【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于led領(lǐng)域，具體涉及一種埋入式csp?led器件及制作方法。
技術(shù)介紹
1、csp?led相較于普通led，在多個(gè)方面展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。首先，csp?led封裝技術(shù)通過提高led芯片占整個(gè)封裝面積的比例，大幅減少了材料浪費(fèi)，并簡(jiǎn)化了物料成本結(jié)構(gòu)，從而降低了生產(chǎn)成本。其次，cspled采用“倒裝芯片和芯片級(jí)技術(shù)”，具有更低的熱阻值和更高的電氣穩(wěn)定性，有效改善了發(fā)熱和散熱問題，提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。在光色精準(zhǔn)度方面，csp?led的燈珠排列更密集，發(fā)光角度更大，光色更為精準(zhǔn)，相比之下，傳統(tǒng)led如cob在顏色控制上較為困難。此外，csp?led具備高功率和極小的發(fā)光面積，不僅適用于對(duì)光學(xué)設(shè)計(jì)要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，如電視背光，還在多個(gè)領(lǐng)域如車燈、閃光燈、智能及健康照明等得到廣泛應(yīng)用。特別是在手機(jī)閃光燈應(yīng)用上，cspled以其高功率和小發(fā)光面積迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)。綜上所述，csp?led在封裝工藝、成本、熱阻值、電氣穩(wěn)定性、光色精準(zhǔn)度、功率、發(fā)光面積以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面均顯著優(yōu)于普通led。
2、但是現(xiàn)有技術(shù)中csp?led只用焊料對(duì)led芯片進(jìn)行固晶，焊料高溫性能差、熱導(dǎo)率差，焊料是csp?led中易失效的薄弱點(diǎn)。中國(guó)專利申請(qǐng)cn108109993a公開了一種csp的制造方法，包括以下步驟：（1）以底板為載板，在底板上貼高溫膜；（2）在高溫膜上放置墊片，所述墊片上設(shè)有若干鏤空孔，所述鏤空孔與底部的高溫膜圍成容置腔體；（3）將晶片固定在容置腔體內(nèi)，晶片的底部與高溫膜粘結(jié)；（4）在墊片上鋪上熒光材料；（5）利用壓板壓在
3、中國(guó)專利申請(qǐng)cn201911080159.8公開了一種倒裝led芯片csp制造方法，但是該方法中的硅膠/熒光粉封裝材料直接包括芯片，會(huì)造成芯片容易脫落。中國(guó)專利申請(qǐng)cn202111043490.x公開了一種csp燈珠封裝結(jié)構(gòu)及其制作工藝，該申請(qǐng)中通過銅基板擴(kuò)大焊盤，但是led芯片與銅基板未連接，會(huì)使芯片容易脫落。中國(guó)專利申請(qǐng)cn201811011561.6公開了一種led倒裝芯片封裝器件結(jié)構(gòu)及制備方法，該方案中使用焊料連接芯片與符合基板，使用焊料對(duì)led芯片進(jìn)行固晶，焊料高溫性能差、熱導(dǎo)率差，焊料是csp?led中易失效的薄弱點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的是在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，提供一種能實(shí)現(xiàn)led芯片的五面發(fā)光，顯著提升出光效率和均勻度，從而優(yōu)化照明效果的埋入式csp?led器件及制作方法。
2、本專利技術(shù)的目的可以通過以下措施達(dá)到：
3、一種埋入式csp?led器件，它由包括如下步驟的方法制作而出：
4、s1、準(zhǔn)備片狀雙面的臨時(shí)固定材料；
5、s2、將倒裝led芯片的電極面貼在所述臨時(shí)固定材料上；
6、s3、將未完全固化的硅膠/熒光粉復(fù)合片壓合在臨時(shí)固定材料上，使所述硅膠/熒光粉片緊密包裹住所述倒裝led芯片；
7、s4、去除臨時(shí)固定材料；
8、s5、將硅膠/熒光粉片和其包裹的倒裝led芯片緊密壓合在未完全固化的封裝材料片上，所述倒裝led芯片的電極面與所述封裝材料片相接觸；
9、s6、在所述封裝材料片的另一面上壓合上銅箔，隨后進(jìn)行高溫固化；
10、s7、通過激光在所述倒裝led芯片的電極上方開盲孔，盲孔區(qū)域在芯片電極內(nèi)；
11、s8、采用銅電鍍方法，使用銅材料填充步驟s7中所開出的盲孔；
12、s9、在所述銅箔上刻蝕出電路圖案，在所述盲孔附近的銅箔上刻蝕出緩解應(yīng)力的圓孔；
13、s10、使用油墨覆蓋所述銅箔被刻蝕掉的區(qū)域；
14、s11、在圖案化的銅箔的表面進(jìn)行化鍍處理，得到鍍層；
15、s12、切割步驟s11所得到的結(jié)構(gòu)，得到單獨(dú)的埋入式csp?led器件。
16、本專利技術(shù)還包括一種埋入式csp?led器件的制作方法，該方法也包括以上步驟s1至步驟s12。
17、在步驟s1中，臨時(shí)固定材料需要容易被在被固定物體表面剝離，且剝離后在被固定物體表面無殘留。臨時(shí)固定材料是用來固定倒裝芯片。臨時(shí)固定材料可使用的材料包括：膠帶、高溫膜、uv膜等。
18、在步驟s2中，將倒裝led芯片（2）的電極面通過高精度貼片機(jī)以陣列的形式貼在臨時(shí)固定材料（1）上。led倒裝芯片之間的距離在100μm-1000μm。
19、在步驟s3中，準(zhǔn)備未完全固化硅膠/熒光粉復(fù)合片，使用真空快壓機(jī)將未完全固化的硅膠/熒光粉復(fù)合片壓合在臨時(shí)固定材料上，壓合后的硅膠/熒光粉片的厚度大于倒裝led芯片厚度30μm以上。本專利技術(shù)的未完全固化指的是，加熱后材料仍可以融化，融化后有粘結(jié)力。
20、硅膠/熒光粉復(fù)合片指的是包含硅膠以及熒光粉的薄片。它可以采用目前本領(lǐng)域中常規(guī)使用的硅膠/熒光粉復(fù)合片即可。
