【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及磁控濺射鍍膜，尤其涉及一種膜層結構及其制備方法、光電器件。
技術介紹
1、銀膜具有低電阻率和高反射率的優點，被廣泛應用于low-e玻璃、oled器件等光電器件中，low-e玻璃利用銀膜來選擇性反射紅外線和紫外線，oled器件利用銀膜充當陽極、增加顯示亮度。
2、然而在這些應用中，銀膜直接濺鍍在玻璃等基材上容易發生脫模的現象，而且在加熱或者在水汽環境中銀原子會發生遷移和團聚，進而降低銀膜的使用性能。
技術實現思路
1、本專利技術實施例提供了一種膜層結構及其制備方法、光電器件，旨在增強光電器件中金屬膜在基板上的附著力，以及保護金屬膜免受高溫和水汽的影響。
2、本專利技術提供的膜層結構的制備方法包括：
3、依次在基板上制備第一膜層、在所述第一膜層上制備第二膜層；所述第一膜層和第二膜層中，其中一個膜層的材質為金屬膜，另一個膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜。
4、可選地，所述第一膜層為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜，所述第二膜層的材質為金屬膜，在所述第一膜層上制備第二膜層的步驟之后，還包括：
5、在所述第二膜層上制備第三膜層；所述第三膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜。
6、可選地，所述金屬膜為銀膜。
7、可選地，所述氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜通過磁控濺射氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰靶材制備，包括以下步驟：
8、s1，在磁控濺射系統上安裝氧化銦摻雜氧化鈦
9、s2，將基板或制備有金屬膜的基板放入等待腔中，對濺射腔抽真空；
10、s3，往濺射腔中通入氬氣，調節氣壓，設定靶間距和濺射功率，打開電源進行預濺射；
11、s4，將等待腔中的基板放入濺射腔中，往濺射腔中通入氬氣、氫氣和氧氣的混合氣體，調節氣壓，設定靶間距和濺射功率，打開電源進行氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜的沉積。
12、可選地，在所述步驟s4中，所述混合氣體包括由2%氫氣和98%氬氣組成的第一混合氣體，以及由10%氧氣和90%氬氣組成的第二混合氣體；
13、所述第一混合氣體和所述第二混合氣體的流量比為80:20至90:10；
14、調節氣壓的步驟具體為：將濺射腔中的氣壓調節至2.5mtorr-5.2mtorr；
15、設定靶間距和濺射功率的步驟具體為：設定靶間距為45mm-100mm，濺射功率為810w-1430w。
16、可選地，所述氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰靶材的組分比例為氧化銦：氧化鈦：氧化鉭：氧化鈰=98.57wt%：0.63wt%：0.51wt%：0.28wt%。
17、可選地，所述銀膜通過磁控濺射銀靶材制備，包括以下步驟：
18、s5，在磁控濺射系統上安裝銀靶材；
19、s6，將基板或制備有氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜的基板放入等待腔中，對濺射腔抽真空；
20、s7，往濺射腔中通入氬氣，調節氣壓，設定靶間距和濺射功率，打開電源進行預濺射；
21、s8，將等待腔中的基板放入濺射腔中，往濺射腔中通入氬氣，調節氣壓，設定靶間距和濺射功率，打開電源進行銀膜的沉積。
22、可選地，在所述步驟s8中，調節氣壓的步驟具體為：將濺射腔中的氣壓調節至1.2mtorr-5.7mtorr；
23、設定靶間距和濺射功率的步驟具體為：設定靶間距為45mm-100mm，濺射功率為810-1430w。
24、可選地，所述氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜的厚度為10-30nm，所述銀膜的厚度為50-100nm。
25、本專利技術提供了一種以上所述的膜層結構的制備方法形成的膜層結構。
26、本專利技術還提供了一種光電器件，包括：
27、基板；
28、設于所述玻璃基板表面的膜層結構，所述膜層結構包括設于所述基板上的第一膜層、設于所述第一膜層上的第二膜層；所述第一膜層和第二膜層中，其中一個膜層的材質為金屬膜，另一個膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜。
29、可選地，所述第一膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜，所述第二膜層的材質為金屬膜，所述膜層結構還包括：
30、設于所述第二膜層上的第三膜層，所述第三膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜。
31、本專利技術具有以下有益效果：
32、本專利技術提供的膜層結構中，氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜具有良好的導電性以及在可見光范圍內較高的透光率，不影響金屬膜如銀膜等在光電器件中的光電性能，并且可以設置在金屬膜和基板之間作為中間過渡層，或者設置在金屬膜的表面作為保護層，實現以下有益效果：
33、1、氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜作為中間過渡層，可改善金屬膜如銀膜等與基板的表面能匹配，同時緩解基板與金屬膜之間因熱膨脹系數、晶格常數等差異而產生的內應力，增強了金屬膜在基板表面的附著力，避免發生脫模現象；
34、2、氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜作為金屬膜的表面保護層，可避免環境中的水汽直接侵蝕到金屬膜；且氧化鉭有利于提升薄膜的結晶度，氧化鈰有利于晶格收縮、增強氧化銦的凝聚態，從而抑制金屬膜中金屬原子的團聚、遷移，例如抑制銀膜中銀原子的團聚、遷移，進一步保護金屬膜免受高溫、水汽侵蝕；
35、3、氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜可通過磁控濺射制備，其中，氧化鉭可以提升薄膜的結晶度，鈰離子半徑大于銦離子半徑，從而有利于晶格收縮提升靶材密度，進而有利于采用磁控濺射的方法進行鍍膜，提升薄膜的質量和沉積速率。
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1.一種膜層結構的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所述第一膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜，所述第二膜層的材質為金屬膜，在所述第一膜層上制備第二膜層的步驟之后，還包括：
3.根據權利要求1或2所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所述金屬膜為銀膜。
4.根據權利要求1或2所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所述氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜通過磁控濺射氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰靶材制備，包括以下步驟：
5.根據權利要求4所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，在所述步驟S4中，所述混合氣體包括由2%氫氣和98%氬氣組成的第一混合氣體，以及由10%氧氣和90%氬氣組成的第二混合氣體；
6.根據權利要求4所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所述氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰靶材的組分比例為氧化銦：氧化鈦：氧化鉭：氧化鈰=98.57wt%：0.63wt%：0.51wt%：0.28wt%。
7.根據權利要求3所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所
8.一種由權利要求1-7任一項所述的膜層結構的制備方法形成的膜層結構。
9.一種光電器件，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的光電器件，其特征在于，所述第一膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜，所述第二膜層的材質為金屬膜，所述膜層結構還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種膜層結構的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所述第一膜層的材質為氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜，所述第二膜層的材質為金屬膜，在所述第一膜層上制備第二膜層的步驟之后，還包括：
3.根據權利要求1或2所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所述金屬膜為銀膜。
4.根據權利要求1或2所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，所述氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰薄膜通過磁控濺射氧化銦摻雜氧化鈦氧化鉭氧化鈰靶材制備，包括以下步驟：
5.根據權利要求4所述的膜層結構的制備方法，其特征在于，在所述步驟s4中，所述混合氣體包括由2%氫氣和98%氬氣組成的第一混合氣體，以及由10...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李糧任，方奕錕，趙玉，韋啟杏，
申請(專利權)人：廣東先導稀材股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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