【技術實現步驟摘要】
本申請涉及芯片封裝，尤其涉及一種晶片(英文：die)的偏移量的確定方法、裝置、芯片及電子設備。
技術介紹
1、隨著半導體行業進入后摩爾時代，可以實現更高集成度的扇出型封裝(fan-outpackage，fop)封裝技術得到廣泛應用，其中，chip?first?fop因優異的成本優勢成為眾多芯片產品的封裝形式。然而，對于chip?first?fop封裝來說，隨著集成die的數量增多，晶片的偏移量(英文：die?shift)的問題越來越成為阻礙chip?first?fop封裝技術演進的關鍵瓶頸。如何測試fop?recon過程中die?shift，成為業界面臨的一個重要難點。
2、在現有技術中，提出了一種基于光學測量die?shift的方式，即在fop?recon處理后的晶圓(因為：recon?wafer)的上下左右以及中間位置進行抽樣檢測，用光學顯微鏡，并在該顯微鏡的視圖下對銅柱(英文：cu?stud)輪廓和聚酰亞胺開口(英文：pi?opening)輪廓進行距離分析，從而得到die?shift。
3、然而，現有技術中的測量方法需要人工的參與，所得到的die?shift不準確。
技術實現思路
1、本申請提供一種晶片的偏移量的確定方法、裝置及設備，用以解決現有技術中針對die?shift測試不準確的問題。
2、第一方面，本申請提供一種晶片的偏移量的確定方法，包括：
3、通過電性測試設備對多個第一鏈路進行通斷測試，確定所述多個第一鏈路的通斷狀態
4、根據各個第一鏈路的通斷狀態，確定所述晶片的偏移量。
5、在一種可能的實施方式中，在所述通過電性測試設備對多個第一鏈路進行通斷測試，確定所述多個第一鏈路的通斷狀態之前，所述方法還包括：
6、響應于設計操作，在所述晶片上選取多組不同的銅柱組，每個銅柱組分別包含所述第一銅柱與所述第二銅柱；
7、針對每個銅柱組，分別對所述第一銅柱對應的第一重布線層和所述第二銅柱對應的第二重布線層施加所述預設偏移量，每個銅柱組對應的預設偏移量不同。
8、在一種可能的實施方式中，所述根據各個第一鏈路的通斷狀態，確定所述晶片的偏移量，包括：
9、從各個第一鏈路的通斷狀態中確定出通斷狀態為不導通的第二鏈路；
10、根據所述第二鏈路對應的預設偏移量，確定所述晶片的偏移量。
11、在一種可能的實施方式中，所述根據所述第二鏈路對應的預設偏移量，確定所述晶片的偏移量，包括：
12、確定第一閾值與所述第二鏈路對應的預設偏移量之間的差值，所述第一閾值為同一銅柱與所述銅柱對應的重布線層之間不接觸的最小偏移量；
13、將所述差值中最大值確定為所述晶片的偏移量。
14、在一種可能的實施方式中，所述芯片包括：多個所述晶片；
15、相應的，所述方法還包括：
16、根據每個晶片的偏移量，確定偏移量圖譜，所述偏移量圖譜記載有整個晶圓上所有晶片的偏移量。
17、在一種可能的實施方式中，所述第一閾值的確定方式，包括：
18、根據晶片中的同一銅柱的第一直徑長度和所述銅柱對應的重布線層的第二直徑長度，確定所述第一閾值。
19、第二方面，本申請提供一種晶片的偏移量的確定裝置，包括：第一確定模塊和第二確定模塊；
20、所述第一確定模塊，用于通過電性測試設備對多個第一鏈路進行通斷測試，確定所述多個第一鏈路的通斷狀態，每個第一鏈路包括：晶片中的任一個第一銅柱，所述第一銅柱對應的第一重布線層、所述晶片中的第二銅柱、所述第二銅柱對應的第二重布線層、以及所述第一銅柱和所述第二銅柱之間的通路，所述第二銅柱為所述第一銅柱之外的另一個銅柱，每個第一鏈路中的第一重布線層和第二重布線層分別施加了預設偏移量，各個第一鏈路中的預設偏移量不同；
21、所述第二確定模塊，用于根據各個第一鏈路的通斷狀態，確定所述晶片的偏移量。
22、在一種可能的實施方式中，在所述通過電性測試設備對多個第一鏈路進行通斷測試，確定所述多個第一鏈路的通斷狀態之前，所述第一確定模塊，還用于：
23、響應于設計操作，在所述晶片上選取多組不同的銅柱組，每個銅柱組分別包含所述第一銅柱與所述第二銅柱；
24、針對每個銅柱組，分別對所述第一銅柱對應的第一重布線層和所述第二銅柱對應的第二重布線層施加所述預設偏移量，每個銅柱組對應的預設偏移量不同。
25、在一種可能的實施方式中，所述第二確定模塊，用于：
26、從各個第一鏈路的通斷狀態中確定出通斷狀態為不導通的第二鏈路；
27、根據所述第二鏈路對應的預設偏移量，確定所述晶片的偏移量。
28、在一種可能的實施方式中，所述第二確定模塊，根據所述第二鏈路對應的預設偏移量，確定所述晶片的偏移量，具體用于：
