【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法。
技術介紹
1、作為功率半導體器件主體之一的功率mosfet則被廣泛應用于通訊、計算機、汽車和消費電子領域，并且是分立器件和智能功率集成電路中的重要組成部分。
2、功率mos溝槽柵產品高密度等離子體化學氣相沉積柵極間介質層工藝，包括：
3、步驟一、提供襯底101，在襯底101上依次形成氧化層103和刻蝕停止層104，在刻蝕停止層104及其下方的第一氧化層103、襯底101上形成深溝槽102；
4、步驟二、在深溝槽102上形成第一柵極介電層105，之后利用淀積、回刻蝕的方法形成形成于深溝槽102底部的源極多晶硅層106，形成如圖1所示的結構；
5、步驟三、利用高密度等離子體化學氣相沉積依次形成填充剩余深溝槽102的隔離介質層107，形成如圖2所示的結構；步驟四、研磨隔離介質層107至刻蝕停止層104上，形成如圖3所示的結構，去除刻蝕停止層104，刻蝕隔離介質層107和第一柵極介電層105，形成平坦的柵極間介質層頂部界面，柵極間介質層與深溝槽側壁夾角接近于90°，形成如圖4所示的結構，氧化層103在此過程中被刻蝕去除；
6、步驟五、利用熱氧化的方法在剩余的深溝槽102中形成第二柵極介電層109，形成如圖5所示的結構，柵極間介質層與深溝槽側壁拐角處由于與空氣接觸面積小，由熱氧化形成的第二柵極介電層109厚度遠小于正常區域，且角度接近直角，漏電較大。
7、為解決上述問題，需要提出一種新型的改善溝
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，用于解決現有技術中溝槽柵產品源極、柵極漏電較大的問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，包括：
3、步驟一、提供襯底，在所述襯底上依次形成氧化層和刻蝕停止層，在所述刻蝕停止層及其下方的所述第一氧化層、所述襯底上形成深溝槽；
4、步驟二、在所述深溝槽上形成第一柵極介電層，之后利用淀積、回刻蝕的方法形成形成于所述深溝槽底部的源極多晶硅層；
5、步驟三、依次形成填充剩余所述深溝槽的第一、二隔離介質層，所述第一隔離介質層不填滿所述深溝槽，第二隔離介質層相對于所述第一隔離介質層的刻蝕速率較快；
6、步驟四、研磨所述第一、二隔離介質層至所述刻蝕停止層上，去除所述刻蝕停止層，刻蝕所述第一、二隔離介質層和所述第一柵極介電層，形成源極多晶硅和柵極多晶硅之間的介電層；
7、步驟五、利用熱氧化的方法在剩余的所述深溝槽中形成第二柵極介電層，形成填充剩余所述深溝槽的柵極多晶硅層。
8、優選地，步驟一中的所述刻蝕停止層的材料為氮化硅。
9、優選地，步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
10、優選地，步驟二中的所述第一柵極介電層為熱氧化形成的氧化層。
11、優選地，步驟三中的所述第一隔離介質層為高密度等離子體化學氣相沉積形成的氧化物。
12、優選地，步驟三中的所述第二隔離介質層為化學氣相沉積形成的氧化物。
13、優選地，步驟四中的所述研磨的方法為化學機械平坦化研磨。
14、優選地，步驟五中利用淀積、回刻蝕的方法形成所述柵極多晶硅層。
15、如上所述，本專利技術的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，具有以下有益效果：
16、本專利技術由于存在弧形的柵極間介質層頂部界面，能夠在夾角處形成更厚的介電層，改善此處柵、源漏電，之后形成填充剩余深溝槽的柵極多晶硅層，柵極多晶硅層在弧形的柵極間介質層頂部界面的夾角更大，尖端放電減弱，改善此處柵、源漏電。
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1.一種改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟一中的所述刻蝕停止層的材料為氮化硅。
3.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
4.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一柵極介電層為熱氧化形成的氧化層。
5.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟三中的所述第一隔離介質層為高密度等離子體化學氣相沉積形成的氧化物。
6.根據權利要求5所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟三中的所述第二隔離介質層為化學氣相沉積形成的氧化物。
7.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟四中的所述研磨的方法為化學機械平坦化研磨。
8.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟五中利用淀積、回
...【技術特征摘要】
1.一種改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟一中的所述刻蝕停止層的材料為氮化硅。
3.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
4.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極、柵極漏電的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一柵極介電層為熱氧化形成的氧化層。
5.根據權利要求1所述的改善溝槽柵產品源極...
【專利技術屬性】
技術研發人員：時彬彬，蔡晨，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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