21、在步驟s4中，臨時(shí)固定材料可以通過機(jī)器或者手工撕掉。
22、在步驟s5中，將包裹倒裝led芯片（2）的硅膠/熒光粉片（3）緊密壓合在未完全固化的封裝材料片（4）上，led芯片（2）電極面與封裝材料片（4）接觸，封裝材料片（4）的厚度范圍為30-70μm。封裝材料包括硅膠、環(huán)氧塑封料、玻璃纖維增強(qiáng)pp等。
23、在步驟s6中，在封裝材料片的另一面上（不與led芯片電極所接觸的面）壓合上銅箔，隨后進(jìn)行高溫固化。銅箔（5）的厚度在30-200μm，固化溫度為140-160℃。
24、在步驟s7中，可通過激光開孔技術(shù)，在倒裝led芯片（2）電極上方開盲孔，盲孔區(qū)域在芯片電極內(nèi)。
25、在步驟s8中，可通過銅電鍍技術(shù)，使用銅材料填充步驟s7中開出的盲孔。其中盲孔內(nèi)填充銅材料后，其表面與銅箔（5）的表面相平。
26、在步驟s9中，在銅箔上刻蝕出電路圖案，斷開倒裝led芯片的陰陽電極之間的連接，在盲孔附近的銅箔上刻蝕出緩解應(yīng)力的圓孔。刻蝕出的圓孔位于相鄰盲孔之間，孔徑50-100微米。
27、在步驟s10中，被刻蝕掉的區(qū)域內(nèi)所覆蓋的油墨的厚度，與銅箔的厚度相同。
28、在步驟s11中，在圖案化銅箔（5）表面進(jìn)行化鍍處理，鍍層材料包括錫、鎳、金或銀。
29、在步驟s12中，對(duì)步驟s11中所述的結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，形成單獨(dú)的埋入式csp?led器件。
30、本專利技術(shù)的有益效果：
31、在本申請(qǐng)的方案中，led芯片的六個(gè)面均被優(yōu)質(zhì)有機(jī)材料或金屬精心包裹，確保芯片與封裝材料緊密結(jié)合，極大地降低了分裂或脫落的風(fēng)險(xiǎn)。更值得一提的是，整個(gè)封裝過程操作簡(jiǎn)單易行，所需工具本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種埋入式CSP?LED器件，其特征在于它由包括如下步驟的方法制作而出：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S1中，所述臨時(shí)固定材料為膠帶、高溫膜或UV膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S2中，所述倒裝LED芯片的電極面通過高精度貼片機(jī)以陣列的形式貼在臨時(shí)固定材料上；所述倒裝LED芯片之間的距離在100μm-1000μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S3中，使用真空快壓機(jī)將未完全固化的硅膠/熒光粉復(fù)合片壓合在臨時(shí)固定材料上，壓合后的所述硅膠/熒光粉片的厚度大于倒裝LED芯片厚度30μm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S5中，倒裝LED芯片電極面與封裝材料片接觸，所述封裝材料片的厚度范圍為30-70μm；所述封裝材料包括硅膠、環(huán)氧塑封料或玻璃纖維增強(qiáng)PP。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S6中，銅箔（5）的厚度在30-200μm，固化
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S9中，刻蝕出的圓孔位于相鄰盲孔之間，孔徑50-100微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S10中，所覆蓋的油墨的厚度與銅箔的厚度相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式CSP?LED器件，其特征在于在步驟S11中，鍍層材料包括錫、鎳、金或銀。
10.一種埋入式CSP?LED器件的制作方法，其特征在于它包括權(quán)利要求1中所述的步驟S1至步驟S12。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種埋入式csp?led器件，其特征在于它由包括如下步驟的方法制作而出：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式csp?led器件，其特征在于在步驟s1中，所述臨時(shí)固定材料為膠帶、高溫膜或uv膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式csp?led器件，其特征在于在步驟s2中，所述倒裝led芯片的電極面通過高精度貼片機(jī)以陣列的形式貼在臨時(shí)固定材料上；所述倒裝led芯片之間的距離在100μm-1000μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式csp?led器件，其特征在于在步驟s3中，使用真空快壓機(jī)將未完全固化的硅膠/熒光粉復(fù)合片壓合在臨時(shí)固定材料上，壓合后的所述硅膠/熒光粉片的厚度大于倒裝led芯片厚度30μm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋入式csp?led器件，其特征在于在步驟s5中，倒裝led芯片電極面與封裝...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：熊敬康，陳威，熊怡然，樊嘉杰，袁吟龍，林小春，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：常州市武進(jìn)區(qū)半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)研究院，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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