【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電子，特別是涉及一種限流保護電路、低壓差線性穩壓電路和射頻模組。
技術介紹
1、ldo(low?dropout?regulator)電路，或稱低壓差線性穩壓器，通常利用輸出晶體管以輸出穩定電壓，其中的輸出晶體管是一種大功率負載器件，具有有限的電流容量。所以，當ldo電路的負載電流過大或輸出短路時，流過輸出晶體管的電流過大，容易發生雪崩擊穿和器件燒毀。
2、因此，為了防止這種情況發生，設計限流保護電路以限制ldo電路的輸出電流，從而避免流過輸出晶體管的電流過大，是至關重要的。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請實施例為解決
技術介紹
中存在的至少一個問題而提供一種限流保護電路、低壓差線性穩壓電路和射頻模組。
2、第一方面，本申請實施例提供一種限流保護電路，所述限流保護電路包括：
3、開關檢測模塊，配置為在低壓差線性穩壓電路的輸出電壓的控制下，導通或斷開電流檢測路徑，以打開或關閉檢測電壓的輸出；其中，所述電流檢測路徑用于利用檢測晶體管按預設比例對所述低壓差線性穩壓電路的輸出晶體管中流過的電流進行復制以得到檢測電流，并根據所述檢測電流確定得到所述檢測電壓；
4、限流控制模塊，配置為在獲取到所述檢測電壓并且所述檢測電壓高于第三參考電壓的情形下，輸出限流控制信號至所述輸出晶體管的控制端，以使所述低壓差線性穩壓電路進入關閉狀態；并在沒有獲取到所述檢測電壓的情形下，關閉所述限流控制信號的輸出，以使所述低壓差線性穩壓電路恢復至正常工作狀態；p>
5、其中，所述限流保護電路作為所述低壓差線性穩壓電路的外圍電路。
6、結合第一方面，在一可選實施方式中，所述開關檢測模塊配置為在所述輸出電壓低于第一閾值電壓的情形下，受所述輸出電壓的控制以導通所述電流檢測路徑，使得打開所述檢測電壓的輸出；
7、在所述輸出電壓高于第二閾值電壓的情形下，受所述輸出電壓的控制以斷開所述電流檢測路徑，使得關閉所述檢測電壓的輸出；
8、其中，所述第一閾值電壓小于所述第二閾值電壓。
9、結合第一方面，在一可選實施方式中，所述開關檢測模塊包括遲滯比較器、第二開關晶體管、檢測晶體管和檢測電阻；
10、遲滯比較器的第一輸入端配置為獲取所述輸出電壓，遲滯比較器的第二輸入端配置為獲取第二參考電壓，遲滯比較器的輸出端與第二開關晶體管的控制端連接；
11、檢測晶體管的控制端與所述輸出晶體管的控制端連接；檢測晶體管的第一信號端與第一電源端連接，檢測晶體管的第二信號端與第二開關晶體管的第二信號端連接；第二開關晶體管的第一信號端與檢測電阻的第一端連接并配置為提供所述檢測電壓；檢測電阻的第二端與第二電源端連接；
12、其中，連接在第一電源端和第二電源端之間的第二開關晶體管、檢測晶體管和檢測電阻構成所述電流檢測路徑；
13、所述第一閾值電壓小于所述第二參考電壓，所述第二閾值電壓大于所述第二參考電壓。
14、結合第一方面，在一可選實施方式中，所述限流控制模塊包括：
15、比較器，配置為在所述檢測電壓高于所述第三參考電壓的情形下輸出第一電平的第一開關控制信號；在所述檢測電壓低于所述第三參考電壓的情形下輸出第二電平的第一開關控制信號；
16、第一開關晶體管，配置為在第一電平的第一開關控制信號的控制下導通，以輸出所述限流控制信號；并在第二電平的第一開關控制信號的控制下斷開，以關閉所述限流控制信號的輸出。
17、結合第一方面，在一可選實施方式中，所述輸出晶體管為pmos晶體管；所述檢測晶體管為pmos晶體管；所述第一開關晶體管為pmos晶體管；所述第二開關晶體管為nmos晶體管；
18、遲滯比較器的負輸入端配置為獲取所述輸出電壓，遲滯比較器的正輸入端配置為獲取所述第二參考電壓，遲滯比較器的輸出端與第二開關晶體管的柵極連接；第二開關晶體管的源極分別與檢測電阻的第一端和比較器的負輸入端連接，第二開關晶體管的漏極與檢測晶體管的漏極連接；檢測電阻的第二端與第二電源端連接；檢測晶體管的源極與第一電源端連接，檢測晶體管的柵極與輸出晶體管的柵極連接；
19、比較器的正輸入端配置為獲取所述第三參考電壓，比較器的輸出端與第一開關晶體管的控制端連接；第一開關晶體管的源極與第一電源端連接；第一開關晶體管的漏極與輸出晶體管的柵極連接，用于傳輸所述限流控制信號。
20、結合第一方面，在一可選實施方式中，所述限流保護電路還包括數字濾波模塊；
21、所述數字濾波模塊的輸入端與所述低壓差線性穩壓電路的輸出端連接，所述數字濾波模塊的輸出端配置為輸出所述低壓差線性穩壓電路的輸出電壓；
22、所述數字濾波模塊配置為在預設時間內多次采樣所述低壓差線性穩壓電路的輸出端處的電壓值，并根據所有所述電壓值確定并輸出所述低壓差線性穩壓電路的輸出電壓；
23、其中，在所有所述電壓值均低于第一閾值電壓的情形下，所述輸出電壓低于所述第一閾值電壓；
24、在所有所述電壓值中的任意一個高于所述第一閾值電壓的情形下，所述輸出電壓高于所述第一閾值電壓。
