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    GaN幅相控制多功能芯片及相控陣系統(tǒng)技術(shù)方案

    技術(shù)編號(hào):44399763 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-02-25 10:13
    本發(fā)明專利技術(shù)提供一種GaN幅相控制多功能芯片及相控陣系統(tǒng),屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。該GaN幅相控制多功能芯片包括輸入端口、輸出端口、分布式電流復(fù)用放大器、移相器、第一隔直電容和第二隔直電容;分布式電流復(fù)用放大器包括第一開(kāi)關(guān)管、第二開(kāi)關(guān)管、第一柵壓提供電路、直流自偏電路、負(fù)反饋電路、第一扼流濾波電路、第二柵壓提供電路、第二扼流濾波電路和電壓源。本申請(qǐng)基于上述各個(gè)部件以及各個(gè)部件間的連接關(guān)系,使得GaN幅相控制多功能芯片中的推動(dòng)級(jí)放大器采用分布式電流復(fù)用結(jié)構(gòu),進(jìn)而可以使推動(dòng)級(jí)放大器的功耗減小,提高GaN幅相控制多功能芯片的效率,使得GaN幅相控制多功能芯片在小尺寸和高功率的情況下,實(shí)現(xiàn)高效率。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及微電子,尤其涉及一種gan幅相控制多功能芯片及相控陣系統(tǒng)。


    技術(shù)介紹

    1、隨著相控陣系統(tǒng)在通信、探測(cè)等方面的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,幅相控制多功能芯片做為其核心器件,在小型化和高功率的需求上也越來(lái)越迫切。近年來(lái),由于gan?hemt器件的高擊穿、高功率和高效率的特點(diǎn),基于gan?hemt幅相類(lèi)芯片也備受關(guān)注。

    2、然而,由于gan芯片的漏電一般為+15v以上的高壓,導(dǎo)致gan幅相控制多功能芯片在小功率推動(dòng)級(jí)放大器上的功耗較大,進(jìn)而整體的效率較低。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種gan幅相控制多功能芯片及相控陣系統(tǒng),以解決現(xiàn)有技術(shù)中推動(dòng)級(jí)放大器的功耗較大,導(dǎo)致gan幅相控制多功能芯片的效率較低的問(wèn)題。

    2、第一方面,本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種gan幅相控制多功能芯片,包括輸入端口、輸出端口、分布式電流復(fù)用放大器、移相器、第一隔直電容和第二隔直電容;

    3、分布式電流復(fù)用放大器包括第一開(kāi)關(guān)管、第二開(kāi)關(guān)管、第一柵壓提供電路、直流自偏電路、負(fù)反饋電路、第一扼流濾波電路、第二柵壓提供電路、第二扼流濾波電路和電壓源;

    4、第一柵壓提供電路的第一端連接輸入端口,第一柵壓提供電路的第二端連接第一開(kāi)關(guān)管的控制端和負(fù)反饋電路的第一端;第一開(kāi)關(guān)管的第一端連接負(fù)反饋電路的第二端,第一開(kāi)關(guān)管的第二端連接直流自偏電路的第一端;負(fù)反饋電路的第三端連接第一隔直電容的第一端和第一扼流濾波電路的第一端;第一隔直電容的第二端連接移相器的第一端,移相器的第二端連接第二隔直電容的第一端,第二隔直電容的第二端連接第二柵壓提供電路的第一端和第二開(kāi)關(guān)管的控制端;第二開(kāi)關(guān)管的第一端連接第二扼流濾波電路的第一端,第二開(kāi)關(guān)管的第二端連接第一扼流濾波電路的第二端;第二柵壓提供電路的第二端與第二扼流濾波電路的第二端均連接電壓源的正極;第二扼流濾波電路的第三端連接輸出端口。

    5、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,第一柵壓提供電路包括第一電感、第二電感和第一電阻;

    6、第一電感的第一端作為第一柵壓提供電路的第一端,第一電感的第二端連接第二電感的第一端,第一電感的第二端還作為第一柵壓提供電路的第二端;第二電感的第二端連接第一電阻的第一端,第一電阻的第二端接地。

    7、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,直流自偏電路包括第一微帶線、第二電容和第三電阻;

    8、第一微帶線的第一端作為直流自偏電路的第一端,第一微帶線的第二端連接第二電容的第一端和第三電阻的第一端,第二電容的第二端和第三電阻的第二端均接地。

    9、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,負(fù)反饋電路包括第三電感、第三電容和第二電阻;

