【技術實現步驟摘要】
本公開的實施例涉及修復光刻掩模的方法和光刻掩膜。
技術介紹
1、半導體集成電路(ic)工業經歷了指數級增長。ic材料和設計中的技術進步已經產生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更復雜的電路。在ic發展的過程中，功能密度(即，每個芯片區的互連器件的數量)普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創建的最小組件(或線))已經減小。這種按比例縮小也提高了處理和制造ic的復雜性，為了實現這些進步，需要在ic處理和制造方面的類似發展。
技術實現思路
1、本公開的一些實施例提供了一種修復光刻掩模的方法，該方法包括：接收具有覆蓋層的光刻掩模，其中，覆蓋層包括受損區域；識別覆蓋層的受損區域的位置和尺寸；基于覆蓋層的受損區域的尺寸確定修復持續時間；以及在覆蓋層的受損區域中形成覆蓋補丁層。
2、本公開的另一些實施例提供了一種光刻掩模，該光刻掩模包括：襯底；反射多層堆疊件，位于襯底上方；覆蓋層，位于反射多層堆疊件上方；以及圖案化的吸收層，位于覆蓋層上方，圖案化的吸收層限定光刻掩模的反射區域，其中，覆蓋層包括位于光刻掩模的反射區域中并且由多晶部分圍繞的非晶部分，多晶部分包括第一含釕材料，并且非晶部分包括第二含釕材料。
3、本公開的又一實施例提供了一種光刻掩模，該光刻掩模包括：襯底；反射多層堆疊件，位于襯底上方；覆蓋層，位于反射多層堆疊件上方，覆蓋層包括含釕材料；覆蓋補丁層，由覆蓋層圍繞，覆蓋補丁層包括非晶含釕材料；以及圖案化的吸收層，位于覆蓋層上方，圖案化的吸收層限定光刻掩
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1.一種修復光刻掩模的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，通過電子束誘導沉積局部地形成所述覆蓋補丁層。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，識別所述覆蓋層的所述受損區域的所述位置和所述尺寸包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一掩模檢查工具是掃描電子顯微鏡(SEM)工具。
5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第二掩模檢查工具是原子力顯微鏡(AFM)工具。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述覆蓋補丁層包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述掩模修復工具是SEM工具。
8.根據權利要求6所述的方法，其中所述釕絡合物具有以下公式：
9.一種光刻掩模，包括：
10.一種光刻掩模，包括：
【技術特征摘要】
1.一種修復光刻掩模的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，通過電子束誘導沉積局部地形成所述覆蓋補丁層。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，識別所述覆蓋層的所述受損區域的所述位置和所述尺寸包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一掩模檢查工具是掃描電子顯微鏡(sem)工具。
5.根據權利要求3所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：謝孆慧，許博銘，徐享乾，賴建宏，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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