25、結合第一方面，在一可選實施方式中，所述遲滯比較器包括第二十nmos晶體管、第二十一nmos晶體管、第二十二pmos晶體管、第二十三nmos晶體管、第二十四pmos晶體管、第二十五pmos晶體管、第二十六pmos晶體管、第二十七pmos晶體管、第二十八nmos晶體管、第二十九pmos晶體管、第三十nmos晶體管、第三十一pmos晶體管、第三十二nmos晶體管、第三十三pmos晶體管和第三十四nmos晶體管；
26、第二十nmos晶體管的柵極配置為所述遲滯比較器的第一輸入端；第二十一nmos晶體管的柵極配置為所述遲滯比較器的第二輸入端；
27、第二十nmos晶體管的漏極分別與第二十二pmos晶體管的柵極、第二十四pmos晶體管的漏極、第二十四pmos晶體管的柵極、第二十五pmos晶體管的柵極和第二十六pmos晶體管的漏極連接，第二十一nmos晶體管的漏極分別與第二十九pmos晶體管的柵極、第二十七pmos晶體管的漏極、第二十七pmos晶體管的柵極、第二十六pmos晶體管的柵極和第二十五pmos晶體管的漏極連接；第二十nmos晶體管的源極和第二十一nmos晶體管的源極分別與第二十八nmos晶體管的漏極連接，第二十八nmos晶體管的源極與第二電源端連接，第二十八nmos晶體管的柵極配置為獲取第一低位偏置信號；
28、第二十四pmos晶體管的源極、第二十五pmos晶體管的源極、第二十六pmos晶體管的源極和第二十七pmos晶體管的源極分別與第一電源端連接；
29、第二十二pmos晶體管的源極和第二十九pmos晶體管的源極分別與第一電源端連接，第二十二pmos晶體管的漏極分別與第二十三nmos晶體管的漏極、第二十三nmos晶體管的柵極和第三十nmos晶體管的柵極連接，第二本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種限流保護電路，其特征在于，所述限流保護電路包括：
2.根據權利要求1所述的限流保護電路，其特征在于，所述開關檢測模塊配置為在所述輸出電壓低于第一閾值電壓的情形下，受所述輸出電壓的控制以導通所述電流檢測路徑，使得打開所述檢測電壓的輸出；
3.根據權利要求2所述的限流保護電路，其特征在于，所述開關檢測模塊包括遲滯比較器、第二開關晶體管、檢測晶體管和檢測電阻；
4.根據權利要求3所述的限流保護電路，其特征在于，所述限流控制模塊包括：
5.根據權利要求4所述的限流保護電路，其特征在于，所述輸出晶體管為PMOS晶體管；所述檢測晶體管為PMOS晶體管；所述第一開關晶體管為PMOS晶體管；所述第二開關晶體管為NMOS晶體管；
6.根據權利要求1-5任一項所述的限流保護電路，其特征在于，所述限流保護電路還包括數字濾波模塊；
7.根據權利要求6所述的限流保護電路，其特征在于，所述遲滯比較器包括第二十NMOS晶體管、第二十一NMOS晶體管、第二十二PMOS晶體管、第二十三NMOS晶體管、第二十四PMOS晶體管、第二十五P
8.根據權利要求7所述的限流保護電路，其特征在于，所述比較器包括第十二NMOS晶體管、第十三NMOS晶體管、第十四NMOS晶體管、第十五PMOS晶體管、第十六PMOS晶體管、第十七NMOS晶體管和第十八PMOS晶體管；
9.一種低壓差線性穩壓電路，其特征在于，所述低壓差線性穩壓電路包括誤差放大器、輸出晶體管、反饋電路和如權利要求1-8任一項所述的限流保護電路；
10.根據權利要求9所述的低壓差線性穩壓電路，其特征在于，所述誤差放大器包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管、第五NMOS晶體管、第六NMOS晶體管、第七NMOS晶體管、第八NMOS晶體管、第九PMOS晶體管、第十PMOS晶體管、第十一PMOS晶體管和補償電容；
11.一種射頻模組，其特征在于，所述射頻模組包括如權利要求9或10所述的低壓差線性穩壓電路。
...【技術特征摘要】
1.一種限流保護電路，其特征在于，所述限流保護電路包括：
2.根據權利要求1所述的限流保護電路，其特征在于，所述開關檢測模塊配置為在所述輸出電壓低于第一閾值電壓的情形下，受所述輸出電壓的控制以導通所述電流檢測路徑，使得打開所述檢測電壓的輸出；
3.根據權利要求2所述的限流保護電路，其特征在于，所述開關檢測模塊包括遲滯比較器、第二開關晶體管、檢測晶體管和檢測電阻；
4.根據權利要求3所述的限流保護電路，其特征在于，所述限流控制模塊包括：
5.根據權利要求4所述的限流保護電路，其特征在于，所述輸出晶體管為pmos晶體管；所述檢測晶體管為pmos晶體管；所述第一開關晶體管為pmos晶體管；所述第二開關晶體管為nmos晶體管；
6.根據權利要求1-5任一項所述的限流保護電路，其特征在于，所述限流保護電路還包括數字濾波模塊；
7.根據權利要求6所述的限流保護電路，其特征在于，所述遲滯比較器包括第二十nmos晶體管、第二十一nmos晶體管、第二十二pmos晶體管、第二十三nmos晶體管、第二十四pmos晶體管、第二十五pmos晶體管、第二十六pm...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉德昌，賴志國，楊清華，
申請(專利權)人：蘇州漢天下電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。