【技術實現步驟摘要】
本申請屬于涂層制備，特別是涉及一種抑制氧化釔涂層氧空缺的方法。
技術介紹
1、等離子噴涂技術是通過高溫火焰對粉末顆粒加熱使粉末顆粒噴涂于基材表面的一種涂層制備方法，該法不僅能有效固熔化高溫材料，也能避免常規材料的燒損，因而它還具有噴涂效率高、異材附著結合的特點。
2、氧化釔(y2o3)粉末具有高熔點、低膨脹等性能，是防止等離子腐蝕噴涂粉的重要材料。近年來，氧化釔粉末在電子行業、半導體行業得到廣泛的應用，尤其可以作為半導體刻蝕機防止等離子腐蝕、射線腐蝕用噴涂材料。在氧化釔涂層的制備過程中，由于氧化釔粉末在砂磨過程會產生氧空缺，導致其在進行等離子噴涂時的高溫環境中氧化釔晶相從立方相變為單斜相，在急速冷卻時氧化釔晶相無法恢復到立方相，使氧化釔涂層的耐腐蝕、硬度等性能下降，并影響其使用壽命。
3、在晶圓制造刻蝕制程中，對氧化釔涂層要求具有較強的耐腐蝕性能，以及較高的硬度，氧化釔單斜相是不穩定相會導致其性能下降，影響使用壽命。
4、因此，如何抑制氧化釔粉末在砂磨過程中產生氧空缺，使氧化釔在熱噴涂過程的晶型穩定在立方相，從而保證氧化釔涂層的硬度等性能，是目前本領域亟待解決的問題。
技術實現思路
1、為解決上述技術問題，本申請提供一種抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，以抑制氧化釔粉末在砂磨過程中產生氧空缺，提升氧化釔涂層的硬度等性能。
2、本申請的上述申請目的是通過以下技術方案得以實現的：
3、一種抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，包括如下步驟：<...
【技術保護點】
1.一種抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟S1中，所述金屬離子溶液中含有Sr2+離子，且Sr2+離子的質量濃度為1×104mg/kg。
3.根據權利要求2所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟S1中，所述Y2O3粉末中摻雜的分散穩定劑中金屬離子與Y2O3粉末的質量之比為200～400ppm。
4.根據權利要求3所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟S1中，所述Y2O3粉末中摻雜的分散穩定劑中金屬離子與Y2O3粉末的質量之比為300ppm。
5.根據權利要求1所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟S2中，對造粒后得到的所述球形顆粒的氧化釔粉末進行煅燒的溫度為1550℃。
6.根據權利要求1所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟S4中，氧化釔熔射涂層的厚度為180μm～220μm，氧化釔熔射涂層的表面粗糙度Ra為5μm～7μm。
7.根據權利要求1-6任一項所述的抑制氧化釔涂層
8.根據權利要求1-6任一項所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求8所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，三次拋光處理的拋光條件均為：
10.根據權利要求1或2或3或4或5或6或9所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，所述基材為不銹鋼、鋁或鈦。
...【技術特征摘要】
1.一種抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟s1中，所述金屬離子溶液中含有sr2+離子，且sr2+離子的質量濃度為1×104mg/kg。
3.根據權利要求2所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟s1中，所述y2o3粉末中摻雜的分散穩定劑中金屬離子與y2o3粉末的質量之比為200～400ppm。
4.根據權利要求3所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟s1中，所述y2o3粉末中摻雜的分散穩定劑中金屬離子與y2o3粉末的質量之比為300ppm。
5.根據權利要求1所述的抑制氧化釔涂層氧空缺的方法，其特征在于，步驟s2中，對造粒后得...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王明菊，陳虹利，曾文厚，陳立航，蔣曉鈞，
申請(專利權)人：重慶臻寶科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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