【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及微米材料制備，尤其涉及一種采用化學氣相沉積方法制備sb摻雜sno2微米線的方法。
技術介紹
1、sno2是一種ⅳ-ⅵ族寬禁帶半導體材料，禁帶寬度為3.6ev，在可見光范圍透光性好，具有較高的載流子遷移率，良好的物理、化學穩定性，在光電器件、氣敏元件、光催化等領域有著廣泛的應用前景。
2、目前，研究人員基于sno2材料的研究主要集中在薄膜和納米結構方面，相比薄膜和納米結構，微米線具有高的晶體結晶質量的優勢，而大尺寸的微米線還具有易于在光學顯微鏡或肉眼下操作制備相應的器件的優點，能夠大大減小器件的制作難度。
3、未摻雜的本征sno2呈現n型導電特性，但其電子濃度低，現有技術通常摻雜sb和f等元素來實現提高其電子濃度的目的，而利用化學氣相沉積法制備長度可達1cm大尺寸的、電子濃度高且易于制備相關器件的sb摻雜sno2微米線的研究目前還未見報道。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種采用化學氣相沉積方法制備sb摻雜sno2微米線的方法，以解決上述問題。
2、為了實現上述目的，本專利技術的技術方案是：
3、一種采用化學氣相沉積方法制備sb摻雜sno2微米線的方法，包括以下步驟：
4、s1：將氧化亞錫粉末、sb2o3粉末和碳粉按質量比10:(1～2):(11～12)混合制得反應源材料粉末；
5、s2：將所述反應源材料粉末放入石英舟內，在石英舟上且反應源材料粉末的上方蓋上若干塊并列排放的蓋片，然后再將石英舟推入
6、s3：向石英管中通入流量為150～200ml/min的惰性載氣；
7、s4：當所述石英管內的高溫加熱區的加熱溫度達到1050～1150℃時，向高溫加熱區內通入反應氣體氧氣，氧氣的流量控制在20～50ml/min，生長時間為30分鐘；
8、s5：生長結束后，關閉反應氣體氧氣，繼續通入惰性載氣，待溫度降溫到室溫取出樣品，得到所述sb摻雜sno2微米線。
9、進一步地，所述蓋片的材質為藍寶石或石英，若干塊所述蓋片的總長度為3～6cm。
10、進一步地，所述氧化亞錫粉末純度大于99％。
11、進一步地，所惰性載氣為氬氣。
12、本專利技術的有益效果是：
13、本專利技術中公開的一種采用化學氣相沉積方法制備sb摻雜sno2微米線的方法，通過源材料之間的還原和氧化反應在石英舟內實現sb摻雜sno2微米線的生長，生長出的sb摻雜sno2微米線的直徑大約為40～80μm，長度為0.2-1cm，實現了長度達1cm的大尺寸sb摻雜sno2微米線的制備，大大提高了相應器件制備的便捷性；本方法操作簡單、成本低，而且微米線的可重復性強。
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1.一種采用化學氣相沉積方法制備Sb摻雜SnO2微米線的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種采用化學氣相沉積方法制備Sb摻雜SnO2微米線的方法，其特征在于，所述蓋片的材質為藍寶石或石英，若干塊所述蓋片的總長度為3～6cm。
3.根據權利要求1所述的一種采用化學氣相沉積方法制備Sb摻雜SnO2微米線的方法，其特征在于，所述氧化亞錫粉末純度大于99％。
4.根據權利要求1所述的一種采用化學氣相沉積方法制備Sb摻雜SnO2微米線的方法，其特征在于，所惰性載氣為氬氣。
【技術特征摘要】
1.一種采用化學氣相沉積方法制備sb摻雜sno2微米線的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種采用化學氣相沉積方法制備sb摻雜sno2微米線的方法，其特征在于，所述蓋片的材質為藍寶石或石英，若干塊所述蓋片的總長度為3～6cm。<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馮秋菊，王碩，楊壹涵，王彥明，隋雪，石佳輝，
申請(專利權)人：遼寧師范大學，
類型：發明
國別省市：
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