【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及氣相沉積，特別是涉及一種基底承載裝置、氣相沉積模塊、氣相沉積設備及方法。
技術介紹
1、靶材，也被稱為濺射靶材，它在制備薄膜的過程中起到至關重要的作用，制備薄膜時，靶材被高速荷能粒子(如激光或離子光束)轟擊，其表面原子或分子被濺射出來并沉積在襯底上以生成薄膜，靶材的純度、密度及晶粒結構對薄膜質量有直接影響。金屬靶材通常具有高熔點、高密度、高導熱率等特點，并且應用領域涵蓋了光學、半導體、磁性材料改性及醫療器械等多個方面。
2、金屬靶材的制備方法多樣，可使用熔煉鑄造法、粉末冶金法、化學氣相沉積法(cvd)、物理氣相沉積(pvd)等方法，目前國內的主流制備金屬靶材的方法為粉末冶金法：將高純度的金屬粉末通過壓制、燒結等工藝制備成金屬坯，再經過機械加工得到所需尺寸的金屬靶材，由于粉末冶金要經歷高溫鍛造、燒結、軋制等多個步驟，不僅浪費了大量的能源，而且工藝復雜、工序長，導致金屬靶材在加工過程中容易發生二次污染，且質量控制環節多，易造成質量波動，制得金屬靶材的純度僅能達到5n(即99.999％)，與化學氣相沉積法制備出的金屬靶材有較大差距。
3、國內現已有很多化學氣相沉積法制備金屬靶材的相關研究，化學氣相沉積法純度可以達到6n(即99.9999％)以上，但是現有的化學氣相沉積的設備在反應反應腔室內通常僅設置有一個基底承載座，每次只能制備一份金屬靶材，產量很低，無法滿足日益增長的生產需求。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種基底承載裝置、氣相沉積模塊
2、為實現上述目的，本專利技術提供了如下方案：
3、本專利技術提供一種基底承載裝置，包括至少一個承載單元，所述承載單元包括基底承載座和分別設置于所述基底承載座兩側的兩個基底固定環，所述基底固定環能夠連接于所述基底承載座兩側并夾緊固定兩份基底。
4、優選的，所述基底承載座能夠導熱且內部設置有加熱模塊，所述加熱模塊能夠加熱所述基底承載座。
5、優選的，還包括至少一個供電桿，各所述承載單元中的加熱模塊均與一個所述供電桿電連接，各所述供電桿可拆卸連接并且連接后能夠導電以為各所述加熱模塊供電。
6、本專利技術還提供一種氣相沉積模塊，包括通氣裝置和如上任一項所述的基底承載裝置，所述通氣裝置包括至少一個通氣單元，且各所述承載單元對應設置一個所述通氣單元，各所述通氣單元的出氣口朝向各所述承載單元兩側的所述基底固定環設置并能夠向基底通入反應氣體。
7、優選的，所述通氣單元包括通氣主管和兩個通氣支管，所述通氣主管一端用于通入反應氣體，另一端與兩個所述通氣支管的一端連通，各所述通氣支管的另一端朝向所述基底固定環并能夠向各所述基底通入反應氣體。
8、優選的，各所述通氣支管朝向所述基底的一端均連接有氣體均化盤，各所述氣體均化盤上設置有至少一層均化濾網，以對反應氣體均勻化處理。
9、優選的，所述通氣裝置還包括通氣總管，所述通氣總管與各所述通氣主管連通，對各所述通氣主管通入反應氣體。
10、本專利技術還提供一種氣相沉積設備，包括反應腔室和至少一個設置于所述反應腔室內的如上任一項所述的氣相沉積模塊。
11、優選的，反應腔室包括反應筒體和兩個密封件，所述反應筒體兩端均可拆卸密封連接有一個所述密封件。
12、本專利技術還提供一種利用如上任一項所述的氣相沉積設備的氣相沉積方法，包括如下步驟：
13、將基底放置在各所述基底承載座兩側，并將所述基底固定環連接于所述基底承載座上以夾緊固定基底；
14、將基底承載裝置設置于所述反應腔室內；
15、利用各所述通氣單元朝各所述承載單元通入反應氣體。
16、本專利技術相對于現有技術取得了以下技術效果：
17、本專利技術提供的基底承載裝置，包括至少一個承載單元，在每個承載單元的基底承載座兩側均設置有基底固定環，將各基底固定環連接于基底承載座的兩側，使每個承載單元均能夠同時夾緊固定兩份基底，進而在每個承載單元上均能夠同時沉積兩份金屬靶材，提高金屬靶材的制備產量與生產效率。
