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    利用波浪形貼合波的固晶方法技術

    技術編號:44406559 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-02-25 10:19
    本發明專利技術實施例提供一種利用波浪形貼合波的固晶方法,包括下列步驟:將第一通孔、第二通孔、第三通孔、第一穿孔與第二穿孔配置于固晶裝置上;固晶裝置借由第一負壓、第二負壓與第三負壓分別吸取晶圓或晶粒的第一側、第三側與第四側;固晶裝置將晶圓或晶粒移動至基板的上方;固晶裝置借由第一正壓吹拂并作用于晶圓或晶粒的第一側,晶圓或晶粒的第一側撓曲變形以接觸基板,并形成貼合波;以及從固晶裝置的第一側往固晶裝置的第二側的方向依序關閉第一負壓、第二負壓與第三負壓,同時從固晶裝置的第一側往固晶裝置的第二側的方向依序提供第二正壓。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術是涉及一種固晶方法,特別是一種利用波浪形貼合波的固晶方法。


    技術介紹

    1、已知的固晶裝置將氣孔或頂針配置在其中心,正壓通過氣孔往晶圓或晶粒的中心吹拂并且作用在晶圓或晶粒的中心,或頂針往晶圓或晶粒的中心移動并且作用在晶圓或晶粒的中心,使得晶圓或晶粒的中心撓曲變形以接觸基板的中心,并形成貼合波(bondwave)。貼合波能夠從晶圓或晶粒的中心由內往外逐漸往晶圓或晶粒的周邊擴展,使得晶圓或晶粒逐漸脫離固晶裝置并且貼合于基板上。

    2、然而,當貼合波擴展至晶圓或晶粒的末端時,固晶裝置的末端的負壓容易影響貼合波的擴展,導致貼合波擴散不均勻,甚至會在晶圓或晶粒的末端與基板的末端之間形成氣泡,進而造成晶圓或晶粒與基板沒有完全緊密貼合。因此,晶圓或晶粒的后續加工程序容易受到氣泡的影響,降低后續加工制成的產品良率。

    3、再者,在貼合波擴展至晶圓或晶粒的末端以前,因為固晶裝置的末端的氣孔較為分散,以致于固晶裝置的末端的負壓較微弱,容易吸不住晶圓或晶粒的末端,進而造成貼合波被破壞且晶圓或晶粒往下掉落,晶圓或晶粒會與基板發生碰撞而受損。

    4、當晶圓或晶粒的尺寸小于12英寸時,上述問題會特別明顯。


    技術實現思路

    1、本專利技術的主要目的在于提供一種利用波浪形貼合波的固晶方法,能夠借由通孔與穿孔的配置位置以及正負壓的切換時機形成波浪形貼合波。

    2、本專利技術的另一目的在于提供一種利用波浪形貼合波的固晶方法,固晶裝置的末端能夠提供較強且垂直于貼合波的負壓穩定地吸取晶圓或晶粒的末端。

    3、為了達成前述的目的,本專利技術提供一種利用波浪形貼合波的固晶方法,包括下列步驟:

    4、(a)將通過所述固晶裝置的一第一側、一中心與一第二側的軸線界定為一第一軸線,且將通過所述固晶裝置的一第三側、所述中心與一第四側的軸線界定為一第二軸線;將多個第一通孔配置于所述固晶裝置的所述第一側與所述第二軸線之間,且所述多個第一通孔沿著一第一方向排列,其中,所述第一方向平行于所述第二軸線;將多個第二通孔配置于所述固晶裝置的所述第三側與所述第一軸線之間并且靠近所述固晶裝置的所述第三側,且所述多個第二通孔沿著一第二方向排列,其中,所述第二方向平行于所述第一軸線;將多個第三通孔配置于所述固晶裝置的所述第四側與所述第一軸線之間并且靠近所述固晶裝置的所述第四側,且所述多個第三通孔沿著所述第二方向排列;將多個第一穿孔配置于所述固晶裝置的所述第一側與所述多個第一通孔之間,且所述多個第一穿孔沿著所述第一方向排列;以及將多個第二穿孔沿著所述第一軸線配置于所述固晶裝置上;

    5、(b)所述多個第一通孔提供一第一負壓,且所述固晶裝置借由所述第一負壓吸取一晶圓或一晶粒的一第一側;所述多個第二通孔提供一第二負壓,且所述固晶裝置借由所述第二負壓吸取所述晶圓或所述晶粒的一第三側;以及所述多個第三通孔提供一第三負壓,且所述固晶裝置借由所述第三負壓吸取所述晶圓或所述晶粒的一第四側;