29、確定第一閾值與所述第二鏈路對應的預設偏移量之間的差值，所述第一閾值為同一銅柱與所述銅柱對應的重布線層之間不接觸的最小偏移量；
30、將所述差值中最大值確定為所述晶片的偏移量。
31、在一種可能的實施方式中，所述芯片包括：多個所述晶片；
32、相應的，所述第二確定模塊還用于：
33、根據每個晶片的偏移量，確定偏移量圖譜，所述偏移量圖譜記載有整個晶圓上所有晶片的偏移量。
34、在一種可能的實施方式中，所述第二確定模塊，在對第一閾值進行確定時，具體為：
35、根據晶片中的同一銅柱的第一直徑長度和所述銅柱對應的重布線層的第二直徑長度，確定所述第一閾值。
36、第三方面，本申請提供一種電子設備，包括：
37、至少一個處理器；以及
38、與所述至少一個處理器通信連接的存儲器；
39、其中，所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執行的指令，所述指令被所述至少一個處理器執行，以使所述電子設備執行上述第一方面涉及的各種可能的實施方式中的方法。
40、第四方面，本申請提供一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質中存儲有計算機執行指令，當處理器執行所述計算機執行指令時，實現如上述第一方面及各種可能的實施方式中涉及的方法。
41、第五方面，本申請提供一種計算機程序產品，包括計算機程序，該計算機程序被處理器執行時實現如上述第一方面涉及的各種可能的實施方式中的方法。
42、本申請提供的晶片的偏移量的確定方法、裝置及設備，該方法可以通過電性測試設備對多個第一鏈路進行通斷測本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種晶片的偏移量的確定方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述通過電性測試設備對多個第一鏈路進行通斷測試，確定所述多個第一鏈路的通斷狀態之前，所述方法還包括：
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根據各個第一鏈路的通斷狀態，確定所述晶片的偏移量，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據所述第二鏈路對應的預設偏移量，確定所述晶片的偏移量，包括：
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，芯片包括：多個所述晶片；
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一閾值的確定方式，包括：
7.一種晶片的偏移量的確定裝置，其特征在于，包括：第一確定模塊和第二確定模塊；
8.一種電子設備，其特征在于，包括：
9.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質中存儲有計算機執行指令，當處理器執行所述計算機執行指令時，實現如權利要求1-6任一項所述的方法。
10.一種計算機程序產品，包括計算機程序，其特
...【技術特征摘要】
1.一種晶片的偏移量的確定方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述通過電性測試設備對多個第一鏈路進行通斷測試，確定所述多個第一鏈路的通斷狀態之前，所述方法還包括：
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根據各個第一鏈路的通斷狀態，確定所述晶片的偏移量，包括：
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據所述第二鏈路對應的預設偏移量，確定所述晶片的偏移量，包括：
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，芯片包括：多個所述晶片；...
【專利技術屬性】
技術研發人員：韓蓓蓓，王帥，馬志強，徐波，張若林，郭健煒，黃成德，
申請(專利權)人：平頭哥上海半導體技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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