【技術實現步驟摘要】
本申請實施例涉及芯片封裝，具體涉及一種芯片封裝方法、芯片封裝結構及計算機設備。
技術介紹
1、隨著芯片使用功率的提高，芯片使用過程中的溫度也越來越高，這對于芯片封裝結構的散熱性能和可靠性提出了更高要求。在芯片封裝結構中，tim(thermal?interfacematerial，熱界面材料)填充于芯片與散熱蓋之間，用于在芯片與散熱蓋之間傳遞熱量，因此tim對于芯片封裝結構的散熱性能和封裝效果至關重要。在此背景下，如何提供技術方案，以提高芯片封裝結構的散熱性能和封裝效率，成為了本領域技術人員亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、為解決上述問題，本申請實施例提供了一種芯片封裝方法、芯片封裝結構及計算機設備。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種芯片封裝方法，包括：
3、提供基礎封裝結構，所述基礎封裝結構包括基板、連接于所述基板的上表面的倒裝芯片；
4、將石墨片粘附于散熱蓋的熱界面材料設置區域，所述散熱蓋的熱界面材料設置區域用于設置熱界面材料；其中，所述石墨片由石墨烯片填充在高分子材料中制成，作為所述散熱蓋與倒裝芯片間的熱界面材料；
5、將所述散熱蓋與所述基礎封裝結構壓合，使所述散熱蓋粘附的石墨片與所述散熱蓋和所述倒裝芯片的表面相壓合，形成芯片封裝結構。
6、第二方面，本申請實施例還提供了一種芯片封裝結構，包括：
7、基板；
8、連接于所述基板的上表面的倒裝芯片；
9、與所述基板壓合的散熱蓋
10、第三方面，本申請實施例還提供一種計算機設備，包括如第二方面所述的芯片封裝結構。
11、本申請實施例提供的芯片封裝方法，以石墨片作為填充倒裝芯片和散熱蓋間空間的熱界面材料，將所述石墨片粘附在散熱蓋用于設置熱界面材料的熱界面材料設置區域，然后將散熱蓋與基礎封裝結構壓合，使所述石墨片與倒裝芯片的表面壓合，壓合后的石墨片與所述倒裝芯片、散熱蓋均緊密接觸，能夠避免熱界面材料、芯片和散熱蓋之間產生空洞，提高散熱性能；并且通過石墨片作為填充芯片和散熱蓋間空間的熱界面材料，能夠避免銦金屬材料的散熱效果逐漸劣化，或銦金屬材料的焊接過程中產生的空洞影響芯片的散熱性能以及銦金屬材料的焊接工藝復雜的問題，從而提高芯片封裝的散熱性能和封裝效率。
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1.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片包括：朝向散熱蓋的第一朝向面，以及朝向倒裝芯片的第二朝向面；所述第一朝向面包括粘附區域，以及與所述散熱蓋進行直接熱傳導的第一直接熱傳導區域；
3.如權利要求2所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述粘附區域為所述第一朝向面的邊緣區域，所述第一直接熱傳導區域為所述第一朝向面的主體區域，所述第一朝向面的邊緣區域位于所述第一朝向面的主體區域的外邊；所述第一朝向面的主體區域的面積大于所述倒裝芯片的面積；
4.如權利要求2-3任一項所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第二朝向面包括：與所述倒裝芯片進行直接熱傳導的第二直接熱傳導區域；所述第二朝向面的第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積大于所述第二直接熱傳導區域；
5.如權利要求2-3任一項所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述倒裝芯片的數量為至少兩個；所述第二朝向面具有與倒裝芯片進行直接熱傳導的多個第二直接熱傳導區域，所述多個第二直接熱傳導區域與所
6.如權利要求2-3任一項所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述倒裝芯片的數量為至少兩個；所述石墨片的數量為至少兩個，其中，至少兩個所述石墨片的厚度不同；每一個所述第二朝向面具有與其對應的倒裝芯片進行直接熱傳導的第二直接熱傳導區域，所述第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積，大于所述第二直接熱傳導區域的面積；
7.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片包括：沿水平方向上垂直分布的至少一個石墨烯片，與填充在所述石墨烯片兩側的高分子樹脂材料。
8.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片在垂直方向上的導熱系數大于銦的導熱系數。
9.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片的厚度為200um～400um。
10.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片的平均密度為0.2～1.0g/cm3，所述石墨片中石墨烯的質量占比為5％～30％。
11.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述填充在所述石墨烯片兩側的高分子樹脂材料中摻雜有輔助填充材料。
12.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述將所述散熱蓋與所述基礎封裝結構壓合的壓力為所述倒裝芯片的數量乘以9kgf。
13.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述方法還包括：
14.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：
15.如權利要求14所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述石墨片包括：朝向散熱蓋的第一朝向面，以及朝向倒裝芯片的第二朝向面；所述第一朝向面與所述散熱蓋的熱界面材料設置區域相壓合，所述第一朝向面包括：
