【技術實現步驟摘要】
本申請的實施例涉及形成半導體器件的方法。
技術介紹
1、半導體器件用于各種電子應用中，諸如例如，個人計算機、手機、數碼相機和其它電子設備。半導體器件通常通過在半導體襯底上方依次沉積絕緣層或介電層、導電層和半導體材料層以及使用光刻圖案化各個材料層以在其上形成電路組件和元件來制造。
2、半導體工業通過不斷減小最小部件尺寸來不斷改進各個電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的組件集成至給定區中。然而，隨著最小部件尺寸減小，出現了應該解決的額外問題。
技術實現思路
1、本申請的一些實施例提供了一種形成半導體器件的方法，包括：在第一襯底上方形成第一剝離結構，其中，形成所述第一剝離結構包括：在所述第一襯底上方沉積第一剝離層；在所述第一剝離層上方沉積第一硅層；在所述第一硅層上方沉積第二剝離層；以及在所述第二剝離層上方沉積第二硅層；在所述第一剝離結構上方外延生長第一多層堆疊件；將所述第一多層堆疊件接合至第二多層堆疊件；以及實施第一激光退火工藝以燒蝕所述第一硅層以及所述第一剝離層和所述第二剝離層的部分，以將所述第一襯底從所述第一多層堆疊件剝離。
2、本申請的另一些實施例提供了一種形成半導體器件的方法，包括：在第一襯底上方沉積第一剝離層；在所述第一剝離層上方沉積第一硅層；在所述第一硅層上方沉積第二剝離層；在所述第二剝離層上方沉積第二硅層；在所述第二硅層上方外延生長第一半導體層和第二半導體層；在所述第二襯底上方外延生長第三半導體層和第四半導體層；
3、本申請的又一些實施例提供了一種形成半導體器件的方法，包括：在第一襯底上方形成第一剝離結構，其中，所述第一剝離結構包括共振腔，并且其中，所述第一剝離結構包括：第一剝離層；第一半導體層，位于所述第一剝離層上方；以及第二剝離層，位于所述第一半導體層上方；在所述第一剝離結構上方外延生長第一多層堆疊件；將所述第一多層堆疊件接合至第二多層堆疊件；以及使用具有與所述共振腔的共振頻率相匹配的波長的激光束實施第一激光退火工藝，以燒蝕所述第一半導體層以及所述第一剝離層和所述第二剝離層的部分，并且其中，實施所述第一激光退火工藝使得所述第一襯底從所述第一多層堆疊件剝離。
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1.一種形成半導體器件的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，還包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其中，實施所述第一激光退火工藝包括在所述第一襯底的頂面上方掃描由激光器發射的激光束，其中，所述激光器在具有在從500至2500nm范圍內的波長的紅外區域中操作。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，在實施所述第一激光退火工藝期間，所述激光束具有在從500mW至5000mW范圍內的功率輸出。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，在所述第一硅層、所述第一剝離層和所述第二剝離層的組合中形成共振腔，并且其中，在實施所述第一激光退火工藝期間，所述激光與所述共振腔相互作用。
7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一剝離層和所述第二剝離層的每個的厚度在從1nm至10nm范圍內。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一硅層的厚度在從5nm至200nm范圍內。
9.一種形成半導體器件的方法，包括：
10.一種形成半導體器件的方法，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種形成半導體器件的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，還包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其中，實施所述第一激光退火工藝包括在所述第一襯底的頂面上方掃描由激光器發射的激光束，其中，所述激光器在具有在從500至2500nm范圍內的波長的紅外區域中操作。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，在實施所述第一激光退火工藝期間，所述激光束具有在從500mw至5000mw范圍內的功率輸出。
【專利技術屬性】
技術研發人員：石哲齊，劉俊佑，許濬凡，楊固峰，廖思雅，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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