【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體而言，涉及一種用于加熱盤的快速散熱風圈。
技術介紹
1、在晶圓生產過程中，為滿足不同工藝需求，經常需要使熱盤升溫或降溫到某一溫度，在實際生產中，降溫時長遠高于升溫。因此，為了提高晶圓生產效率，需要在熱盤系統中增加需要外部裝置對高溫熱盤實現快速冷卻任務。現有的加熱盤降溫方法主要有自然冷卻、腔體排風系統和熱盤表面直吹風系統等，腔體排風系統是對熱盤外部較大的空間進行整體抽風，難以在熱盤表面附近形成較大風量，熱盤表面直吹風冷系統則占用了額外的垂直空間，現有方法降溫速率低，散熱效率低，從而影響晶圓生產效率。
技術實現思路
1、鑒于現有技術存在的上述問題，本專利技術的目的在于提供一種用于加熱盤的快速散熱風圈，通過設置相互嵌合的圓環套設于加熱盤外，基于伯努利空氣動力學原理，使晶圓加熱盤上下表面的進出風量遠大于進風口風量，提升了加熱盤上下面附近的氣體流量，提高了熱盤冷卻降溫速率，提高了晶圓生產效率，且該散熱風圈不占用額外的垂直空間，可實現上下盤面雙向散熱，散熱效率和經濟效應更高。
2、本專利技術采用的技術方案是，提供一種用于加熱盤的快速散熱風圈，所述加熱盤快速散熱風圈套設于加熱盤外部，所述加熱盤快速散熱風圈包括：
3、內圈，所述內圈包括第一擋環和第二擋環，所述第一擋環上設有進氣口和出氣口，所述第二擋環與所述第一擋環固定連接，所述第二擋環設置于所述進氣口和所述出氣口之間，將所述第一擋環分隔為進氣側和出氣側；
4、外圈，所述外圈套設于所述內
5、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：通過設置相互配合的外圈和內圈套設于加熱盤外，內圈設置進氣口，且外圈和內圈形成出風通道，進氣口進入的高速氣流射出出風通道，內圈外表面產生負壓，迫使加熱盤上方的空氣沿盤面流入散熱風圈內，且整個散熱風圈上下出入口的空氣流量遠大于底部進氣孔進氣流量，實現了給加熱盤上下表面高效降溫的效果。
6、在可選的實施方式中，所述第二擋環包括延伸部和彎折部，所述延伸部的一端與所述第一擋環連接，所述延伸部的另一端連接所述彎折部，所述彎折部向靠近所述外壁的方向延伸。
7、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：通過設置第二擋環的延伸部和彎折部，所述彎折部向靠近所述外壁的方向延伸，所述彎折部和所述延伸部與所述第三擋環形成出風通道。
8、在可選的實施方式中，所述延伸部向遠離所述外壁的方向延伸，在所述快速散熱風圈的徑向剖面上，所述延伸部在出氣側與所述第一擋環之間形成70°-80°的夾角。
9、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：所述延伸部與所述第一檔環之間形成70°-80°的夾角，有利于流出氣體加速，在所述內圈的外表面形成更大的負壓，吸入更多的氣體。
10、在可選的實施方式中，在所述快速散熱風圈的徑向剖面上，所述彎折部在所述進氣側與所述延伸部之間形成115°-125°的夾角。
11、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：所述彎折部和所述延伸部之間形成115°-125°的夾角，有利于氣體經過所述出風通道時流速增大，所述彎折部與外壁內壁形成出風通道，能夠引導氣體平穩集中流出。
12、在可選的實施方式中，所述第一擋環上的所述進氣口的直徑小于所述出氣口的直徑。
13、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：所述進氣口的直徑小于所述出氣口的直徑，使加熱盤上下表面的進出風量遠大于進氣口風量，提升了加熱盤上下面附近的氣體流量，加快了冷卻速率。
14、在可選的實施方式中，所述第二擋環與所述第三擋環之間形成的所述出風通道的寬度范圍為1.10mm-1.30mm。
15、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：通過設置第二擋環與所述第三擋環之間形成的所述出風通道的寬度范圍為1.10mm-1.30mm，使氣流經過該狹窄區域時進行壓縮，從而獲得更高的出口速度。
16、在可選的實施方式中，所述第三擋環和所述外壁的高度的比值為2-2.1。
17、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：所述第三擋環和所述外壁高度的比值為2-2.1，高度設計合理，外壁高度過高，則所述第三擋環結構輕度不夠，外壁高度過低，則會導致所述第二擋環的高度也降低，導致氣流在第二擋環外壁形成不夠，對散熱效果造成影響。
18、在可選的實施方式中，所述進氣口設置為多個，所述第一擋環在進氣側設置有隔板，所述隔板用于分隔多個所述進氣口。
19、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：通過在第一擋環的進氣口之間設置隔板，避免進氣口之間的氣流相互干擾，每個進氣口形成獨立的進氣腔體有利于氣流更加平穩均勻地流入。
20、在可選的實施方式中，所述第三擋環與所述加熱盤之間形成進風通道，所述進風通道與所述出氣口連通。
