【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及晶片處理設(shè)備，尤其涉及能夠通過利用位于噴淋頭上方的輔助接地路徑控制電場來改善晶片不均勻性的晶片處理設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、使用vhf(甚高頻)等離子體的晶片處理設(shè)備可能具有低溫下具有高膜質(zhì)量的新過程潛力。
2、然而，對于用于ald和cvd應(yīng)用的vhf?ccp(電容耦合等離子體)反應(yīng)器，可能存在源自駐波效應(yīng)的不均勻性。
3、這種駐波效應(yīng)可能導(dǎo)致中心高等離子體均勻性，從而影響晶片沉積膜均勻性。
4、為了改善這種不均勻性，已經(jīng)提出了多種解決方案。然而，以前的解決方案可能不容易在ccp環(huán)境中實施。
5、因此，本公開提出了一種具有用于改善不均勻性的輔助接地路徑的晶片處理設(shè)備。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、提供本
技術(shù)實現(xiàn)思路
是為了以簡化的形式介紹一些概念。這些概念在以下公開的示例實施例的詳細描述中被進一步詳細描述。本
技術(shù)實現(xiàn)思路
不旨在標識所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護的主題的范圍。
2、根據(jù)一實施例，可以提供一種晶片處理設(shè)備，包括：封閉和限定反應(yīng)室的射頻(rf)外殼；布置在反應(yīng)室內(nèi)的噴淋頭，其配置為產(chǎn)生用于在反應(yīng)室中處理晶片的等離子體；射頻(rf)電源，其配置為產(chǎn)生rf并將所產(chǎn)生的rf供應(yīng)至噴淋頭；并聯(lián)和/或串聯(lián)連接在rf電源和噴淋頭之間的多個電容器；以及配置為放置在噴淋頭上方的一條以上輔助接地線路。
3、根據(jù)另一實施例，提供了一個以上開關(guān)，其分別耦合到一條以上輔助接地線路中的每條，并且
4、在至少一個方面，輔助接地線路和噴淋頭之間的間隙在2mm和15mm之間。
5、在至少一個方面，輔助接地線路的半徑在2mm和10mm之間。
6、在至少一個方面，輔助接地線路的數(shù)量在3和10之間，并且輔助接地線路以相等的角度圍繞噴淋頭放置。
7、在至少一個方面，耦合到一條以上輔助接地線路的一個以上開關(guān)配置為順序接通。
8、根據(jù)另一實施例，可以提供一種晶片處理設(shè)備，包括：封閉并限定反應(yīng)室的射頻(rf)外殼；放置在反應(yīng)室內(nèi)的噴淋頭，其配置為產(chǎn)生用于在反應(yīng)室中處理晶片的等離子體；射頻(rf)電源，其配置為產(chǎn)生rf并將所產(chǎn)生的rf供應(yīng)至噴淋頭；并聯(lián)和/或串聯(lián)連接在rf電源和噴淋頭之間的多個電容器；一條以上輔助接地線路，其配置成放置在噴淋頭上方；以及一個以上開關(guān)，其分別耦合到一條以上輔助接地線路中的每條，并且配置為允許電流流過或不流過輔助接地線路，其中，耦合到一條以上輔助接地線路的一個以上開關(guān)配置為順序接通，以允許電流流過或不流過輔助接地線路。
9、在至少一個方面，輔助接地線路和噴淋頭之間的間隙在2mm和15mm之間。
10、在至少一個方面，輔助接地線路的半徑在2mm和10mm之間。
11、在至少一個方面，輔助接地線路的數(shù)量在3和10之間，并且輔助接地線路以相等的角度圍繞噴淋頭放置。
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1.一種晶片處理設(shè)備，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理設(shè)備，進一步包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理設(shè)備，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理設(shè)備，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的晶片處理設(shè)備，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片處理設(shè)備，其中，
7.一種晶片處理設(shè)備，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理設(shè)備，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理設(shè)備，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理設(shè)備，其中，
【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶片處理設(shè)備，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理設(shè)備，進一步包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理設(shè)備，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理設(shè)備，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的晶片處理設(shè)備，其中，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：S·赫，D·申，嚴基喆，
申請(專利權(quán))人：ASMIP私人控股有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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