，所述N電極設置在所述N型半導體層上，所述P電極設置在所述P型半導體層上；同一Micro-LED區塊中的不同Micro-LED單元的P型半導體層的厚度差為5nm～200nm；
5.如權利要求4所述的Micro-LED區塊，其特征在于，所述Micro-LED單元的P型半導體層上設有透明導電層，所述P型半導體層上、第一N型半導體層上、P型半導體層延伸至所述第一N型半導體層的側壁上均設有絕緣層；
6.一種Micro-LED區塊的制備方法，用于制備如權利要求1～5任一項所述的Micro-LED區塊，其特征在于，包括以下步驟：
7.如權利要求6所述的Micro-LED區塊的制備方法，其特征在于，采用以下步驟形成多個具有厚度差的Micro-LED單元：
8.如權利要求6所述的Micro-LED區塊的制備方法，其特征在于，采用以下步驟形成所述Micro-LED單元：
9.如權利要求8所述的Micro-LED區塊的制備方法，其特征在于，采用以下步驟制備外延結構：控制溫度為650℃～850℃，壓力為50torr～200torr，通入載氣和MO源，載氣為N2和/或H2，N2的流量為5SLM～20SLM，H2的流量為0～10SLM，MO源中N源的流量為20SLM～50SLM。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1～5任一項所述的Micro-LED區塊。
...
【技術特征摘要】
1.一種micro-led區塊，其特征在于，包括襯底及設置在所述襯底上的多個間隔分布的micro-led單元，多個間隔分布的所述micro-led單元具有厚度差，不同micro-led單元之間的厚度差為5nm～200nm。
2.如權利要求1所述的micro-led區塊，其特征在于，包括襯底及設置在所述襯底上的三個間隔分布的micro-led單元，三個所述micro-led單元沿直線分布且厚度遞增或遞減，不同micro-led單元之間的厚度差為5nm～200nm。
3.如權利要求1所述的micro-led區塊，其特征在于，所述micro-led單元的橫截面為六邊形，六邊形的邊長為1.5μm～25μm，相鄰micro-led單元之間的距離為1μm～100μm。
4.如權利要求1所述的micro-led區塊，其特征在于，所述micro-led單元包括n型半導體層、有源層、p型半導體層、n電極和p電極，所述n電極設置在所述n型半導體層上，所述p電極設置在所述p型半導體層上；同一micro-led區塊中的不同micro-led單元的p型半導體層的厚度差為5nm～200nm；
5.如權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：崔永進，黃豪東，唐艷萍，
申請(專利權)人：佛山市國星半導體技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。