21、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：所述進風通道的設置有利于加熱盤上下表面的氣體進出流動，提升加熱盤上下面附近的氣體流量，加快散熱熱效率。
22、在可選的實施方式中，所述外壁與所述第三擋環之間具有密封槽。
23、與現有技術相比，采用該技術方案所達到的技術效果：所述密封槽用于固定密封圈，起到密封的作用。
24、本專利技術實施例的快速散熱風圈，通過設置相互配合的外圈和內圈套設于加熱盤外，內圈設置進氣口，且外圈和內圈形成出風通道，進氣口進入的高速氣流射出出風通道，內圈外表面產生負壓，迫使加熱盤上方的空氣沿盤面流入散熱風圈內，且整個加熱盤上下表面的進出風量遠大于內圈底部進氣口的進氣流量，實現了給加熱盤上下表面高效降溫的效果，提高了晶圓生產效率，且該散熱風圈不占用額外的垂直空間，可實現上下盤面雙向散熱，散熱效率和經濟效應更高。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種用于加熱盤的快速散熱風圈，所述快速散熱風圈套設于加熱盤（300）外部，其特征在于，所述快速散熱風圈包括：
2.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述第二擋環（120）包括延伸部（121）和彎折部（122），所述延伸部（121）的一端與所述第一擋環（110）連接，所述延伸部（121）的另一端連接所述彎折部（122），所述彎折部（122）向靠近所述外壁（210）的方向延伸。
3.根據權利要求2所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述延伸部（121）向遠離所述外壁（210）的方向延伸，在所述快速散熱風圈的徑向剖面上，所述延伸部（121）在出氣側與所述第一擋環（110）之間形成70°-80°的夾角。
4.根據權利要求2所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，在所述快速散熱風圈的徑向剖面上，所述彎折部（122）在所述進氣側與所述延伸部（121）之間形成115°-125°的夾角。
5.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述第一擋環（110）上的所述進氣口（111）的直徑小于所述
6.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述第二擋環（120）與所述第三擋環（220）之間形成的所述出風通道（400）的寬度范圍為1.10mm-1.30mm。
7.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述第三擋環（220）和所述外壁（210）的高度的比值為2-2.1。
8.根據權利要求1-7任一項所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述進氣口（111）設置為多個，所述第一擋環（110）在進氣側設置有隔板（113），所述隔板（113）用于分隔多個所述進氣口（111）。
9.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述第三擋環（220）與所述加熱盤（300）之間形成進風通道，所述進風通道與所述出氣口（112）連通。
10.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述外壁（210）與所述第三擋環（220）之間具有密封槽（230）。
...【技術特征摘要】
1.一種用于加熱盤的快速散熱風圈，所述快速散熱風圈套設于加熱盤（300）外部，其特征在于，所述快速散熱風圈包括：
2.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述第二擋環（120）包括延伸部（121）和彎折部（122），所述延伸部（121）的一端與所述第一擋環（110）連接，所述延伸部（121）的另一端連接所述彎折部（122），所述彎折部（122）向靠近所述外壁（210）的方向延伸。
3.根據權利要求2所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述延伸部（121）向遠離所述外壁（210）的方向延伸，在所述快速散熱風圈的徑向剖面上，所述延伸部（121）在出氣側與所述第一擋環（110）之間形成70°-80°的夾角。
4.根據權利要求2所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，在所述快速散熱風圈的徑向剖面上，所述彎折部（122）在所述進氣側與所述延伸部（121）之間形成115°-125°的夾角。
5.根據權利要求1所述的用于加熱盤的快速散熱風圈，其特征在于，所述第一擋環（11...
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂博錦，魏澎濤，陳澤炅，
申請(專利權)人：寧波潤華全芯微電子設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。