本發(fā)明專利技術的一方面目的在于提供電導率和熱導率均優(yōu)越，即使在高長寬比下也具有優(yōu)越的連接可靠性的連接柱。本發(fā)明專利技術的連接柱，作為直徑為60至500μm且長徑比(長度/直徑)為1至10的柱狀結構體，該結構體的水平方向面與垂直方向面構成的角度為90±3°。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術關于連接柱用的焊錫膏，更具體地說，是關于為了將具有電氣導電性的、用于電氣連接的金屬柱電連接到電極或基板上的焊錫膏。本專利技術關于連接柱，更具體地說，是關于具有電氣導電性的、用于電氣連接的金屬柱或者在金屬柱上具有焊錫層的焊錫柱。本專利技術關于半導體封裝，更具體地說，是關于包含有高長寬比的連接柱的半導體封裝。
技術介紹
1、隨著電極的間距不斷縮小，半導體裝配中的連接材料需要開發(fā)新的概念。因此，正在研究使用金屬形狀的連接材料，如金屬柱或在電氣連接用金屬柱上電鍍的焊錫層的導電焊錫柱來實現(xiàn)穩(wěn)定的連接。
2、使用金屬柱或焊錫柱時，即使間距縮小，也可以無橋接風險地使用，而且由于金屬柱或焊錫柱由高熱導率的金屬制成，因此它們還具有將半導體產生的熱量散發(fā)到基板的散熱效果。
3、另一方面，某些封裝上封裝(package?on?package,pop)結構的堆疊封裝結構中已知用于形成下芯片(bottom?die)和上芯片(top?die)的垂直連接的銅柱(copper?pillar)的方法，但該銅柱的形成方法是通過電鍍從內部堆疊，而從外部制造的金屬柱及其制造方法，金屬柱上涂有焊錫層的導電焊錫柱及其制造方法，連接柱的傳輸方法，連接柱的連接方法等沒有進行詳細的研究，因此急需開發(fā)這方面的技術。
4、此外，為了在半導體連接中使用具有高長寬比的連接柱，還需要開發(fā)具有高連接穩(wěn)定性的特定膏體組合。
5、【先行技術文獻】
6、(專利文獻1)韓國公開號碼第10-2007-0101157號。
r/>技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的一方面目的在于提供在連接用針與半導體及其他部件連接時，連接可靠性優(yōu)越的連接柱用焊錫膏。
2、本專利技術的另一方面目的在于提供電導率和熱導率均優(yōu)越，即使在高長寬比下也具有優(yōu)越的連接可靠性的連接柱。
3、本專利技術的又一方面目的在于提供一個包含連接柱、具有優(yōu)越連接可靠性的新型結構的半導體封裝。
4、本專利技術的連接柱，作為直徑為60至500μm且長徑比(長度/直徑)為1至10的柱狀結構體，該結構體的水平方向面與垂直方向面構成的角度為90±3°。
5、本專利技術所述的連接柱，該連接柱由金屬或合金構成，包含電導率為11至101％iacs的金屬柱。
6、本專利技術所述的連接柱，該金屬柱的熔點為500至1000℃。
7、本專利技術所述的連接柱，該金屬柱的邊緣r(edge?r)值為3至20μm。
8、本專利技術所述的連接柱，該連接柱的表面粗糙度為rms?0.5至1μm。
9、本專利技術所述的連接柱，在該金屬柱的表面上至少一部分區(qū)域還配備有包含錫的焊料層。
10、本專利技術所述的連接柱，該焊料層還包含銀，所述銀(ag)的含量為1.5至4.0重量％。
11、本專利技術所述的連接柱，該焊料層的厚度為0.1至10μm。
12、本專利技術所述的連接柱，該焊料層被鍍在該金屬柱的外側面。
13、本專利技術所述的連接柱，在該焊料層的外側面，還包含為了防止在該金屬柱上的金屬合金原子以及焊料層上的錫或其他金屬原子之間發(fā)生擴散并形成金屬間化合物而導入的擴散層。
14、本專利技術所述的連接柱，該擴散層的厚度為1至5μm。
15、本專利技術權利要求7所述的連接柱，在該焊料層的外側面，還包含為了防止在該金屬柱上的金屬合金原子以及焊料層上的錫或其他金屬原子之間發(fā)生擴散并形成金屬間化合物而導入的擴散層。
16、本專利技術權利要求10所述的連接柱，該擴散層的厚度為1至5μm。
17、根據(jù)本專利技術的一方面，連接針用的焊錫膏可以改進在連接用針安裝過程中發(fā)生的腐蝕和焊錫膏的固化問題，并由于適當?shù)慕M成提供優(yōu)越的焊接質量。因此，這種專利技術可以大幅度減少半導體連接過程中的不良率，并提高產品的電性可靠性。此外，它可以提高半導體制造的生產率和節(jié)省成本，確保制造過程的穩(wěn)定性和準確性。
18、此外，根據(jù)本專利技術的另一方面，連接柱具有優(yōu)越的電導率和熱導率，在高長寬比下仍然具有優(yōu)越的連接可靠性。并且與傳統(tǒng)連接部件相比，焊錫層的體積減少，因此連接柱的熱導率較高，從而產生的熱能散發(fā)到基板，具有散熱效果。
19、此外，根據(jù)本專利技術的半導體封裝，盡管連接材料設置在狹窄的區(qū)域內，但連接材料的傾斜(tilt)、缺失(missing)、剪切強度和未熔合的減少不會發(fā)生，缺陷率降低，產品的電性可靠性得到增強。
本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種連接柱，
2.根據(jù)權利要求1所述的連接柱，
3.根據(jù)權利要求2所述的連接柱，
4.根據(jù)權利要求2所述的連接柱，
5.根據(jù)權利要求2所述的連接柱，
6.根據(jù)權利要求1所述的連接柱，
7.根據(jù)權利要求6所述的連接柱，
8.根據(jù)權利要求7所述的連接柱，
9.根據(jù)權利要求7所述的連接柱，
10.根據(jù)權利要求7所述的連接柱，
11.根據(jù)權利要求10所述的連接柱，
【技術特征摘要】
1.一種連接柱，
2.根據(jù)權利要求1所述的連接柱，
3.根據(jù)權利要求2所述的連接柱，
4.根據(jù)權利要求2所述的連接柱，
5.根據(jù)權利要求2所述的連接柱，
6.根據(jù)權利要求1所述的連接...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：吳熙奉，樸淳皓，殷東珍，李在琪，李泰炫，金庚泰，樸恩光，金振圭，
申請(專利權)人：德山金屬株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。