18、本專利技術的氣相沉積模塊，各通氣單元能夠分別朝向每個承載單元兩側的基底通入反應氣體，使化學氣體能夠通過基底固定環222的中間鏤空并在兩份基底表面同時沉積兩份金屬靶材，提高金屬靶材的制備產量與生產效率。
19、進一步的，通過在通氣支管朝向基底的一端連接氣體均化盤，并在氣體均化盤上設置至少一層均化濾網，對反應氣體進行均勻化處理，以保證沉積金屬靶材的均勻性。
20、本專利技術還提供一種氣相沉積設備，在反應腔室內通過設置至少一個氣相沉積模塊，并通過各通氣單元朝向各承載單元通入反應氣體，在反應腔室內各氣相沉積模塊能夠同時進行化學氣相沉積，提升金屬靶材的制備產量與生產效率。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種基底承載裝置，其特征在于，包括至少一個承載單元，所述承載單元包括基底承載座和分別設置于所述基底承載座兩側的兩個基底固定環，所述基底固定環能夠連接于所述基底承載座兩側并夾緊固定兩份基底。
2.根據權利要求1所述的基底承載裝置，其特征在于，所述基底承載座能夠導熱且內部設置有加熱模塊，所述加熱模塊能夠加熱所述基底承載座。
3.根據權利要求2所述的基底承載裝置，其特征在于，還包括至少一個供電桿，各所述承載單元中的加熱模塊均與一個所述供電桿電連接，各所述供電桿可拆卸連接并且連接后能夠導電以為各所述加熱模塊供電。
4.一種氣相沉積模塊，其特征在于，包括通氣裝置和如權利要求1～3中任一項所述的基底承載裝置，所述通氣裝置包括至少一個通氣單元，且各所述承載單元對應設置一個所述通氣單元，各所述通氣單元的出氣口朝向各所述承載單元兩側的所述基底固定環設置并能夠向基底通入反應氣體。
5.根據權利要求4所述的氣相沉積模塊，其特征在于，所述通氣單元包括通氣主管和兩個通氣支管，所述通氣主管一端用于通入反應氣體，另一端與兩個所述通氣支管的一端連通，各所述通氣
6.根據權利要求5所述的氣相沉積模塊，其特征在于，各所述通氣支管朝向所述基底的一端均連接有氣體均化盤，各所述氣體均化盤上設置有至少一層均化濾網，以對反應氣體均勻化處理。
7.根據權利要求5所述的氣相沉積模塊，其特征在于，所述通氣裝置還包括通氣總管，所述通氣總管與各所述通氣主管連通，對各所述通氣主管通入反應氣體。
8.一種氣相沉積設備，其特征在于，包括反應腔室和至少一個設置于所述反應腔室內的如權利要求4～7中任一項所述的氣相沉積模塊。
9.根據權利要求8所述的氣相沉積設備，其特征在于，反應腔室包括反應筒體和兩個密封件，所述反應筒體兩端均可拆卸密封連接有一個所述密封件。
10.一種利用權利要求8～9中任一項所述的氣相沉積設備的氣相沉積方法，其特征在于，包括如下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種基底承載裝置，其特征在于，包括至少一個承載單元，所述承載單元包括基底承載座和分別設置于所述基底承載座兩側的兩個基底固定環，所述基底固定環能夠連接于所述基底承載座兩側并夾緊固定兩份基底。
2.根據權利要求1所述的基底承載裝置，其特征在于，所述基底承載座能夠導熱且內部設置有加熱模塊，所述加熱模塊能夠加熱所述基底承載座。
3.根據權利要求2所述的基底承載裝置，其特征在于，還包括至少一個供電桿，各所述承載單元中的加熱模塊均與一個所述供電桿電連接，各所述供電桿可拆卸連接并且連接后能夠導電以為各所述加熱模塊供電。
4.一種氣相沉積模塊，其特征在于，包括通氣裝置和如權利要求1～3中任一項所述的基底承載裝置，所述通氣裝置包括至少一個通氣單元，且各所述承載單元對應設置一個所述通氣單元，各所述通氣單元的出氣口朝向各所述承載單元兩側的所述基底固定環設置并能夠向基底通入反應氣體。
5.根據權利要求4所述的氣相沉積模塊，其特征在于，所述通氣單元包括通氣...
【專利技術屬性】
技術研發人員：余建波，李書恒，張一帆，張小新，任忠鳴，
申請(專利權)人：上海大學，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。