    10、第二電阻的第一端作為負(fù)反饋電路的第一端,第二電阻的第二端連接第三電容的第一端,第三電容的第二端作為負(fù)反饋電路的第三端;第三電感的第一端作為負(fù)反饋電路的第二端,第三電感的第二端連接第三電容的第二端。

    11、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,第一扼流濾波電路包括第二微帶線、第三微帶線、第四電阻和第五電容;

    12、第三微帶線的第一端作為第一扼流濾波電路的第一端,第三微帶線的第二端連接第四電阻的第一端;第二微帶線的第一端作為第一扼流濾波電路的第二端,第二微帶線的第二端連接第四電阻的第二端和第五電容的第一端,第五電容的第二端接地。

    13、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,第二柵壓提供電路包括第五電阻、第六電阻和第七電阻;

    14、第五電阻的第一端接地,第五電阻的第二端連接第六電阻的第一端和第七電阻的第一端,第七電阻的第二端作為第二柵壓提供電路的第一端,第六電阻的第二端作為第二柵壓提供電路的第二端。

    15、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,第二扼流濾波電路包括第五電感、第六電感和第七電容;

    16、第五電感的第一端作為第二扼流濾波電路的第一端,第五電感的第二端作為第二扼流濾波電路的第三端,第五電感的第二端還連接第六電感的第一端,第六電感的第二端作為第二扼流濾波電路的第二端,第六電感的第二端還連接第七電容的第一端,第七電容的第二端接地。

    17、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,分布式電流復(fù)用放大器還包括第一電容和第六電容;

    18、第一柵壓提供電路的第一端通過(guò)第一電容連接輸入端口;

    19、第二扼流濾波電路的第三端通過(guò)第六電容連接輸出端口。

    20、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,gan幅相控制多功能芯片還包括衰減器和功率放大器;

    21、第二扼流濾波電路的第三端依次通過(guò)衰減器和功率放大器連接輸出端口。

    22、第二方面,本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種相控陣系統(tǒng),包括第一方面或第一方面中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的gan幅相控制多功能芯片。

    23、本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種gan幅相控制多功能芯片及相控陣系統(tǒng),該gan幅相控制多功能芯片包括分布式電流復(fù)用放大器、移相器、第一隔直電容和第二隔直電容,分布式電流復(fù)用放大器包括第一開(kāi)關(guān)管、第二開(kāi)關(guān)管、第一柵壓提供電路、直流自偏電路、負(fù)反饋電路、第一扼流濾波電路、第二柵壓提供電路、第二扼流濾波電路和電壓源,基于上述各個(gè)部件以及各個(gè)部件間的連接關(guān)系,使得gan幅相控制多功能芯片中的推動(dòng)級(jí)放大器采用分布式電流復(fù)用結(jié)構(gòu),進(jìn)而可以使推動(dòng)級(jí)放大器的功耗減小,提高gan幅相控制多功能芯片的效率,使得gan幅相控制多功能芯片在小尺寸和高功率的情況下,實(shí)現(xiàn)高效率。

    本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,包括輸入端口、輸出端口、分布式電流復(fù)用放大器、移相器、第一隔直電容和第二隔直電容;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述第一柵壓提供電路包括第一電感、第二電感和第一電阻;

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述直流自偏電路包括第一微帶線、第二電容和第三電阻;

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述負(fù)反饋電路包括第三電感、第三電容和第二電阻;

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述第一扼流濾波電路包括第二微帶線、第三微帶線、第四電阻和第五電容;

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述第二柵壓提供電路包括第五電阻、第六電阻和第七電阻;

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述第二扼流濾波電路包括第五電感、第六電感和第七電容;

    8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述分布式電流復(fù)用放大器還包括第一電容和第六電容;

    9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的GaN幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述GaN幅相控制多功能芯片還包括衰減器和功率放大器;

    10.一種相控陣系統(tǒng),其特征在于,包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的GaN幅相控制多功能芯片。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種gan幅相控制多功能芯片,其特征在于,包括輸入端口、輸出端口、分布式電流復(fù)用放大器、移相器、第一隔直電容和第二隔直電容;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的gan幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述第一柵壓提供電路包括第一電感、第二電感和第一電阻;

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的gan幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述直流自偏電路包括第一微帶線、第二電容和第三電阻;

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的gan幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述負(fù)反饋電路包括第三電感、第三電容和第二電阻;

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的gan幅相控制多功能芯片,其特征在于,所述第一扼流濾波電路包括第二微帶線、第三微帶線、第四電阻和第五...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:馬瑞許春良劉帥李遠(yuǎn)鵬劉志軍李富強(qiáng)張濱王丹陽(yáng)劉衛(wèi)乾
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
    類(lèi)型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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