【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及存儲，具體涉及一種相變存儲器及操作方法。
技術(shù)介紹
1、相變存儲器(phase?change?memory，pcm)的讀窗口裕度(read?window?margin，rwm)和循環(huán)性能是兩個關(guān)鍵技術(shù)指標。其中，讀窗口裕度是指在讀取操作時，相變存儲器能夠穩(wěn)定區(qū)分不同狀態(tài)(如“0”和“1”)的能力。
2、然而，隨著相變存儲器的循環(huán)操作的次數(shù)的增加，讀窗口裕度會隨之變差，這阻礙了相變存儲器的進一步應(yīng)用。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┮环N相變存儲器及操作方法，以緩解讀窗口裕度變差的技術(shù)問題。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N相變存儲器，該相變存儲器包括字線、位線以及存儲模塊，存儲模塊在置位操作中連接施加有反向電壓差的字線與位線，以用于減小存儲模塊的置位態(tài)的閾值電壓。
3、可選地，在存儲模塊的置位操作中，存儲模塊與施加負電壓的字線和施加正電壓的位線連接。
4、可選地，在存儲模塊的置位操作中，位線的正電壓持續(xù)一時段后按照預(yù)設(shè)負斜率下降。
5、可選地，存儲模塊在復(fù)位操作中連接施加有正向電壓差的字線與位線，以用于增大存儲模塊的復(fù)位態(tài)閾值電壓。
6、可選地，在存儲模塊的復(fù)位操作中，存儲模塊與施加正電壓的字線和施加負電壓的位線連接。
7、可選地，負電壓小于或者等于-3v，且大于或者等于-5v；正電壓大于或者等于3v，且小于或者等于6v。
8、可選地，存儲模塊包括串聯(lián)的選通管和存儲單元，存儲單元與字線
9、可選地，存儲單元包括碲元素、鍺元素以及銻元素；在置位操作中，碲元素向位線遷移，鍺元素和銻元素向字線遷移；在存儲模塊的復(fù)位操作中，碲元素向字線遷移，鍺元素和銻元素向位線遷移。
10、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N操作方法，該操作方法應(yīng)用于上述的相變存儲器，該操作方法包括若進行存儲模塊的置位操作，向與被選中進行置位操作的存儲模塊連接的字線與位線之間施加反向電壓差；若進行存儲模塊的復(fù)位操作，向與被選中進行復(fù)位操作的存儲模塊連接的字線與位線之間施加正向電壓差。
11、可選地，若進行存儲模塊的置位操作，向與被選中進行置位操作的存儲模塊連接的字線與位線之間施加反向電壓差，包括：向字線施加負電壓，且向位線施加正電壓。
12、可選地，若進行存儲模塊的復(fù)位操作，向與被選中進行復(fù)位操作的存儲模塊連接的字線與位線之間施加正向電壓差，包括：向字線施加正電壓，且向位線施加負電壓。
13、本申請?zhí)峁┑南嘧兇鎯ζ骷安僮鞣椒ǎㄟ^存儲模塊在置位操作中連接施加有反向電壓差的字線與位線，可以減小存儲模塊的閾值電壓，從而可以在保持存儲模塊在復(fù)位操作后的閾值電壓不變的情況下，增大存儲模塊在復(fù)位操作后的閾值電壓與存儲模塊在置位操作后的閾值電壓之差，進而改善了讀窗口裕度。
14、又，相較于通過研發(fā)新材料來提高讀窗口裕度需要較長的應(yīng)用周期，上述通過在置位操作中向字線與位線施加反向電壓差，能夠以更短的應(yīng)用周期提高讀窗口裕度。
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1.一種相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，在所述存儲模塊的置位操作中，所述存儲模塊與施加負電壓的所述字線和施加正電壓的所述位線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲器，其特征在于，在所述存儲模塊的置位操作中，所述位線的正電壓持續(xù)一時段后按照預(yù)設(shè)負斜率下降。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述存儲模塊在復(fù)位操作中連接施加有正向電壓差的所述字線與所述位線，以用于增大所述存儲模塊的復(fù)位態(tài)的閾值電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相變存儲器，其特征在于，在所述存儲模塊的復(fù)位操作中，所述存儲模塊與施加正電壓的所述字線和施加負電壓的所述位線連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或者5所述的相變存儲器，其特征在于，所述負電壓小于或者等于-3V，且大于或者等于-5V；所述正電壓大于或者等于3V，且小于或者等于6V。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的相變存儲器，其特征在于，所述存儲模塊包括串聯(lián)的選通管和存儲單元，所述存儲單元與所述字線連接，所述選通管與所述位線連
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲器，其特征在于，所述存儲單元包括碲元素、鍺元素以及銻元素；
9.一種操作方法，其特征在于，所述操作方法應(yīng)用于如權(quán)利要求1-8任一項所述的相變存儲器，所述操作方法包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的操作方法，其特征在于，所述若進行所述存儲模塊的置位操作，向與被選中進行置位操作的所述存儲模塊連接的所述字線與所述位線之間施加反向電壓差，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，在所述存儲模塊的置位操作中，所述存儲模塊與施加負電壓的所述字線和施加正電壓的所述位線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲器，其特征在于，在所述存儲模塊的置位操作中，所述位線的正電壓持續(xù)一時段后按照預(yù)設(shè)負斜率下降。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述存儲模塊在復(fù)位操作中連接施加有正向電壓差的所述字線與所述位線，以用于增大所述存儲模塊的復(fù)位態(tài)的閾值電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相變存儲器，其特征在于，在所述存儲模塊的復(fù)位操作中，所述存儲模塊與施加正電壓的所述字線和施加負電壓的所述位線連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或者5...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李利凱，
申請(專利權(quán))人：新存科技武漢有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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