    6、(c)所述固晶裝置將所述晶圓或所述晶粒移動至一基板的上方;

    7、(d)所述多個第一穿孔提供一第一正壓,且所述固晶裝置借由所述第一正壓吹拂所述晶圓或所述晶粒的所述第一側并且作用在所述晶圓或所述晶粒的所述第一側,使得所述晶圓或所述晶粒的所述第一側撓曲變形以接觸所述基板,并形成一貼合波;以及

    8、(e)所述多個第一通孔、所述多個第二通孔與所述多個第三通孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第一負壓、所述第二負壓與所述第三負壓,同時所述多個第二穿孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序提供一第二正壓;以及所述固晶裝置借由所述第二正壓沿著所述第一軸線依序吹拂所述晶圓或所述晶粒的所述第一側、一中心與一第二側并且依序作用于所述晶圓或所述晶粒的所述第一側、所述中心與所述第二側,使得所述貼合波的一接觸線從所述晶圓或所述晶粒的所述第一側往所述晶圓或所述晶粒的所述第二側的方向逐漸擴展,所述晶圓或所述晶粒的撓曲變形程度逐漸增加,且所述晶圓或所述晶粒與所述基板的一接觸面積逐漸增加。

    9、在一些實施例中,步驟(a)進一步包括:所述多個第一通孔沿著所述第一方向直線排列成至少一排。

    10、在一些實施例中,步驟(a)進一步包括:所述多個第一通孔的至少一者配置于所述固晶裝置的所述第三側與所述第一軸線之間,其余第一通孔配置于所述固晶裝置的所述第四側與所述第一軸線之間。

    11、在一些實施例中,步驟(a)進一步包括:所述多個第二通孔沿著所述第二方向弧形排列成至少一排,所述多個第三通孔沿著所述第二方向弧形排列成至少一排,所述多個第二通孔與所述多個第三通孔配置于至少一同心圓的一圓周上。

    12、在一些實施例中,步驟(a)進一步包括:所述多個第一穿孔沿著所述第一方向直線排列成至少一排。

    13、在一些實施例中,步驟(a)進一步包括:將多個溝槽配置于所述固晶裝置的所述第二側與所述第二軸線之間并且靠近所述固晶裝置的所述第二側;以及將多個第四通孔配置于所述多個溝槽中;其中,步驟(b)進一步包括:所述多個第四通孔提供一第四負壓,且所述固晶裝置借由所述第四負壓通過所述多個溝槽吸取所述晶圓或所述晶粒的所述第二側;其中,在步驟(e)之后進一步包括:(f)所述多個第四通孔從所述固晶裝置的所述中心往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第四負壓,使得所述貼合波的所述接觸線能夠以平行于所述第二軸線的方向依序跨過所述多個溝槽,所述晶圓或晶粒的所述第二側逐漸脫離所述固晶裝置的所述第二側,直至所述晶圓或所述晶粒完全貼合于所述基板上。

    14、在一些實施例中,步驟(a)進一步包括:所述多個溝槽沿著所述第二方向直線延伸。

    15、在一些實施例中,步驟(d)進一步包括:所述第一正壓的壓力逐漸上升,使得所述貼合波的所述接觸線跨過所述多個第一穿孔,所述晶圓或所述晶粒的撓曲變形程度逐漸增加,且所述晶圓或所述晶粒與所述基板的所述接觸面積逐漸增加。

    16、在一些實施例中,步驟(e)進一步包括:所述第二正壓的壓力等于所述第一正壓上升后的壓力。

    17、在一些實施例中,步驟(e)進一步包括:所述多個第一通孔同步關閉所述第一負壓,同時所述多個第二穿孔的其中之一提供所述第二正壓,使得所述貼合波的所述接觸線跨過所述多個第一通孔與所述多個第二穿孔的其中之一,所述晶圓或所述晶粒的撓曲變形程度逐漸增加,且所述晶圓或所述晶粒與所述基板的所述接觸面積逐漸增加;以及所述多個第二通孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第二負壓,所述多個第三通孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第三負壓,同時其余第二穿孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序提供所述第二正壓,使得所述貼合波的所述接觸線依序跨過所述多個第二通孔、所述多個第三通孔與其余第二穿孔,所述晶圓或所述晶粒的撓曲變形程度逐漸增本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,包括下列步驟:

