【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請主要涉及光伏，尤其涉及一種單晶硅棒電阻的控制方法、單晶硅棒、硅片和太陽能電池。
技術(shù)介紹
1、硅片的電學(xué)性能參數(shù)是決定太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素之一，目前光伏行業(yè)主要通過電阻率的控制、雜質(zhì)含量的控制等手段提升硅片的電學(xué)性能參數(shù)，其中，電阻集中度是重要的電學(xué)性能參數(shù)之一。相較與常規(guī)摻磷單晶硅棒，單晶硅棒能夠大幅提升硅片的電阻集中度，但是銻的高揮發(fā)性增加了控制電阻的難度。因此，如何精確控制單晶硅棒電阻是本領(lǐng)域的熱點(diǎn)問題之一。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請要解決的技術(shù)問題是提供一種單晶硅棒電阻的控制方法、單晶硅棒、硅片和太陽能電池，該單晶硅棒電阻的控制方法能夠準(zhǔn)確計算磷母合金和銻的摻雜量，從而實(shí)現(xiàn)對單晶硅棒的電阻的精確控制，單晶硅棒和硅片具有優(yōu)異的電阻均勻性。
2、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N單晶硅棒電阻的控制方法，包括：獲取復(fù)投料中的磷濃度和銻濃度；獲取堝內(nèi)剩料中的磷濃度和銻濃度；根據(jù)所述復(fù)投料和所述堝內(nèi)剩料中的磷濃度計算所述復(fù)投料和所述堝內(nèi)剩料中的磷在當(dāng)前加料段滿鍋總重中的濃度占比（cr磷），根據(jù)所述復(fù)投料和所述堝內(nèi)剩料中的銻濃度計算所述復(fù)投料和所述堝內(nèi)剩料中的銻在當(dāng)前加料段滿鍋總重中的濃度占比（cr銻）；根據(jù)所述磷濃度占比計算磷需求濃度，根據(jù)所述銻濃度占比計算銻需求濃度；根據(jù)所述磷需求濃度、所述當(dāng)前加料段滿鍋總重和磷母合金濃度計算磷母合金的摻雜量，根據(jù)所述銻需求濃度和所述當(dāng)前加料段滿鍋總重計算銻摻雜量。
3、在本申請一實(shí)施例中，所述復(fù)投料中的磷濃
4、在本申請一實(shí)施例中，所述復(fù)投料中的銻濃度均為平均濃度，計算所述銻平均濃度的方法包括：將目標(biāo)電阻換算為單晶硅棒的頭部銻濃度（cs銻）；根據(jù)公式計算所述單晶硅棒的尾部銻濃度（ce銻），所述k銻表示銻的有效分凝系數(shù)，所述c0銻表示初始銻濃度，所述fs為0%~95%，所述h表示銻在熱場中的總傳質(zhì)系數(shù)；根據(jù)所述頭部銻濃度（cs銻）和所述尾部銻濃度（ce銻）計算所述銻平均濃度。
5、在本申請一實(shí)施例中，根據(jù)如下公式計算所述磷濃度占比（cr磷）：。
6、在本申請一實(shí)施例中，根據(jù)如下公式計算所述銻濃度占比（cr銻）：。
7、在本申請一實(shí)施例中，根據(jù)如下公式計算所述磷需求濃度：，其中，所述表示磷的有效分凝系數(shù)。
8、在本申請一實(shí)施例中，根據(jù)如下公式計算所述銻需求濃度：，其中，所述表示銻的有效分凝系數(shù)。
9、本申請另一方面還提出一種單晶硅棒，在拉制所述單晶硅棒的過程中，使用如前文任一項(xiàng)所述的方法控制單晶硅棒電阻，其中，所述單晶硅棒的軸向電阻變化率不大于13.6%，和/或，所述單晶硅棒的頭部的徑向電阻變化率不大于8%，所述單晶硅棒的中部的徑向電阻率不大于15%，所述單晶硅棒的尾部的徑向電阻變化率不大于10%，和/或，所述單晶硅棒的電阻命中率不小于80%。
10、本申請另一方面還提出一種硅片，所述硅片由如前文所述的單晶硅棒切割而成。
11、本申請另一方面還提出一種太陽能電池，所述太陽能電池的襯底由如前文所述的硅片加工而成。
12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請具有以下優(yōu)點(diǎn)：本申請的控制方法能夠準(zhǔn)確計算磷母合金和銻的摻雜量，從而實(shí)現(xiàn)單爐次多棒電阻的精確控制，與經(jīng)驗(yàn)式方法相比，本申請的控制方法能夠大幅提高單晶硅棒的電阻的均勻度。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種單晶硅棒電阻的控制方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述復(fù)投料中的磷濃度為平均濃度，計算磷平均濃度的方法包括：
3.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述復(fù)投料中的銻濃度均為平均濃度，計算所述銻平均濃度的方法包括：
4.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)如下公式計算所述磷濃度占比（Cr磷）：。
5.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)如下公式計算所述銻濃度占比（Cr銻）：。
6.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)如下公式計算所述磷需求濃度：，其中，所述表示磷的有效分凝系數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)如下公式計算所述銻需求濃度：，其中，所述表示銻的有效分凝系數(shù)。
8.一種單晶硅棒，其特征在于，在拉制所述單晶硅棒的過程中，使用如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的方法控制單晶硅棒電阻，其中，所述單晶硅棒的軸向電阻變化率不大于13.6%，和/或，所述單晶硅棒的頭部的徑向電阻變化率不大于8%，所述單晶硅棒的中部的
9.一種硅片，其特征在于，所述硅片由如權(quán)利要求8所述的單晶硅棒切割而成。
10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池的襯底由如權(quán)利要求9所述的硅片加工而成。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種單晶硅棒電阻的控制方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述復(fù)投料中的磷濃度為平均濃度，計算磷平均濃度的方法包括：
3.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述復(fù)投料中的銻濃度均為平均濃度，計算所述銻平均濃度的方法包括：
4.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)如下公式計算所述磷濃度占比（cr磷）：。
5.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)如下公式計算所述銻濃度占比（cr銻）：。
6.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，根據(jù)如下公式計算所述磷需求濃度：，其中，所述表示磷的有效分凝系數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬廣，馮濤，仝斌，
申請(專利權(quán))人：天合光能股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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