16.如權利要求15所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述粘附區域為所述第一朝向面的邊緣區域，所述第一直接熱傳導區域為所述第一朝向面的主體區域，所述第一朝向面的邊緣區域位于所述第一朝向面的主體區域的外邊；所述第一朝向面的主體區域的面積大于所述倒裝芯片的面積。
17.如權利要求15-16任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第二朝向面包括：與所述倒裝芯片進行直接熱傳導的第二直接熱傳導區域；所述第二朝向面的第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積大于所述第二直接熱傳導區域。
18.如權利要求15-16任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述倒裝芯片的數量為至少兩個；所述第二朝向面具有與倒裝芯片進行直接熱傳導的多個第二直接熱傳導區域，所述多個第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積，大于所述多個第二直接熱傳導區域的面積。
19.如權利要求15-16任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述倒裝芯片的數量為至少兩個；所述石墨片的數量為至少兩個，其中，至少兩個所述石墨片的厚度不同；每一個所述第二朝向面具有與其對應的倒裝芯片進行直接熱傳導的第二直接熱傳導區域，所述第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積，大于所述第二直接熱傳導區域的面積。
20.如權利要求14所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述石墨片包括：沿水平方向上垂直分布的至少一個石墨烯片，與...
【技術特征摘要】
1.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片包括：朝向散熱蓋的第一朝向面，以及朝向倒裝芯片的第二朝向面；所述第一朝向面包括粘附區域，以及與所述散熱蓋進行直接熱傳導的第一直接熱傳導區域；
3.如權利要求2所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述粘附區域為所述第一朝向面的邊緣區域，所述第一直接熱傳導區域為所述第一朝向面的主體區域，所述第一朝向面的邊緣區域位于所述第一朝向面的主體區域的外邊；所述第一朝向面的主體區域的面積大于所述倒裝芯片的面積；
4.如權利要求2-3任一項所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第二朝向面包括：與所述倒裝芯片進行直接熱傳導的第二直接熱傳導區域；所述第二朝向面的第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積大于所述第二直接熱傳導區域；
5.如權利要求2-3任一項所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述倒裝芯片的數量為至少兩個；所述第二朝向面具有與倒裝芯片進行直接熱傳導的多個第二直接熱傳導區域，所述多個第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積，大于所述多個第二直接熱傳導區域的面積；
6.如權利要求2-3任一項所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述倒裝芯片的數量為至少兩個；所述石墨片的數量為至少兩個，其中，至少兩個所述石墨片的厚度不同；每一個所述第二朝向面具有與其對應的倒裝芯片進行直接熱傳導的第二直接熱傳導區域，所述第二直接熱傳導區域與所述第一朝向面的第一直接熱傳導區域相對，且所述第一直接熱傳導區域的面積，大于所述第二直接熱傳導區域的面積；
7.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片包括：沿水平方向上垂直分布的至少一個石墨烯片，與填充在所述石墨烯片兩側的高分子樹脂材料。
8.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片在垂直方向上的導熱系數大于銦的導熱系數。
9.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片的厚度為200um～400um。
10.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述石墨片的平均密度為0.2～1.0g/cm3，所述石墨片中石墨烯的質量占比為5％～30％。
11.如權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述填充在所述石墨烯片兩側的高分子樹脂材料中摻雜有輔助填充材料。
12.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述將所述散熱蓋與所述基礎封裝結構壓合的壓力為所述倒裝芯片的數量乘以9kgf。
13.如權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述方法還包括：
14.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：
15.如權利要求14所述的芯片封...
【專利技術屬性】
技術研發人員：方英舉，
申請(專利權)人：海光信息技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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