【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種外延工藝濃度監(jiān)控的方法。
技術(shù)介紹
1、超級結(jié)的性能與電荷匹配狀態(tài)密切相關(guān)，而p-epi(p型外延層)外延工藝直接影響pn電荷匹配，如何快速并準(zhǔn)確監(jiān)控線上外延工藝摻雜濃度是廣泛關(guān)注的重點(diǎn)。
2、現(xiàn)有技術(shù)需要在硅上進(jìn)行一系列諸如photo(光刻)，cvd(化學(xué)氣相沉積)，etch(刻蝕)，implant(離子注入)等工藝步驟，周期長。
3、為解決上述問題，需要提出一種新型的外延工藝濃度監(jiān)控的方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)的目的在于提供一種外延工藝濃度監(jiān)控的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中線上外延工藝摻雜濃度的監(jiān)控存在工藝步驟多，周期長的問題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本專利技術(shù)提供一種外延工藝濃度監(jiān)控的方法，包括：
3、步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成n型的外延層；
4、步驟二、在所述外延層上形成深溝槽，利用外延在所述深溝槽中形成p柱，一個所述p型柱和對應(yīng)相鄰的一個n型柱組成超級結(jié)單元；
5、步驟三、在所述p柱上選取至少一個測試區(qū)域進(jìn)行p型離子重?fù)诫s注入，以形成p型重?fù)诫s區(qū)；
6、步驟四、在所述p型重?fù)诫s區(qū)上形成電阻值不高于預(yù)設(shè)值的金屬硅化物層，利用所述金屬硅化物層進(jìn)行電性測試得到所述p柱的電阻測試值，所述電阻測試值用于表征深溝槽外延填充的電荷量，以監(jiān)控超級結(jié)pn電荷匹配狀態(tài)。
7、優(yōu)選地，步驟二利用光刻、刻蝕的方法
8、優(yōu)選地，步驟三中根據(jù)所述p柱的尺寸、所述p柱的條數(shù)和所述金屬硅化物層的大小選取所述測試區(qū)域。
9、優(yōu)選地，步驟四中的所述金屬硅化物層的形成方法包括：在所述外延層上形成金屬硅化物阻擋層；打開所述測試區(qū)域上的所述金屬硅化物阻擋層；依次形成覆蓋所述測試區(qū)域的金屬層；利用熱退火的方法在所述測試區(qū)域上形成所述金屬硅化物層；去除剩余的所述金屬層。
10、優(yōu)選地，步驟四中利用光刻、刻蝕的方法打開所述測試區(qū)域上的所述金屬硅化物阻擋層。
11、優(yōu)選地，步驟四中的所述金屬層為ti。
12、優(yōu)選地，步驟四中的所述金屬硅化物層的材料為tisi2。
13、優(yōu)選地，步驟四中所述金屬硅化物阻擋層的材料為二氧化硅。
14、優(yōu)選地，步驟四中利用晶圓電性接受測試的方法測試得到所述電阻測試值。
15、如上所述，本專利技術(shù)的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，具有以下有益效果：
16、本專利技術(shù)采用工藝簡單，周期短的金屬硅化物工藝，可以較快實(shí)現(xiàn)外延工藝濃度監(jiān)控目的。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟二利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟三中根據(jù)所述P柱的尺寸、所述P柱的條數(shù)和所述金屬硅化物層的大小選取所述測試區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟四中的所述金屬硅化物層的形成方法包括：在所述外延層上形成金屬硅化物阻擋層；打開所述測試區(qū)域上的所述金屬硅化物阻擋層；依次形成覆蓋所述測試區(qū)域的金屬層；利用熱退火的方法在所述測試區(qū)域上形成所述金屬硅化物層；去除剩余的所述金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟四中利用光刻、刻蝕的方法打開所述測試區(qū)域上的所述金屬硅化物阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟四中的所述金屬層為Ti。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟四中的所述金屬硅化物層的材料為Ti
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟四中所述金屬硅化物阻擋層的材料為二氧化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟四中利用晶圓電性接受測試的方法測試得到所述電阻測試值。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟二利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟三中根據(jù)所述p柱的尺寸、所述p柱的條數(shù)和所述金屬硅化物層的大小選取所述測試區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延工藝濃度監(jiān)控的方法，其特征在于：步驟四中的所述金屬硅化物層的形成方法包括：在所述外延層上形成金屬硅化物阻擋層；打開所述測試區(qū)域上的所述金屬硅化物阻擋層；依次形成覆蓋所述測試區(qū)域的金屬層；利用熱退火的方法在所述測試區(qū)域上形成所述金屬硅化物層；去除剩余的所述金屬...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊賽，李昊，陸怡，
申請(專利權(quán))人：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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