【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路的，尤其是涉及一種混頻器校正電路及混頻器。
技術介紹
1、隨著無線通信技術的發展，在空口傳輸的無線信號承載著越來越高的數據信息容量，無線頻率升高到幾十ghz，甚至thz，這對射頻前端的電路設計以及指標提出了新的要求，例如，在發射機中，基帶信號需要上變頻到毫米波頻段的載波信號；在接收機中，較高的載波信號需要變頻到基帶信號進行處理等等。
2、在這個變頻過程中，需要混頻器來實現。混頻器通過輸入信號和本振信號的相加或者相減，完成信號的上變頻或下變頻。但實際上，由于mos管寄生效應、襯底效應等因素，混頻器輸出的信號中，不但有所需要的有用信號，同時還混雜著本振信號，泄露的本振信號會對有用信號造成干擾，從而影響收發機的性能。
3、目前抑制本振信號從輸入端泄露到輸出端的方法主要是采用陷波器或者帶阻濾波器來削弱本振頻率處的信號，從而減少其泄露到輸出端的影響。這種方法雖然對本振泄露有一定的抑制作用，但是這種濾波器的設計受器件工藝水平影響較大，并且設計難度大，成本高，同時，當本振信號和輸出射頻信號相近時，難以對本振信號的泄露信號進行有效的濾除，進而難以滿足混頻器的實際使用需求。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種混頻器校正電路及混頻器，以緩解上述技術問題。
2、第一方面，本專利技術實施例提供了一種混頻器校正電路，包括：依次連接的中頻輸入級、本振輸入級和負載級；所述中頻輸入級包括第一輸入跨導單元和第二輸入跨導單元；所述第一輸入
3、結合第一方面，本專利技術實施例提供了第一方面的第一種可能的實施方式，其中，上述第一輸入跨導單元包括的跨導晶體管包括第一跨導晶體管和第二跨導晶體管；其中，所述第一跨導晶體管和所述第二跨導晶體管的源極接地；所述第一跨導晶體管的柵極用于輸入中頻i路信號的p端信號，所述第二跨導晶體管的柵極用于輸入中頻i路信號的n端信號；所述第一跨導晶體管的漏極和所述第二跨導晶體管的漏極分別與所述第一本振輸入單元連接。
4、結合第一方面的第一種可能的實施方式，本專利技術實施例提供了第一方面的第二種可能的實施方式，其中，上述第一跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第一跨導晶體管并聯的第一調整支路；所述第一調整支路包括開關管，以及，與所述開關管串聯的開關；其中，所述開關管的柵極與所述第一跨導晶體管的柵極連接，所述開關管的源極與所述開關的一端連接，所述開關的另一端接地；所述開關管的漏極與所述第一跨導晶體管的柵漏極連接；所述第二跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第二跨導晶體管并聯的第二調整支路；所述第二調整支路包括開關管，以及，與所述開關管串聯的開關；其中，所述開關管的柵極與所述第二跨導晶體管的柵極連接，所述開關管的源極與所述開關的一端連接，所述開關的另一端接地；所述開關管的漏極與所述第二跨導晶體管的柵漏極連接。
5、結合第一方面，本專利技術實施例提供了第一方面的第三種可能的實施方式，其中，上述第二輸入跨導單元包括的跨導晶體管包括第三跨導晶體管和第四跨導晶體管；其中，所述第三跨導晶體管和所述第四跨導晶體管的源極接地；所述第三跨導晶體管的柵極用于輸入中頻q路信號的p端信號，所述第四跨導晶體管的柵極用于輸入中頻q路信號的n端信號；所述第三跨導晶體管的漏極和所述第四跨導晶體管的漏極分別與所述第二本振輸入單元連接。
6、結合第一方面的第三種可能的實施方式，本專利技術實施例提供了第一方面的第四種可能的實施方式，其中，上述第三跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第三跨導晶體管并聯的第三調整支路；所述第三調整支路包括開關管，以及，與所述開關管串聯的開關；其中，所述開關管的柵極與所述第三跨導晶體管的柵極連接，所述開關管的源極與所述開關的一端連接，所述開關的另一端接地；所述開關管的漏極與所述第三跨導晶體管的柵漏極連接；所述第四跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第四跨導晶體管并聯的第四調整支路；所述第四調整支路包括開關管，以及，與所述開關管串聯的開關；其中，所述開關管的柵極與所述第四跨導晶體管的柵極連接，所述開關管的源極與所述開關的一端連接，所述開關的另一端接地；所述開關管的漏極與所述第四跨導晶體管的柵漏極連接。
7、結合第一方面的第一種可能的實施方式，本專利技術實施例提供了第一方面的第五種可能的實施方式，其中，上述第一本振輸入單元包括與所述第一跨導晶體管對應的第一路輸入開關管，以及，與所述第二跨導晶體管對應的第二路輸入開關管；其中，所述第一路輸入開關管包括的開關管的源極與所述第一跨導晶體管的漏極連接，所述第二路輸入開關管包括的開關管的源極與所述第二跨導晶體管的漏極連接；所述第一路輸入開關管和所述第二路輸入開關管的柵極用于輸入所述本振信號的i路信號；所述第一路輸入開關管和所述第二路輸入開關管的漏極，用于與所述負載級連接。
