【技術實現步驟摘要】
本專利技術技術涉及半導體裝置及制造方法。
技術介紹
1、光學mux/demux(多路復用器/多路分用器)組件是笨重且昂貴的，并且需要在光學網絡中實施為單獨組件。然而，隨著薄膜集成mux/demux組件的開發，現在可能將這些組件集成到單個芯片或襯底上，這已顯著減小波分多路復用(wdm)光學鏈路的成本及尺寸。
2、薄膜集成mux/demux組件通常使用波導技術來分離或組合不同波長的光。其可使用各種技術來實施，例如硅上硅石、絕緣體上硅或聚合物波導。技術的選擇將取決于例如所需波長范圍、所需集成水平及成本約束等因素。基于sin電介質薄膜的無源mux/demux已作為潛在解決方案而被廣泛研究。然而，此類裝置的合格率受制作限制而導致非既定中心波長移位，這阻礙其被廣泛采用。因此，提出用于提高薄膜光學電路的晶片級的光學特性均勻度的新技術。
技術實現思路
1、在一個方面，本公開涉及一種用于處理半導體裝置的方法，所述方法包括：提供第一晶片；提供第二晶片，所述第二晶片包括硅材料，其中所述第一晶片與所述第二晶片之間的尺寸差小于0.1％；在所述第一晶片上形成電介質的第一層且在所述第二晶片上形成所述電介質的第二層；測量所述第二晶片上的所述第二層的折射率分布；測量所述第一晶片上的所述第一層的第一厚度分布；基于所述折射率分布及所述第一厚度分布計算所述第一層的第二厚度分布；及基于從所述第一厚度分布到所述第二厚度分布的厚度差從所述第一層移除材料，從而得到呈所述第二厚度分布的第三層，所述第三層由跨越所述第一晶
2、在另一方面，本公開涉及一種電路，其包括：第一晶片的一部分上的電介質材料的第一層，所述第一層由跨越所述第一晶片具有在目標波長的+/-2.5nm內的特性波長的光譜響應均勻度表征；其中所述第一層是通過以下步驟制成：在第一工藝中在所述第一晶片上沉積所述電介質材料；測量跨越所述第一晶片的第一厚度分布；基于折射率分布及所述第一厚度分布確定跨越所述第一晶片的第二厚度分布，所述第二厚度分布對應于所述目標波長；基于所述第二厚度分布選擇性地移除所述電介質材料以形成所述第一層；及將所述第一層圖案化以界定多個裸片，每一裸片包括基于所述第一層的光學電路。
3、在又一方面，本公開涉及一種用于處理半導體裝置的方法，所述方法包括：提供多個晶片；在第一工藝中在所述多個晶片中的每一者上形成電介質的第一層；測量跨越選自所述多個晶片中的第一晶片的所述第一層的厚度分布；在第二工藝中在所述第一晶片上將所述第一層圖案化成第一多個光學電路裸片；測量所述第一層的光譜響應以獲得跨越所述第一晶片的波長分布，所述第一層的所述光譜響應由所述第一多個光學電路裸片中的每一者的波長表征；基于所述波長分布及所述厚度分布確定跨越所述第一晶片的波長改變與厚度差之間的相關性；基于所述相關性及目標波長確定所述第一層的目標厚度分布；修改所述多個晶片中的每一者上的所述第一層以獲得具有所述目標厚度分布的第二層；在所述第二工藝中在所述多個晶片中的每一者上將所述第二層圖案化成第二多個光學電路裸片；及將所述多個晶片中的每一者單個化以獲得所述第二多個光學電路裸片，每一光學電路基于由具有在所述目標波長的+/-2.5nm內的中心波長的光譜響應表征的所述第二層。
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1.一種用于處理半導體裝置的方法，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一晶片包括絕緣體上硅晶片。
3.根據權利要求1所述的方法，其中電介質的所述第一層及所述電介質的所述第二層包括選自SiNx、SiONx、SiOx及非晶Si中的非化學計量電介質中的一者，所述第一層及所述第二層是通過執行沉積工藝而形成。
4.根據權利要求3所述的方法，所述沉積工藝選自包括化學氣相沉積CVD、等離子體增強的化學氣相沉積PECVD、低壓化學氣相沉積LPCVD及原子層沉積ALD的一或多種方法。
5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在測量所述折射率分布之前減小所述第二層的厚度變化。
6.根據權利要求1所述的方法，其中測量所述折射率分布包括使用在線橢偏測量。
7.根據權利要求1所述的方法，其中測量所述第一厚度分布包括使用橢偏測量、反射測量或光譜測量。
8.根據權利要求1所述的方法，其中移除材料包括使用聚焦正離子束來以低于1nm的垂直分辨率及低于1um的橫向分辨率跨越所述第一晶片上的所述第一層進行掃描。<...
【技術特征摘要】
1.一種用于處理半導體裝置的方法，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一晶片包括絕緣體上硅晶片。
3.根據權利要求1所述的方法，其中電介質的所述第一層及所述電介質的所述第二層包括選自sinx、sionx、siox及非晶si中的非化學計量電介質中的一者，所述第一層及所述第二層是通過執行沉積工藝而形成。
4.根據權利要求3所述的方法，所述沉積工藝選自包括化學氣相沉積cvd、等離子體增強的化學氣相沉積pecvd、低壓化學氣相沉積lpcvd及原子層沉積ald的一或多種方法。
5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在測量所述折射率分布之前減小所述第二層的厚度變化。
6.根據權利要求1所述的方法，其中測量所述折射率分布包括使用在線橢偏測量。
7.根據權利要求1所述的方法，其中測量所述第一厚度分布包括使用橢偏測量、反射測量或光譜測量。
8.根據權利要求1所述的方法，其中移除材料包括使用聚焦正離子束來以低于1nm的垂直分辨率及低于1um的橫向分辨率跨越所述第一晶片上的所述第一層進行掃描。
9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述第一晶片切割成第一裸片，所述第一裸片包括光學電路。
10.根據權利要求9所述的方法，其中所述光學電路包括薄膜光學濾光器。
11.根據權利要求1...
【專利技術屬性】
技術研發人員：S·林，A·康納，Y·羅，N·馬爾加利特，N·艾德，N·達爾萬德，
申請(專利權)人：安華高科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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