    2.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第一通孔沿著所述第一方向直線排列成至少一排。

    3.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第一通孔的至少一者配置于所述固晶裝置的所述第三側與所述第一軸線之間,其余第一通孔配置于所述固晶裝置的所述第四側與所述第一軸線之間。

    4.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第二通孔沿著所述第二方向弧形排列成至少一排,所述多個第三通孔沿著所述第二方向弧形排列成至少一排,所述多個第二通孔與所述多個第三通孔配置于至少一同心圓的一圓周上。

    5.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第一穿孔沿著所述第一方向直線排列成至少一排。

    6.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:將多個溝槽配置于所述固晶裝置的所述第二側與所述第二軸線之間并且靠近所述固晶裝置的所述第二側;以及將多個第四通孔配置于所述多個溝槽中;其中,步驟(b)進一步包括:所述多個第四通孔提供一第四負壓,且所述固晶裝置借由所述第四負壓通過所述多個溝槽吸取所述晶圓或所述晶粒的所述第二側;其中,在步驟(e)之后進一步包括:(f)所述多個第四通孔從所述固晶裝置的所述中心往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第四負壓,使得所述貼合波的所述接觸線能夠以平行于所述第二軸線的方向依序跨過所述多個溝槽,所述晶圓或晶粒的所述第二側逐漸脫離所述固晶裝置的所述第二側,直至所述晶圓或所述晶粒完全貼合于所述基板上。

    7.根據權利要求6所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個溝槽沿著所述第二方向直線延伸。

    8.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(d)進一步包括:所述第一正壓的壓力逐漸上升,使得所述貼合波的所述接觸線跨過所述多個第一穿孔,所述晶圓或所述晶粒的撓曲變形程度逐漸增加,且所述晶圓或所述晶粒與所述基板的所述接觸面積逐漸增加。

    9.根據權利要求8所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(e)進一步包括:所述第二正壓的壓力等于所述第一正壓上升后的壓力。

    10.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(e)進一步包括:所述多個第一通孔同步關閉所述第一負壓,同時所述多個第二穿孔的其中之一提供所述第二正壓,使得所述貼合波的所述接觸線跨過所述多個第一通孔與所述多個第二穿孔的其中之一,所述晶圓或所述晶粒的撓曲變形程度逐漸增加,且所述晶圓或所述晶粒與所述基板的所述接觸面積逐漸增加;以及所述多個第二通孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第二負壓,所述多個第三通孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第三負壓,同時其余第二穿孔從所述固晶裝置的所述第一側往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序提供所述第二正壓,使得所述貼合波的所述接觸線依序跨過所述多個第二通孔、所述多個第三通孔與其余第二穿孔,所述晶圓或所述晶粒的撓曲變形程度逐漸增加,且所述晶圓或所述晶粒與所述基板的所述接觸面積逐漸增加。

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    【技術特征摘要】

    1.一種利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,包括下列步驟:

    2.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第一通孔沿著所述第一方向直線排列成至少一排。

    3.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第一通孔的至少一者配置于所述固晶裝置的所述第三側與所述第一軸線之間,其余第一通孔配置于所述固晶裝置的所述第四側與所述第一軸線之間。

    4.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第二通孔沿著所述第二方向弧形排列成至少一排,所述多個第三通孔沿著所述第二方向弧形排列成至少一排,所述多個第二通孔與所述多個第三通孔配置于至少一同心圓的一圓周上。

    5.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:所述多個第一穿孔沿著所述第一方向直線排列成至少一排。

    6.根據權利要求1所述的利用波浪形貼合波的固晶方法,其特征在于,步驟(a)進一步包括:將多個溝槽配置于所述固晶裝置的所述第二側與所述第二軸線之間并且靠近所述固晶裝置的所述第二側;以及將多個第四通孔配置于所述多個溝槽中;其中,步驟(b)進一步包括:所述多個第四通孔提供一第四負壓,且所述固晶裝置借由所述第四負壓通過所述多個溝槽吸取所述晶圓或所述晶粒的所述第二側;其中,在步驟(e)之后進一步包括:(f)所述多個第四通孔從所述固晶裝置的所述中心往所述固晶裝置的所述第二側的方向依序關閉所述第四負壓,使得所述貼合波的所述接觸線能夠以平行于所述第二軸線的方向依序跨過所述多個溝槽,所述晶圓或晶粒的所...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:楊羽銘,
    申請(專利權)人:梭特科技股份有限公司,
    類型:發明
    國別省市:

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