【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及顯示屏，尤其涉及一種反射型顯示裝置和電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、反射型顯示屏能夠在外界光線的照射下實現(xiàn)顯示，無需額外設(shè)置背光模組的一類顯示屏。現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，反射型顯示屏中的陣列基板通常在每個像素中都設(shè)有絕緣層連接孔，開設(shè)連接孔處與像素中其余位置的流動介質(zhì)具有不同的高度，因此在電場驅(qū)動時，該處的響應(yīng)速度與其他位置具有時間差，從而影響顯示區(qū)域的一致性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)旨在解決至少一個
技術(shù)介紹
中的問題。為此，本專利技術(shù)提出一種反射型顯示裝置和電子設(shè)備，該反射型顯示裝置通過合理設(shè)計，在陣列基板上的連通孔內(nèi)設(shè)置填充部，并且在填充部上設(shè)置補(bǔ)充電極，從而避免連通孔對頂部基板和陣列基板之間的電場造成干擾，使得頂部基板和陣列基板之間的區(qū)域具有相同的成像效果，進(jìn)而提升整體的顯示效果。
2、根據(jù)本專利技術(shù)第一方面實施例的一種反射型顯示裝置，包括有頂部基板、陣列基板和流動介質(zhì)層，所述頂部基板包括有頂部電極；所述陣列基板包括有多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)包括有底部基板、薄膜晶體管和像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管之間設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層開設(shè)有連通孔，所述像素電極在所述連通孔處與所述薄膜晶體管實現(xiàn)電連接，其中，所述連通孔內(nèi)設(shè)置有填充部，所述填充部上設(shè)置有補(bǔ)充電極，所述補(bǔ)充電極至少覆蓋所述填充部靠近所述頂部基板一側(cè)的表面；所述流動介質(zhì)層設(shè)置于所述頂部基板和所述陣列基板之間，所述流動介質(zhì)層包括有流動介質(zhì)。反射型顯示裝置通過在陣列基板上的連通孔內(nèi)設(shè)置填充
3、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述填充部為透明絕緣材料。
4、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述補(bǔ)充電極與所述像素電極組成相同。
5、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述補(bǔ)充電極為ito層。
6、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述補(bǔ)充電極為不透光電極層。
7、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述補(bǔ)充電極覆蓋所述像素電極的圖形。
8、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體、源極和漏極，所述漏極與所述像素電極在所述連通孔處互相導(dǎo)通以實現(xiàn)電連接。
9、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述流動介質(zhì)層包括支撐墻，所述支撐墻設(shè)置于所述流動介質(zhì)層邊緣，且所述支撐墻兩端分別與所述頂部基板和所述陣列基板連接。
10、根據(jù)本專利技術(shù)的另一個實施例，所述流動介質(zhì)為電子漿料、電子墨水或者液晶中的一種。
11、根據(jù)本專利技術(shù)第二方面實施例的一種電子設(shè)備，包括上述任一的反射型顯示裝置。
12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)具有以下有益效果：
13、本專利技術(shù)公開了一種反射型顯示裝置和電子設(shè)備，反射型顯示裝置包括有頂部基板、陣列基板和流動介質(zhì)層，頂部基板包括有頂部電極，陣列基板包括有多個像素單元，每個像素單元內(nèi)包括有底部基板、薄膜晶體管和像素電極，像素電極與薄膜晶體管之間設(shè)置有絕緣層，絕緣層開設(shè)有連通孔，像素電極在連通孔處與薄膜晶體管實現(xiàn)電連接，其中，連通孔內(nèi)設(shè)置有填充部，填充部上設(shè)置有補(bǔ)充電極，補(bǔ)充電極至少覆蓋填充部靠近頂部基板一側(cè)的表面，流動介質(zhì)層設(shè)置于頂部基板和陣列基板之間，流動介質(zhì)層包括有流動介質(zhì)，由此可見，反射型顯示裝置通過在陣列基板上的連通孔內(nèi)設(shè)置填充部，并且在填充部上設(shè)置補(bǔ)充電極，使得連通孔處的頂部基板和陣列基板之間的距離與其他位置相同，從而避免連通孔處頂部基板和陣列基板之間的距離與其余位置的距離不同造成的電場信號干擾，進(jìn)而使得頂部基板和陣列基板之間的區(qū)域具有相同的成像效果，提升整體的顯示效果。
14、本專利技術(shù)的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術(shù)的實踐了解到。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種反射型顯示裝置，其特征在于，包括有：
2.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述填充部為透明絕緣材料。
3.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極與所述像素電極組成相同。
4.如權(quán)利要求3所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極為ITO層。
5.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極為不透光電極層。
6.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極覆蓋所述像素電極的圖形。
7.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體、源極和漏極，所述漏極與所述像素電極在所述連通孔處互相導(dǎo)通以實現(xiàn)電連接。
8.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述流動介質(zhì)層包括支撐墻，所述支撐墻設(shè)置于所述流動介質(zhì)層邊緣，且所述支撐墻兩端分別與所述頂部基板和所述陣列基板連接。
9.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述流動介質(zhì)為電子漿料、電子墨水或者液晶中的一種。
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...【技術(shù)特征摘要】
1.一種反射型顯示裝置，其特征在于，包括有：
2.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述填充部為透明絕緣材料。
3.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極與所述像素電極組成相同。
4.如權(quán)利要求3所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極為ito層。
5.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極為不透光電極層。
6.如權(quán)利要求1所述的反射型顯示裝置，其特征在于，所述補(bǔ)充電極覆蓋所述像素電極的圖形。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：喬傳興，趙約瑟，鐘曉鳴，袁進(jìn)，
申請(專利權(quán))人：深圳萊寶高科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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