【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電磁兼容性(electromagnetic?compatibility，emc)防護(hù)，特別是確定防護(hù)器件的抗擾度的方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)和產(chǎn)品。
技術(shù)介紹
1、emc測試，通常包括電磁干擾(electromagnetic?interference，emi)測試和電磁抗擾度(electro?magnetic?susceptibility，ems)測試。ems測試通常用于測試設(shè)備對電磁干擾的抗擾度。抗擾度是指電子設(shè)備或系統(tǒng)在面對電磁干擾時(shí)，能夠保持正常工作的能力。抗擾度通常包括靜電放電抗擾度、射頻電磁場抗擾度、電快速瞬變脈沖群抗擾度、浪涌抗擾度和傳導(dǎo)抗擾度，等等。
2、目前，通過一系列的實(shí)際測試以評估防護(hù)器件的抗擾度。然而，實(shí)際測試具有較高的經(jīng)濟(jì)成本和時(shí)間成本。而且，在對具有整流濾波的功率端口電路進(jìn)行實(shí)際測試時(shí)，由于濾波電容的存在，評估結(jié)果可能產(chǎn)生較大偏差，通常需要多次迭代才能獲得較準(zhǔn)確結(jié)果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)實(shí)施方式提出確定防護(hù)器件的抗擾度的方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)和產(chǎn)品，有利于減少經(jīng)濟(jì)成本和時(shí)間成本。
2、一種確定防護(hù)器件的抗擾度的方法，包括：
3、確定防護(hù)器件的電壓與所述防護(hù)器件的電流之間的映射關(guān)系；
4、基于所述映射關(guān)系，確定所述防護(hù)器件的仿真模型；
5、創(chuàng)建包含干擾發(fā)生器與所述仿真模型的電路拓?fù)洌?/p>
6、仿真運(yùn)行所述電路拓?fù)洌?/p>
7、基于所述電路拓?fù)涞姆抡娼Y(jié)果，確定所述防護(hù)
8、因此，不同于對防護(hù)器件的抗擾度進(jìn)行實(shí)際測試，本專利技術(shù)實(shí)施方式通過防護(hù)器件的電壓與電流之間的映射關(guān)系以確定防護(hù)器件的仿真模型，仿真運(yùn)行包含干擾發(fā)生器與仿真模型的電路拓?fù)洌瑥亩苑抡娣绞酱_定出防護(hù)器件的抗擾度，節(jié)約了經(jīng)濟(jì)成本和時(shí)間成本。而且，針對包含整流濾波電路的保護(hù)電路場景，以仿真方式確定抗擾度，減少了操作難度。
9、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述防護(hù)器件為金屬氧化物壓敏電阻(metal?oxidevaristor，mov)；
10、所述確定防護(hù)器件的電壓與所述防護(hù)器件的電流之間的映射關(guān)系包括：
11、確定所述mov的映射關(guān)系通式，所述映射關(guān)系通式包含冪函數(shù)，所述冪函數(shù)的因變量為所述mov的電壓，所述冪函數(shù)的自變量為所述mov的電流；
12、基于所述mov的電壓與電流之間的關(guān)系曲線，確定在所述關(guān)系曲線的防護(hù)區(qū)中的至少兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)；
13、基于所述至少兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，確定所述冪函數(shù)的指數(shù)系數(shù)及所述冪函數(shù)的乘法系數(shù)；
14、基于所述指數(shù)系數(shù)、所述乘法系數(shù)及所述映射關(guān)系通式，確定所述映射關(guān)系。
15、可見，基于mov的關(guān)系曲線的防護(hù)區(qū)中的數(shù)據(jù)點(diǎn)，可以快速確定mov的映射關(guān)系。
16、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述防護(hù)器件為瞬態(tài)電壓抑制二極管(transient?voltagesuppressor，tvs)；
17、所述確定防護(hù)器件的電壓與所述防護(hù)器件的電流之間的映射關(guān)系包括：
18、確定所述tvs的映射關(guān)系通式，所述映射關(guān)系通式包含一次函數(shù)，所述一次函數(shù)的因變量為所述tvs的電壓，所述一次函數(shù)的自變量為所述tvs的電流；
19、基于所述tvs的電壓與電流之間的關(guān)系曲線，確定在所述關(guān)系曲線的防護(hù)區(qū)中的至少兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)；
20、基于所述至少兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，確定所述一次函數(shù)的斜率與常數(shù)項(xiàng)；
21、基于所述斜率、所述常數(shù)項(xiàng)及所述映射關(guān)系通式，確定所述映射關(guān)系。
22、可見，基于tvs的關(guān)系曲線的防護(hù)區(qū)中的數(shù)據(jù)點(diǎn)，可以快速確定tvs的映射關(guān)系。
23、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述防護(hù)器件為tvs；
24、所述確定防護(hù)器件的電壓與所述防護(hù)器件的電流之間的映射關(guān)系包括：
25、確定所述tvs的映射關(guān)系通式，所述映射關(guān)系通式包含一次函數(shù)，所述一次函數(shù)的因變量為所述tvs的電壓，所述一次函數(shù)的自變量為所述tvs的電流；
26、確定所述tvs的最大擊穿電壓、最大鉗位電壓與峰值鉗位電流；
27、基于所述最大鉗位電壓、所述最大擊穿電壓與所述峰值鉗位電流，確定所述一次函數(shù)的斜率；
28、基于所述最大擊穿電壓，確定所述一次函數(shù)的常數(shù)項(xiàng)；
29、基于所述斜率、所述常數(shù)項(xiàng)及所述映射關(guān)系通式，確定所述映射關(guān)系。
30、可見，基于tvs的電學(xué)參數(shù)，可以快速確定tvs的映射關(guān)系。
31、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述基于所述映射關(guān)系，確定所述防護(hù)器件的仿真模型包括：
32、基于所述映射關(guān)系，在仿真工具設(shè)置任意行為電壓源(arbitrary?behavioralvoltage?source)或任意行為電流源(arbitrary?behavioral?current?source)的屬性參數(shù)；
33、將所述任意行為電壓源或任意行為電流源，確定為所述防護(hù)器件的仿真模型。
34、因此，通過設(shè)置任意行為電壓源或任意行為電流源，便于生成防護(hù)器件的仿真模型。
35、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述創(chuàng)建包含干擾發(fā)生器與所述仿真模型的電路拓?fù)浒ǎ?/p>
36、在所述仿真工具中，將所述任意行為電壓源或任意行為電流源與所述防護(hù)器件的防護(hù)對象耦合以形成防護(hù)電路；
