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    一種三維多孔陣列碳電極及其制備方法和應用技術

    技術編號:44400203 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-25 10:14
    本發明專利技術屬于電催化技術領域,具體公開了一種三維多孔陣列碳電極,包括微米孔和納米孔組成的多尺度孔隙結構,其比表面積不低于200?m<supgt;2</supgt;?g<supgt;?1</supgt;,孔面積不低于50?m<supgt;2</supgt;?g<supgt;?1</supgt;。公開了該三維多孔陣列碳電極的制備方法以及其在電解水制氫中的應用。本發明專利技術的三維多孔陣列碳電極具有大的孔面積、高的表面粗糙度、超親水疏氣性和多孔陣列通道,解決了傳統泡沫鎳電極和漿料澆鑄電極在工業應用時的缺點,可以實現大規模、低能耗和高穩定的工業級制氫過程。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電催化,尤其涉及一種三維多孔陣列碳電極及其制備方法和應用


    技術介紹

    1、電催化產氣反應在電化學能量轉換過程中具有重要作用,其中,電解水被認為是一種可持續的綠氫生產技術,由兩種產氣反應組成,包括陰極的析氫反應(her)和陽極的析氧反應(oer)。近年來,采用熱力學上更有利的陽極氧化反應,例如尿素氧化反應(uor),可以提高能源轉換效率。在大電流密度(>500?ma?cm?2)下運行,這些產氣反應對于電解水技術的工業應用至關重要,可以減少資本投入。然而,大電流密度操作需要高電子傳輸速率、反應物的快速供應/消耗以及產物的產生/去除,這就需要多維度設計高性能催化電極。

    2、到目前為止,大多數報道的催化劑都是以粉末形式制備的,它們通常以添加聚合物粘結劑的漿料形式滴注于玻碳電極表面進行性能評估,這在大電流密度下不可避免地會導致活性位點被掩埋,電子/物質傳輸受阻,催化劑脫落等問題。為了解決這些問題,發展了高表面積和低成本的泡沫鎳(nf)自支撐電極。然而,nf電極仍然存在技術缺陷:nf過大的孔徑和高孔隙率使其存在大量的空隙無法負載催化物質,因此限制了活性位點面密度;nf中無序和隨機的孔分布可能會捕獲反應中產生的氣泡,從而阻礙其從電極表面及時釋放,進而加重了大電流密度下氣泡對催化性能的負面影響。以上這些缺陷是導致催化性能受限的根本原因。

    3、因此,迫切需要一種具有更理想的多孔結構和更高化學穩定性的自支撐電極來克服傳統多孔金屬電極的局限性,實現更優異的催化性能,從而擴展自支撐電極在不同條件下的適用性。</p>

    技術實現思路

    1、本專利技術要解決的技術問題是克服現有技術的不足,提供一種三維多孔陣列碳電極及其制備方法和應用。

    2、為解決上述技術問題,本專利技術提出的技術方案為:

    3、一種三維多孔陣列碳電極,所述三維多孔陣列碳電極包括微米孔和納米孔組成的多尺度孔隙結構,其比表面積不低于200?m2g?1,孔面積不低于50?m2g?1。

    4、上述的三維多孔陣列碳電極,優選的,所述三維多孔陣列碳電極的水滴接觸角不高于10°,氣泡接觸角不低于160°。

    5、上述的三維多孔陣列碳電極,優選的,所述三維多孔陣列碳電極的粗糙度不低于2800。

    6、上述的三維多孔陣列碳電極,優選的,所述三維多孔陣列碳電極在尿素氧化反應中只需1.360?v的低電位提供1000?ma?cm?2的大電流密度。

    7、作為一個總的專利技術構思,本專利技術還提供一種三維多孔陣列碳電極的制備方法,包括以下步驟:

    8、(1)將gonr溶液進行超聲處理,然后轉移至高壓反應釜中進行水熱自組裝反應,得到水凝膠;

    9、(2)將所述水凝膠切成薄片,放置在用液氮預冷的銅塊上進行冰模板處理,再冷凍干燥,最后進行退火處理,得到三維陣列碳膜電極基底;

