【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及化學機械拋光，尤其涉及一種具有較高的厚度均勻性及拋光效率的拋光墊。
技術介紹
1、化學機械拋光(chemical?mechanical?polishing，cmp)是通過納米粒子的研磨作用與拋光液的化學腐蝕作用的有機結合，使被拋光的工件在拋光墊上進行平坦化。拋光墊是在cmp過程中決定拋光速率和平坦化能力的重要消耗品之一，拋光墊表面有很多毛囊孔的纖維板結構，在cmp過程中起到儲存、運輸拋光液，去除加工殘余物質，傳遞機械載荷及維持拋光環境等作用。因此，用于cmp的拋光墊必需具有良好的化學穩定性(耐腐蝕性)、親水性以及機械力學特性。cmp可以去除表面多余的材料和雜質，減少例如表面粗糙、劃痕等缺陷，每一層硅晶圓的拋光質量(即表面平坦化程度)直接決定了半導體芯片的質量。
2、軟質聚氨酯拋光墊通常用來作為精拋或最終拋光來對拋光材料實現較低的缺陷率。但現有的拋光墊或者無法滿足在薄膜材料或者無紡布材料中的平坦刮涂，會造成拋光墊整體研磨速率降低、平坦度較低；或者拋光墊緩沖層表面粗糙度較低，無法滿足拋光墊整體均勻性，造成拋光墊從中間到邊緣厚度不均一，導致拋光墊整體平坦度較低。
3、從實際使用情況來看，軟質拋光墊整體均勻性高可以增大拋光材料與拋光墊之間的貼合面積，因此提高軟質拋光墊的均勻性有著非常重要的意義。
技術實現思路
1、為克服上述現有技術的至少一種缺陷，第一方面，本專利技術的一種實施方式提供了一種聚氨酯組合物，包括聚氨酯樹脂和添加劑，所述添加劑包括絮凝劑，所
2、第二方面，本專利技術的一種實施方式提供了一種拋光墊，包括緩沖層和拋光層，其中，所述緩沖層是通過上述的聚氨酯組合物制得。
3、第三方面，本專利技術的一種實施方式提供了一種上述拋光墊的制備方法，包括如下步驟：
4、提供所述緩沖層；
5、將拋光層漿料涂布于所述緩沖層上形成所述拋光層。
6、第四方面，本專利技術的一種實施方式提供了上述的拋光墊在化學機械拋光中的應用。
7、本專利技術一種實施方式的聚氨酯組合物，可用于制備拋光墊的緩沖層，絮凝劑的存在可以使聚氨酯樹脂的粘彈性增大，從而使制得的拋光墊具有較好的厚度均勻性。
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1.一種聚氨酯組合物，包括聚氨酯樹脂和添加劑，所述添加劑包括絮凝劑，所述絮凝劑包括小分子季銨鹽、聚季銨鹽中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的組合物，其中，所述絮凝劑包括氯芐烷銨、二甲基二烯丙基氯化銨均聚物、氯化-2-羥基-3-(三甲氨基)丙基聚環氧乙烷纖維素醚中的一種或多種；和/或，
3.根據權利要求2所述的組合物，其中，以所述聚氨酯樹脂的質量為基準，所述增稠劑的質量含量為0.1～2％；和/或，
4.一種拋光墊，包括緩沖層和拋光層，其中，所述緩沖層是通過權利要求1至3中任一項所述的聚氨酯組合物制得。
5.根據權利要求4所述的拋光墊，其中，所述緩沖層的硬度高于所述拋光層；和/或，
6.根據權利要求5所述的拋光墊，其中，所述一條或多條凹槽的橫截面選自曲線形、直線形、圓形、環形、扇形、螺旋形、矩形、梯形、三角形、六角形、分形形狀、網格狀中的一種或多種；和/或，
7.根據權利要求5所述的拋光墊，其中，所述一條或多條凹槽的橫截面為圓環形；和/或，
8.根據權利要求5所述的拋光墊，其中，所述一條或多條凹
9.權利要求4至8中任一項所述的拋光墊的制備方法，包括如下步驟：提供所述緩沖層；
10.權利要求4至8中任一項所述的拋光墊在化學機械拋光中的應用。
...【技術特征摘要】
1.一種聚氨酯組合物，包括聚氨酯樹脂和添加劑，所述添加劑包括絮凝劑，所述絮凝劑包括小分子季銨鹽、聚季銨鹽中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的組合物，其中，所述絮凝劑包括氯芐烷銨、二甲基二烯丙基氯化銨均聚物、氯化-2-羥基-3-(三甲氨基)丙基聚環氧乙烷纖維素醚中的一種或多種；和/或，
3.根據權利要求2所述的組合物，其中，以所述聚氨酯樹脂的質量為基準，所述增稠劑的質量含量為0.1～2％；和/或，
4.一種拋光墊，包括緩沖層和拋光層，其中，所述緩沖層是通過權利要求1至3中任一項所述的聚氨酯組合物制得。
5.根據權利要求4所述的拋光墊，其中，所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張焱坤，王凱，劉相寶，
申請(專利權)人：萬華化學集團電子材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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