【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及保持裝置。
技術介紹
1、作為在制造半導體時保持晶圓（半導體晶圓）的保持裝置，使用靜電卡盤。靜電卡盤具備以作為絕緣性的陶瓷的氧化鋁為主體的保持基板（陶瓷基板），在該保持基板的表面上通過靜電引力保持晶圓。靜電引力通過對設置于保持基板的內部的電極層（卡盤電極）施加電壓而產生。
2、在這種靜電卡盤中，近年來，在等離子體蝕刻等等離子體處理中，要求施加高功率的高頻電力。因此，作為構成保持基板的母材（板狀部件）的材料，使用耐等離子體性等優異的高純度的氧化鋁（純度99.99%）（例如，參照專利文獻1）。此外，若保持基板的母材由高純度的氧化鋁構成，則母材與形成于其內部的電極層的粘接性有可能降低。因此，在母材由高純度的氧化鋁構成的保持基板的情況下，在形成電極層時，除了導電性粉末（pd粉末）、粘合劑以外，還使用添加了以提高與母材的粘接性為目的的氧化鋁粉末的金屬化膏。在由這樣的金屬化膏構成的電極層中，形成有將一面側與另一面側在厚度方向上相連的三維網眼狀的由氧化鋁構成的網絡，因此可確保電極層與母材的緊貼性。
3、現有技術文獻
4、專利文獻
5、專利文獻1：日本專利第5441020號公報
技術實現思路
1、專利技術所要解決的課題
2、要求確保母材（板狀部件）與電極層的緊貼性。
3、另外，在形成電極層時，如果增加氧化鋁粉末的使用量，則雖然電極層與保持基板的母材的緊貼性提高，但存在保持基板（特別是電極層附近）的導熱性降低的問題
4、隨著等離子體處理，當保持基板的一個表面（上側的表面）側被加熱時，熱以從一個表面側朝向另一個表面（下側的表面）側的方式在保持基板的內部等移動。在另一個表面側配置有基座部件，當該基座部件被加熱時，基座部件被設置于內部的冷卻機構（制冷劑流路等）冷卻。然而，如上所述，若在形成電極層時氧化鋁粉末的使用量變多，則由該氧化鋁粉末構成的導熱性低的部分形成于電極層的內部等，因此該部分妨礙保持基板中的熱的移動，成為使保持基板的除熱性降低的原因。
5、本專利技術的目的在于提供一種保持裝置，具備以高純度的陶瓷為主成分的板狀部件和與配置于其內部的電極層的緊貼性優異的保持基板。
6、另外，本專利技術的另一目的在于提供一種保持裝置，具備以高純度的陶瓷為主成分的板狀部件與配置于其內部的電極層的粘接性優異并且除熱性（導熱性）優異的保持基板。
7、用于解決課題的技術方案
8、用于解決上述課題的手段如下。即，＜1＞一種保持裝置，具備保持基板，所述保持基板具有：板狀部件，包括保持對象物的第一表面及配置于所述第一表面的相反側的第二表面，且含有陶瓷作為主成分；及電極層，配置于所述板狀部件的內部，含有導電材料作為主成分且含有所述陶瓷作為副成分，所述板狀部件包括：第一介電層，配置于所述電極層的所述第一表面側，且所述主成分的含有率為99質量％以上；及第二介電層，配置于所述電極層的所述第二表面側，且所述主成分的含有率為99質量％以上，所述電極層的所述第一表面側的表面的分形維數d為1.18以上。
9、＜2＞根據上述＜1＞所述的保持裝置，其中，在沿著厚度方向的所述電極層的截面中，所述陶瓷相對于設定在所述電極層的中心側的觀察范圍的面積比率為30％以下。
10、＜3＞根據上述＜1＞或＜2＞所述的保持裝置，其中，在所述電極層的所述截面中，所述陶瓷不以將所述第一介電層與所述第二介電層相連的形式存在。
11、＜4＞根據上述＜1＞至＜3＞中任一項所述的保持裝置，其中，在俯視觀察所述板狀部件的狀態下，所述電極層相對于所述第一表面的面積比率為80％以上。
12、專利技術效果
13、根據本專利技術，能夠提供一種保持裝置，具備以高純度的陶瓷為主成分的板狀部件和與配置于其內部的電極層的緊貼性優異的保持基板。
14、另外，根據本專利技術，能夠提供一種保持裝置，具備以高純度的陶瓷為主成分的板狀部件與配置于其內部的電極層的粘接性優異并且除熱性（導熱性）優異的保持基板。
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1.一種保持裝置，具備保持基板，所述保持基板具有：板狀部件，包括保持對象物的第一表面及配置于所述第一表面的相反側的第二表面，且含有陶瓷作為主成分；及電極層，配置于所述板狀部件的內部，含有導電材料作為主成分且含有所述陶瓷作為副成分，其中，
2.根據權利要求1所述的保持裝置，其中，
3.根據權利要求1或2所述的保持裝置，其中，
4.根據權利要求1或2所述的保持裝置，其中，
【技術特征摘要】
1.一種保持裝置，具備保持基板，所述保持基板具有：板狀部件，包括保持對象物的第一表面及配置于所述第一表面的相反側的第二表面，且含有陶瓷作為主成分；及電極層，配置于所述板狀部件的內部，含有導電材料作為主成分...
【專利技術屬性】
技術研發人員：稻吉輝，辻正樹，乾靖彥，
申請(專利權)人：日本特殊陶業株式會社，
類型：發明
國別省市：
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