【技術實現步驟摘要】
本專利技術是關于一種晶圓切割及清洗方法，特別是關于用于對切割后彼此相間隔之多個晶粒進行清洗的一種晶圓切割及清洗方法。
技術介紹
1、在半導體制造中，晶圓的洗凈制程為一重要制程，其原因在于，由于切割或是蝕刻等制程所造成的污染若是未洗凈，將會嚴重的影響后續的制程，最終將導致產品異常，使得良率下降。
2、為了確保每一晶圓(wafer)都可清洗干凈，可以使用單晶圓清洗設備，對每一晶圓進行清洗。然而，如圖1所示，在習知技術中，單片晶圓的清洗多是將晶圓的晶粒71之待清潔表面朝上，以習知清洗設備50清洗各晶粒71凹槽72間的待清潔物60。
3、然而，上述的清洗方式，并無法完整清潔現今的晶圓產品(例如以14奈米后之制程制造之晶圓產品)，或者，需要十分長的時間才能完成晶圓產品的清潔。其原因在于，隨著半導體制程的演進，晶片之結構漸趨復雜、且線路越來越細小，表面結構更趨立體化，高深寬比大幅提升。因此，無論是晶圓表面切割凹槽的寬度或是表面結構所產生的間隙皆十分微小。
4、在這種情況之下，若僅以習知的方式或是設備進行晶圓的清洗，凹槽內部的污染物將不易去除。再者，從上方下落的清潔液體，例如去離子水，還會由于晶圓表面不平坦，而容易使得該些污染物產生噴濺，因而交叉污染。因此，需要一種晶圓清洗設備以解決上述習知問題。
技術實現思路
1、基于上述目的，本專利技術提供一種晶圓清洗方法，其用于對切割后彼此相間隔之所述多個晶粒進行清洗。晶圓清洗方法包括：倒置晶圓框架及設置在晶圓框架中之多
2、優選地，本專利技術之晶圓清洗方法還包括提供多個固定裝置，多個固定裝置設置在轉盤上，用以在固定位置固定晶圓框架，或在釋放位置釋放晶圓框架。
3、優選地，多個固定裝置可于吸附裝置吸附晶圓框架后，在固定位置固定晶圓框架。
4、優選地，本專利技術之晶圓清洗方法還包括提供釋放機構，在轉盤停止旋轉后，吸附裝置持續提供吸力，釋放機構使多個固定裝置由固定位置移動至釋放位置。
5、優選地，本專利技術之晶圓清洗方法還包括以轉移裝置對晶圓框架提供吸附力，并將倒置之晶圓框架放置在轉盤。
6、優選地，當轉移裝置將晶圓框架放置在轉盤后，吸附裝置吸附晶圓框架，轉移裝置解除吸附力。
7、基于上述目的，本專利技術再提供一種晶圓切割及清洗方法，其包括下列步驟：提供切割裝置，對設置在晶圓框架中之晶圓產品進行第一切割制程；將所述晶圓產品形成相間隔之多個晶粒；倒置晶圓框架及設置在晶圓框架中之多個晶粒；提供轉盤，將晶圓框架及多個晶粒設置在轉盤上，轉盤具有一承載面，承載面朝向地面方向；以設置在轉盤中之吸附裝置，提供與重力相反方向之吸力吸附晶圓框架；驅動轉盤旋轉；提供清洗裝置，并使清洗裝置朝向多個晶粒之待清潔面；以及以清洗裝置朝向多個晶粒噴灑至少一種清潔液體。
8、優選地，本專利技術之晶圓切割及清洗方法還包括提供研磨裝置，在晶圓產品第一切割制程后，將晶圓產品貼附在保護膜上，并由研磨裝置研磨晶圓產品之底表面，形成彼此相間隔之多個晶粒及多個晶粒間之待清潔物。
9、優選地，本專利技術之晶圓切割及清洗方法還包括在晶圓產品由切割裝置切割前，先將晶圓產品設置在晶圓框架中，并將晶圓產品及晶圓框架貼附在保護膜上后，進行第一切割制程。
10、優選地，當對晶圓產品進行第一切割制程后，對晶圓產品進行第二切割制程，形成相間隔之多個晶粒。
11、優選地，本專利技術之晶圓切割及清洗方法還包括提供多個固定裝置，多個固定裝置設置在轉盤上，用以在固定位置固定晶圓框架，或在釋放位置釋放晶圓框架。
12、優選地，多個固定裝置在吸附裝置吸附晶圓框架后，在固定位置固定晶圓框架。
13、優選地，本專利技術之晶圓切割及清洗方法還包括提供釋放機構，在轉盤停止旋轉后，吸附裝置持續提供吸力，釋放機構使多個固定裝置由固定位置移動至釋放位置。
14、本專利技術提供了晶圓切割及清洗方法。在本專利技術中，單片晶圓設置在晶圓框架中，形成框架晶圓(frame?wafer)，以利后續制程，避免晶圓損壞。進一步說明，單片框架晶圓是由轉盤(spin?chuck)所吸附，使得框架晶圓的被清洗面朝下，并以轉盤朝向地面方向的方式(spin?chuck?face?down)，對框架晶圓進行旋轉及清洗。另外，由于框架晶圓是固定在轉盤下方，因此可進一步使用固定裝置固定框架晶圓在轉盤上，防止框架晶圓滑動。清洗噴嘴位在設備的底部，并朝上方的框架晶圓施加清潔液體，例如去離子水或是其它藥水等。因此在清洗時，污染物可藉由重力進而由框架晶圓中各晶粒間之凹槽往下流出。如此可以防止使用習知技術中使用轉盤朝上旋轉方式對單晶圓進行清洗，而導致凹槽處的藥水噴濺，引起交叉污染。因此本專利技術可克服框架晶圓凹槽處難清洗之問題。