    10、(3)采用電沉積的方法在所述三維陣列碳膜電極基底上沉積活性物質,得到所述三維多孔陣列碳電極。

    11、上述的制備方法,優選的,步驟(3)中,所述活性物質為ni(oh)2、ru或nife(oh)x(x取值為2-3)中的至少一種。

    12、上述的制備方法,優選的,步驟(3)中,所述電沉積采用標準的三電極體系,三維陣列碳膜電極基底、ag/agcl電極和石墨棒分別作為工作電極、參比電極和對電極,在電解液中,于?0.4?v?~?1.2?v?vs.?ag/agcl恒電位下電沉積5-15?min后洗滌得到三維多孔陣列碳電極。

    13、上述的制備方法,優選的,步驟(2)中,所述冷凍干燥的溫度為-40~-60?℃,時間為1-8?h;

    14、所述退火處理在惰性氣氛中進行,所述退火的溫度為700-900?℃,退火的時間為0.5-2?h。

    15、上述的制備方法,優選的,步驟(1)中,水熱自組裝反應的溫度為120-180?℃,時間為6-12?h。

    16、作為一個總的專利技術構思,本專利技術還提供一種上述的三維多孔陣列碳電極或者由上述的制備方法制備獲得的三維多孔陣列碳電極在電解水制氫中的應用。

    17、與現有技術相比,本專利技術的優點在于:

    18、(1)本專利技術的三維多孔陣列碳電極具有由豐富的微米孔和納米孔組成的多尺度孔隙結構,使其具有高表面積,允許大量活性物質的負載,從而產生高的活性位點密度。

    19、(2)本專利技術的三維多孔陣列碳電極具有高的表面粗糙度,具有超疏氣性,能夠及時去除工業級大電流下產生的大量氣泡,保證反應高效運行。

    20、(3)本專利技術的三維多孔陣列碳電極中的大量多孔陣列通道可以為離子、氣體和電子的傳輸提供有利的路徑,在工業級大電流下表現出優異的傳質能力,從而實現低能耗和高穩定的高效制氫。

    21、(4)本專利技術的三維多孔陣列碳電極通過電沉積法得到的低結晶度活性物質具有高本征活性的催化位點。

    22、總之,通過本專利技術的制備方法制備的三維多孔陣列碳電極具有大的孔面積、高的表面粗糙度、超親水疏氣性和多孔陣列通道,解決了傳統泡沫鎳電極和漿料澆鑄電極在工業應用時的缺點,可以實現大規模、低能耗和高穩定的工業級制氫過程。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極包括微米孔和納米孔組成的多尺度孔隙結構,其比表面積不低于200?m2?g?1,孔面積不低于50?m2?g?1。

    2.如權利要求1所述的三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極的水滴接觸角不高于10°,氣泡接觸角不低于160°。

    3.如權利要求1所述的三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極的粗糙度不低于2800。

    4.如權利要求1所述的三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極在尿素氧化反應中在1.360?V的低電位下可提供1000?mA?cm?2的大電流密度。

    5.一種三維多孔陣列碳電極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    6.如權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,所述活性物質為Ni(OH)2、Ru或NiFe(OH)x中的至少一種。

    7.如權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,所述電沉積采用標準的三電極體系,三維陣列碳膜電極基底、Ag/AgCl電極和石墨棒分別作為工作電極、參比電極和對電極,在電解液中,于?0.4?V?~?1.2?V?vs.?Ag/AgCl恒電位下電沉積5-15?min后洗滌得到三維多孔陣列碳電極。

    8.如權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,所述冷凍干燥的溫度為-40~-60?℃,時間為1-8?h;

    9.如權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,水熱自組裝反應的溫度為120-180?℃,時間為6-12?h。

    10.一種如權利要求1~4中任一項所述的三維多孔陣列碳電極或者由權利要求5~9中任一項所述的制備方法制備獲得的三維多孔陣列碳電極在電解水制氫中的應用。

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    【技術特征摘要】

    1.一種三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極包括微米孔和納米孔組成的多尺度孔隙結構,其比表面積不低于200?m2?g?1,孔面積不低于50?m2?g?1。

    2.如權利要求1所述的三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極的水滴接觸角不高于10°,氣泡接觸角不低于160°。

    3.如權利要求1所述的三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極的粗糙度不低于2800。

    4.如權利要求1所述的三維多孔陣列碳電極,其特征在于,所述三維多孔陣列碳電極在尿素氧化反應中在1.360?v的低電位下可提供1000?ma?cm?2的大電流密度。

    5.一種三維多孔陣列碳電極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    6.如權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,所述活性物質為ni(oh)2...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:費慧龍葉龔蘭龔智超
    申請(專利權)人:湖南大學
    類型:發明
    國別省市:

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