【技術實現步驟摘要】
本申請涉及太陽能電池，尤其涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件。
技術介紹
1、現階段topcon（隧穿氧化物鈍化接觸）太陽能電池及組件廣受市場歡迎，并且隨著topcon電池效率的提高以及非晶硅成本的降低，topcon電池的產品優(yōu)勢愈專利技術顯。然而，perc（發(fā)射極及背面鈍化）電池的利潤愈發(fā)減少，所以perc電池車間改造升級為topcon的市場方向逐漸明朗。
2、目前，topcon電池在市場上主要路線有兩種，第一種為制絨、正面摻雜、背面繞鍍刻蝕、背面原位摻雜、背面晶化退火、正面繞鍍刻蝕、正面氧化鋁鈍化、正面減反射膜層沉積、背面減反射膜層沉積、正背面絲網印刷燒結、光注入；第二種為制絨、正面摻雜、背面繞鍍刻蝕、背面多晶硅沉積、背面磷擴散、正面繞鍍刻蝕、正面氧化鋁鈍化、正面減反射膜層沉積、背面減反射膜層沉積、正背面絲網印刷燒結、光注入。
3、然而，這些方法制備的topcon電池的雙面率處于較低水平，因此，亟需提出一種提升電池雙面率的方法。
4、需要說明的是，上述內容并不必然是現有技術，也不用于限制本申請的專利保護范圍。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件，以解決或緩解上面提出的一項或更多項技術問題。
2、本申請實施例的第一方面，提出一種制備太陽能電池的方法，，包括以下步驟：提供襯底，所述襯底包括相對設置的第一表面和第二表面以及圍繞所述第一表面和第二表面的多個端面，所述第一表面和所述第二表面分別獨立地
3、本申請實施例的方法，可以得到雙面率較高的太陽能電池。這是在于，對襯底進行雙面制絨（相對設置的第一表面和第二表面），并通過等離子體增強化學沉積的方式對襯底的第一表面進行精準沉積，即幾乎只在襯底的第一表面沉積摻硼的非晶硅，襯底的第二表面和端面幾乎不存在摻硼的非晶硅；晶化處理過程中使非晶硅轉變成多晶硅，以得到硼摻雜層；再對具有所述硼摻雜層的襯底進行去除處理，以去除所述襯底的端面和第二表面的氧化硅層，以及在去除處理后的第二表面形成隧穿氧化層。該過程中對第二表面進行氧化硅層的去處處理，是幾乎不會損傷第二表面的絨面，即保留第二表面的絨面層。這樣在第二表面形成隧穿氧化層后獲得的太陽能電池，其背面（第二表面）對入射光的可以進行多次反射和折射，以提升了電池背面的光電轉換效率，進而提高太陽能電池的雙面率。另外，本申請的方法無需刻蝕拋光，一方面，可以節(jié)約藥液成本，并使制備太陽能電池的工藝過程減少，從而降低工藝時間；另一方面，無需進行的刻蝕拋光步驟，還較大程度上降低電池的漏電風險。
4、根據本申請的實施例，所述方法還包括：在所述隧穿氧化層遠離所述襯底的一側面形成磷摻雜層；對所述形成磷摻雜層的所得物進行繞鍍刻蝕，以去除磷硅玻璃層；在所述繞鍍刻蝕的所得物的所述硼摻雜層遠離所述襯底的一側面形成鈍化層；在鈍化層遠離所述硼摻雜層的一側面，以及在磷摻雜層遠離所述隧穿氧化層的一側面分別獨立地形成減反射層，以得到太陽能電池。
5、根據本申請的實施例，所述等離子體增強化學沉積的溫度100-300℃。
6、根據本申請的實施例，所述等離子體增強化學沉積的工藝氣體包括第一氣體和第二氣體，所述第一氣體包括硅烷，所述第二氣體包括硼烷和/或乙硼烷。
7、根據本申請的實施例，所述晶化處理的方式包括退火氧化、激光誘導退火或激光誘導氧化。
8、根據本申請的實施例，所述退火氧化包括氧化階段和晶化階段，所述晶化階段的溫度為700-1000℃，所述氧化階段的溫度為900-1200℃。
9、根據本申請的實施例，所述去除處理是采用hf溶液進行鏈式酸洗。
10、根據本申請的實施例，所述hf的濃度為10-30wt%。
11、根據本申請的實施例，所述硼摻雜層的厚度為30-200nm。
12、根據本申請的實施例，所述鈍化層的厚度為3-10nm。
13、根據本申請的實施例，所述磷摻雜層的厚度50-300nm。
14、根據本申請的實施例，所述隧穿氧化層的厚度為1-2nm。
15、根據本申請的實施例，所述減反射層的厚度為25-40nm。
16、本申請實施例的第二方面，提供一種太陽能電池。該太陽能電池包括襯底，所述襯底包括相對設置的第一表面和第二表面以及圍繞所述第一表面和第二表面的多個端面，所述第一表面和所述第二表面分別獨立地為絨面；硼摻雜層，所述硼摻雜層位于所述襯底的第一表面，隧穿氧化層，所述隧穿氧化層位于所述襯底的第二表面。該電池具有較好的雙面率。這是在于該電池的襯底為雙絨面襯底，有效降低了電池本身局部漏電，也提升了電池的鈍化效果，從而提升了電池的光電性能，進而使太陽能電池表現出較優(yōu)的雙面率。
17、根據本申請的實施例，所述太陽能電池還包括：鈍化層，所述鈍化層位于所述硼摻雜層遠離所述襯底的一側面；磷摻雜層，所述磷摻雜層位于所述隧穿氧化層遠離所述襯底的一側面；減反射層，磷摻雜層遠離所述隧穿氧化層的一側面以及鈍化層遠離所述硼摻雜層的一側面均設置有減反射層。
18、根據本申請的實施例，所述太陽能電池的雙面率為90%-96%。
19、在本申請實施例的第三方面，提出一種光伏組件，所述光伏組件包括第二方面的太陽能電池。
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1.一種制備太陽能電池的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強化學沉積滿足以下條件中的至少之一：
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述晶化處理的方式包括退火氧化、激光誘導退火或激光誘導氧化。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述退火氧化包括氧化階段和晶化階段，所述晶化階段的溫度為700-1000℃，所述氧化階段的溫度為900-1200℃。
6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述去除處理是采用HF溶液進行鏈式酸洗；
7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述硼摻雜層的厚度為30-200nm；
8.一種太陽能電池，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，還包括：
10.根據權利要求8或9所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池的雙面率為90%-96%。
11.一種光伏組件，其特征在于，所
...【技術特征摘要】
1.一種制備太陽能電池的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強化學沉積滿足以下條件中的至少之一：
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述晶化處理的方式包括退火氧化、激光誘導退火或激光誘導氧化。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述退火氧化包括氧化階段和晶化階段，所述晶化階段的溫度為700-1000℃，所述氧化階段的溫度為900-1200℃。...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：司瑞凡，仲春華，楊廣濤，
申請(專利權)人：天合光能股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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