【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體模塊、電力用半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體模塊的制造方法、電力用半導(dǎo)體裝置的制造方法以及電力轉(zhuǎn)換裝置。
技術(shù)介紹
1、公開(kāi)了一種將半導(dǎo)體芯片焊接于絕緣基板，將導(dǎo)線接合于半導(dǎo)體元件的上表面，并通過(guò)傳遞模塑進(jìn)行了樹(shù)脂密封的半導(dǎo)體模塊(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
2、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2014/006724號(hào)
3、由于半導(dǎo)體模塊經(jīng)由散熱潤(rùn)滑脂或焊料接合于冷卻器，所以需要提高半導(dǎo)體模塊與冷卻器的接合部的可靠性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開(kāi)是為了解決上述那樣的課題而做出的，其目的在于，提供能夠提高半導(dǎo)體模塊與冷卻器的接合部的可靠性的半導(dǎo)體模塊、電力用半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體模塊的制造方法、電力用半導(dǎo)體裝置的制造方法以及電力轉(zhuǎn)換裝置。
2、本公開(kāi)所涉及的半導(dǎo)體模塊的特征在于，具備：絕緣基板，具有絕緣板、形成于上述絕緣板的表面的表面金屬圖案、以及形成于上述絕緣板的背面的背面金屬圖案；半導(dǎo)體芯片，安裝于上述絕緣基板的上述表面金屬圖案；主端子，與上述半導(dǎo)體芯片的上表面的主電極連接；信號(hào)端子，通過(guò)引線而與上述半導(dǎo)體芯片的上表面的控制電極連接；以及密封樹(shù)脂，密封上述絕緣基板、上述半導(dǎo)體芯片、上述引線、上述主端子的一部分以及上述信號(hào)端子的一部分，上述背面金屬圖案從上述密封樹(shù)脂的下表面突出而上述背面金屬圖案的側(cè)面和下表面從上述密封樹(shù)脂露出，上述背面金屬圖案的露出面被改性固化，上述背面金屬圖案呈向下方翹曲的凸形狀。
3、本公開(kāi)所涉及的半導(dǎo)體模塊的制造方法的特征在于
4、在本公開(kāi)中，背面金屬圖案從密封樹(shù)脂的下表面突出而背面金屬圖案的側(cè)面和下表面從密封樹(shù)脂露出，背面金屬圖案的露出面被改性固化，背面金屬圖案呈向下方翹曲的凸形狀。由此，能夠提高半導(dǎo)體模塊和冷卻器的接合部的可靠性。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
11.一種電力用半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
12.一種電力用半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
13.一種電力用半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電力用半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電力用半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
16.一種半導(dǎo)體模塊的
17.一種電力用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電力用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備：
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電力用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備：
20.根據(jù)權(quán)利要求17～19中任一項(xiàng)所述的電力用半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
21.一種電力轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，
11.一種電力用半導(dǎo)體裝置，其特征在...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：梶山力，鹿野武敏，西原孝太郎，日野泰成，小杉祥，西村一廣，新井規(guī)由，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：三菱電機(jī)株式會(huì)社，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。