37、在所述仿真工具中，將所述干擾發(fā)生器與所述防護(hù)電路耦合以創(chuàng)建所述電路拓?fù)洹?/p>
38、因此，基于仿真工具，可以快速建立電路拓?fù)洹?/p>
39、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述將干擾發(fā)生器與所述防護(hù)電路耦合包括：
40、在所述干擾發(fā)生器與所述防護(hù)電路之間，設(shè)置耦合去耦網(wǎng)絡(luò)。
41、可見，通過設(shè)置耦合去耦網(wǎng)絡(luò)，可以將干擾發(fā)生器提供的干擾信號有選擇地耦合到防護(hù)電路。
42、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述干擾發(fā)生器為浪涌發(fā)生器；
43、所述基于所述電路拓?fù)涞姆抡娼Y(jié)果，確定所述防護(hù)器件的抗擾度包括下列中的至少一個(gè)：
44、當(dāng)所述仿真結(jié)果表征在浪涌抗擾測試時(shí)，所述防護(hù)器件的鉗位電壓大于預(yù)定的安全電壓時(shí)，確定所述防護(hù)器件的浪涌抗擾度不合格；
45、當(dāng)所述仿真結(jié)果表征在浪涌抗擾測試時(shí)，所述防護(hù)器件的鉗位電壓小于預(yù)定的電壓閾值時(shí)，確定所述防護(hù)器件的浪涌抗擾度不合格；
46、當(dāng)所述仿真結(jié)果表征在浪涌抗擾測試時(shí)，所述防護(hù)器件的鉗位電壓小于或等于預(yù)定的安全電壓且大于或等于預(yù)定的電壓閾值時(shí)，確定所述防護(hù)器件的浪涌抗擾度合格。
47、可見，通過仿真方式，可以確定防護(hù)器件的浪涌抗擾度。
48、在一個(gè)實(shí)施方式中，所述仿真運(yùn)行所述電路拓?fù)浒ǎ?/p>
49、基于所述電路拓?fù)涞脑骷?shù)的容差范圍，仿真運(yùn)行所述電路拓?fù)洌?/p>
50、所述基于所述電路拓?fù)涞姆抡娼Y(jié)果，確定所述防護(hù)器件的抗擾度包括：
51、基于對應(yīng)于所述容差范圍的仿真結(jié)果范圍，本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種確定防護(hù)器件的抗擾度的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)器件為金屬氧化物壓敏電阻；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)器件為瞬態(tài)電壓抑制二極管；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)器件為瞬態(tài)電壓抑制二極管；
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述基于所述映射關(guān)系，確定(102)所述防護(hù)器件的仿真模型包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述創(chuàng)建(103)包含干擾發(fā)生器與所述仿真模型的電路拓?fù)浒ǎ?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述將干擾發(fā)生器與所述防護(hù)電路耦合包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述干擾發(fā)生器為浪涌發(fā)生器；
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，
10.一種確定防護(hù)器件的抗擾度的裝置，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述防護(hù)器件為金屬氧化物壓敏電
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述防護(hù)器件為瞬態(tài)電壓抑制二極管；
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述防護(hù)器件為瞬態(tài)電壓抑制二極管；
14.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述創(chuàng)建模塊(703)，用于在所述仿真工具中，將所述任意行為電壓源或任意行為電流源與防護(hù)對象耦合以形成防護(hù)電路；在所述仿真工具中，將所述干擾發(fā)生器與所述防護(hù)電路耦合以創(chuàng)建所述電路拓?fù)洹?/p>
16.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：
17.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)指令，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)施權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的確定防護(hù)器件的抗擾度的方法。
18.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)施權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的確定防護(hù)器件的抗擾度的方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種確定防護(hù)器件的抗擾度的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)器件為金屬氧化物壓敏電阻；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)器件為瞬態(tài)電壓抑制二極管；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述防護(hù)器件為瞬態(tài)電壓抑制二極管；
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述基于所述映射關(guān)系，確定(102)所述防護(hù)器件的仿真模型包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述創(chuàng)建(103)包含干擾發(fā)生器與所述仿真模型的電路拓?fù)浒ǎ?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述將干擾發(fā)生器與所述防護(hù)電路耦合包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述干擾發(fā)生器為浪涌發(fā)生器；
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，
10.一種確定防護(hù)器件的抗擾度的裝置，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王進(jìn)鋒，沈宇華，
申請(專利權(quán))人：北京西門子西伯樂斯電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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