【技術實現步驟摘要】
本申請的實施例涉及半導體結構及其形成方法。
技術介紹
1、集成電路封裝件可以具有接合在一起的多個封裝組件(諸如器件管芯)和封裝襯底，以增加功能和集成水平。由于多個封裝組件的不同材料之間的差異，可能發(fā)生翹曲。翹曲可能引起非接合問題，并且旨在彼此接合的一些導電部件未接合，從而導致電路故障。此外，散熱也成為更嚴重的問題。這些問題需要解決。
技術實現思路
1、本申請的一些實施例提供了一種形成半導體結構的方法，包括：將底部管芯接合至載體；將頂部管芯接合至所述底部管芯，其中，所述頂部管芯包括半導體襯底，并且所述半導體襯底具有第一熱導率；將所述頂部管芯密封在第一間隙填充區(qū)域中；將支撐襯底接合至所述頂部管芯和所述第一間隙填充區(qū)域以形成重構晶圓，其中，所述支撐襯底具有高于所述第一熱導率的第二熱導率；將所述重構晶圓從所述載體剝離；以及在所述底部管芯上形成電連接件。
2、本申請的另一些實施例提供了一種半導體結構，包括：底部管芯；頂部管芯，位于所述底部管芯上方并且接合至所述底部管芯，其中，所述頂部管芯包括具有第一熱導率的半導體襯底；第一間隙填充區(qū)域，密封所述頂部管芯；支撐襯底，接合至所述頂部管芯，其中，所述支撐襯底具有高于所述第一熱導率的第二熱導率；接合膜，位于所述支撐襯底和所述頂部管芯之間；以及電連接件，位于所述底部管芯的前側上。
3、本申請的又一些實施例提供了一種半導體結構，包括：頂部管芯，包括半導體襯底，其中，所述半導體襯底具有第一楊氏模量；間隙填充區(qū)域，將所述頂部管芯密封在
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1.一種形成半導體結構的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐襯底包括金屬襯底。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐襯底包括介電襯底。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述支撐襯底的所述介電襯底與所述頂部管芯的額外半導體襯底物理接觸。
5.根據權利要求1所述的方法，還包括：將所述重構晶圓鋸切成多個封裝件，其中，所述封裝件的每個包括所述支撐襯底的一部分。
6.根據權利要求5所述的方法，還包括：將散熱器附接至所述多個封裝件中的一個封裝件，其中熱界面材料(TIM)位于所述散熱器和所述多個封裝件中的所述一個封裝件中的所述支撐襯底之間，并且接觸所述散熱器和所述多個封裝件中的所述一個封裝件中的所述支撐襯底。
7.根據權利要求1所述的方法，還包括；在所述頂部管芯接合至所述底部管芯之前，將所述底部管芯密封在第二間隙填充區(qū)域中。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐襯底還具有高于所述頂部管芯的所述半導體襯底的所述楊氏模量的楊氏模量。
9.一種半導體結構，包括：<...
【技術特征摘要】
1.一種形成半導體結構的方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐襯底包括金屬襯底。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐襯底包括介電襯底。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述支撐襯底的所述介電襯底與所述頂部管芯的額外半導體襯底物理接觸。
5.根據權利要求1所述的方法，還包括：將所述重構晶圓鋸切成多個封裝件，其中，所述封裝件的每個包括所述支撐襯底的一部分。
6.根據權利要求5所述的方法，還包括：將散熱器附接至所述多個封裝件中...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：丁國強，葉松峯，宋大豪，洪建瑋，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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