8、結合第一方面的第五種可能的實施方式，本專利技術實施例提供了第一方面的第六種可能的實施方式，其中，上述第一路輸入開關管包括第一開關管和第二開關管，所述第二路輸入開關管包括第三開關管和第四開關管；其中，所述第一開關管和所述第二開關管的源極與所述第一跨導晶體管的漏極連接；所述第三開關管和所述第四開關管的源極與所述第二跨導晶體管的漏極連接；所述第二開關管和所述第三開關管的柵極連接，用于輸入所述本振信號的i路信號的n端信號；所述第一開關管和所述第四開關管的柵極用于輸入所述本振信號的i路信號的p端信號；其中，所述第一開關管和所述第三開關管的漏極合并，并連接至所述負載級；所述第二開關管和所述第四開關管的漏極合并，并連接至所述負載級。
9、結合第一方面的第三種可能的實施方式，本專利技術實施例提供了第一方面的第七種可能的實施方式，其中，上述第二本振輸入單元包括與所述第三跨導晶體管對應的第三路輸入開關管，以及，與所述第四跨導晶體管對應的第四路輸入開關管；其中，所述第三路輸入開關管包括的開關管的源極與所述第三跨導晶體管的漏極連接，所述第四路輸入開關管包括的開關管的源極與所述第四跨導晶體管的漏極連接；所述第三路輸入開關管和所述第四路輸入開關管的柵極用于輸入所述本振信號的q路信號；所述第三路輸入開關管和所述第四路輸入開關管的漏極，用于與所述負載級連接。
10、結合第一方面的第七種可能的實施方式，本專利技術實施例提供了第一方面的第八種可能的實施方式，其中，上述第三路輸入開關管包括第五開關管和第六開關管，所述第四路輸入開關管包括第七開關管和第八開關管本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種混頻器校正電路，其特征在于，包括：依次連接的中頻輸入級、本振輸入級和負載級；
2.根據權利要求1所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第一輸入跨導單元包括的跨導晶體管包括第一跨導晶體管和第二跨導晶體管；
3.根據權利要求2所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第一跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第一跨導晶體管并聯的第一調整支路；
4.根據權利要求1所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第二輸入跨導單元包括的跨導晶體管包括第三跨導晶體管和第四跨導晶體管；
5.根據權利要求4所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第三跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第三跨導晶體管并聯的第三調整支路；
6.根據權利要求2所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第一本振輸入單元包括與所述第一跨導晶體管對應的第一路輸入開關管，以及，與所述第二跨導晶體管對應的第二路輸入開關管；
7.根據權利要求6所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第一路輸入開關管包括第一開關管和第二開關管，所述第二路輸入開關管包括第三開關管和
8.根據權利要求4所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第二本振輸入單元包括與所述第三跨導晶體管對應的第三路輸入開關管，以及，與所述第四跨導晶體管對應的第四路輸入開關管；
9.根據權利要求8所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第三路輸入開關管包括第五開關管和第六開關管，所述第四路輸入開關管包括第七開關管和第八開關管；
10.一種混頻器，其特征在于，所述混頻器配置有權利要求1～9任一項所述的混頻器校正電路。
...【技術特征摘要】
1.一種混頻器校正電路，其特征在于，包括：依次連接的中頻輸入級、本振輸入級和負載級；
2.根據權利要求1所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第一輸入跨導單元包括的跨導晶體管包括第一跨導晶體管和第二跨導晶體管；
3.根據權利要求2所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第一跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第一跨導晶體管并聯的第一調整支路；
4.根據權利要求1所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第二輸入跨導單元包括的跨導晶體管包括第三跨導晶體管和第四跨導晶體管；
5.根據權利要求4所述的混頻器校正電路，其特征在于，所述第三跨導晶體管的電流調整陣列包括至少一路與所述第三跨導晶體管并聯的第三調整支路；
6.根據權利要求2所述的混頻器校正電路，其特征在于，所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張雷軍，張福泉，唐生東，
申請(專利權)人：上海芯璨電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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