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1.一種晶圓清洗方法，用于對切割后彼此相間隔之多個晶粒及所述多個晶粒間之待清潔物進行清洗，其特征在于，所述晶圓清洗方法包括：倒置晶圓框架及設置在所述晶圓框架中之所述多個晶粒，使所述多個晶粒之待清潔面朝向地面方向；
2.如權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，還包括提供多個固定裝置，所述多個固定裝置設置在所述轉盤上，用以在固定位置固定所述晶圓框架，或在釋放位置釋放所述晶圓框架。
3.如權利要求2所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述多個固定裝置在所述吸附裝置吸附所述晶圓框架后，在所述固定位置固定所述晶圓框架。
4.如權利要求2所述的晶圓清洗方法，其特征在于，還包括提供釋放機構，在所述轉盤停止旋轉后，所述吸附裝置持續提供吸力，所述釋放機構使所述多個固定裝置由所述固定位置移動至所述釋放位置。
5.如權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，還包括以轉移裝置對所述晶圓框架提供吸附力，并將倒置之所述晶圓框架放置在所述轉盤。
6.如權利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，當所述轉移裝置將所述晶圓框架放置在所述轉盤后，所述吸附裝置
7.一種晶圓切割及清洗方法，其特征在于，包括：
8.如權利要求7所述的晶圓切割及清洗方法，其特征在于，還包括提供研磨裝置，在所述晶圓產品所述第一切割制程后，將所述晶圓產品貼附在保護膜上，并由所述研磨裝置研磨所述晶圓產品之底表面，形成彼此相間隔之多個晶粒及所述多個晶粒間之待清潔物。
9.如權利要求7所述的晶圓切割及清洗方法，其特征在于，還包括在所述晶圓產品由所述切割裝置切割前，先將所述晶圓產品設置在所述晶圓框架中，并將所述晶圓產品及所述晶圓框架貼附在保護膜上后，進行所述第一切割制程。
10.如權利要求9所述的晶圓切割及清洗方法，其特征在于，當對所述晶圓產品進行所述第一切割制程后，對所述晶圓產品進行第二切割制程，形成相間隔之所述多個晶粒。
11.如權利要求7所述的晶圓切割及清洗方法，其特征在于，還包括提供多個固定裝置，所述多個固定裝置設置在所述轉盤上，用以在固定位置固定所述晶圓框架，或在釋放位置釋放所述晶圓框架。
12.如權利要求11所述的晶圓切割及清洗方法，其特征在于，所述多個固定裝置在所述吸附裝置吸附所述晶圓框架后，在所述固定位置固定所述晶圓框架。
13.如權利要求11所述的晶圓切割及清洗方法，其特征在于，還包括提供釋放機構，在所述轉盤停止旋轉后，所述吸附裝置持續提供吸力，所述釋放機構使所述多個固定裝置由所述固定位置移動至所述釋放位置。
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓清洗方法，用于對切割后彼此相間隔之多個晶粒及所述多個晶粒間之待清潔物進行清洗，其特征在于，所述晶圓清洗方法包括：倒置晶圓框架及設置在所述晶圓框架中之所述多個晶粒，使所述多個晶粒之待清潔面朝向地面方向；
2.如權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，還包括提供多個固定裝置，所述多個固定裝置設置在所述轉盤上，用以在固定位置固定所述晶圓框架，或在釋放位置釋放所述晶圓框架。
3.如權利要求2所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述多個固定裝置在所述吸附裝置吸附所述晶圓框架后，在所述固定位置固定所述晶圓框架。
4.如權利要求2所述的晶圓清洗方法，其特征在于，還包括提供釋放機構，在所述轉盤停止旋轉后，所述吸附裝置持續提供吸力，所述釋放機構使所述多個固定裝置由所述固定位置移動至所述釋放位置。
5.如權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，還包括以轉移裝置對所述晶圓框架提供吸附力，并將倒置之所述晶圓框架放置在所述轉盤。
6.如權利要求5所述的晶圓清洗方法，其特征在于，當所述轉移裝置將所述晶圓框架放置在所述轉盤后，所述吸附裝置吸附所述晶圓框架，所述轉移裝置解除所述吸附力。
7.一種晶圓切割及清洗方法，其特征在于，包括：
8.如權利要求7所述的晶圓...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳宗恩，邱云正，
申請(專利權)人：弘塑科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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