【技術實現步驟摘要】
本文所描述的主題的實施例大體上涉及rf放大器。
技術介紹
1、高效射頻(rf)放大器越來越多地用于通信應用中。因為由于需要較少的冷卻能力而實現了較低的系統大小和成本，并且因為為這些通信應用供電所需的能量減少了，所以需要這些高效rf放大器。常規高效率放大器(例如，調諧的ab類)在恒定電源電壓下操作。此外，常規高效率rf放大器在回退功率條件下操作。這種回退功率條件會降低放大器效率。
2、常規高效率rf放大器可能經歷低業務條件的時段。這通常意味著，因為放大器回退量增加，放大器的效率降低。此降低的效率導致過量的能量使用。因此，需要具有提高的效率的放大器裝置。
技術實現思路
1、根據實施例，在一個方面，一種放大器裝置可包括：第一放大器，所述第一放大器電耦合到第一輸入端和第一輸出端，其中所述第一放大器可包括第一晶體管，所述第一晶體管包括第一控制電極、第一載流電極和第二載流電極，被配置成支持第一載流電極與第二載流電極之間的電流流動，其中第一控制電極被配置成控制第一載流電極與第二載流電極之間的電流流動，其中第一控制電極可射頻(rf)耦合到第一輸入端，并且其中第一載流電極可電耦合到第一輸出端。在實施例中，第一偏置網絡可電耦合到第一控制電極，其中第一偏置網絡可被配置成向第一控制電極施加第一直流(dc)偏置且可與第一控制電極rf隔離。在實施例中，所述放大器裝置可包括第二晶體管，所述第二晶體管包括第二控制電極、第三載流電極和第四載流電極，被配置成支持第三載流電極與第四載流電極之間的電流流動，其
2、根據實施例，所述放大器裝置可另外包括第二放大器，所述第二放大器電耦合到第二輸入端和第二輸出端，其中第二放大器可包括第三晶體管，所述第三晶體管包括第三控制電極、第五載流電極和第六載流電極，被配置成支持第五載流電極與第六載流電極之間的電流流動，其中第三控制電極被配置成控制第五載流電極與第六載流電極之間的電流流動，其中第三控制電極可rf耦合到第二輸入端，并且其中第五載流電極可電耦合到第二輸出端。根據實施例，第三偏置網絡可電耦合到第三控制電極，其中第三偏置網絡可被配置成向第三控制電極施加第三dc偏置且可與第三控制電極rf隔離。根據實施例，第四晶體管，包括第四控制電極、第七載流電極和第八載流電極，被配置成支持第七載流電極與第八載流電極之間的電流流動，其中第四控制電極被配置成控制第七載流電極與第八載流電極之間的電流流動，其中第四控制電極可射頻(rf)耦合到第二輸入端，并且其中第七載流電極可電耦合到第二輸出端。在實施例中，第四偏置網絡可電耦合到第四控制電極，其中第四偏置網絡可被配置成向第二控制電極施加第四dc偏置且可與第四控制電極rf隔離。
3、在實施例中，所述放大器裝置還可包括傳輸線，所述傳輸線具有相移且可被配置成電耦合第一輸出端和第二輸出端。阻抗變換器可電耦合到選自由第一輸出端和第二輸出端組成的群組的元件處的求和節點。
4、在實施例中，所述放大器裝置可包括分路器裝置，所述分路器裝置具有分路器輸入以及第一分路器輸出和第二分路器輸出，且被配置成利用第一分路器輸出與第二分路器輸出之間的分路器相位差在第一分路器輸出與第二分路器輸出之間劃分遞送到分路器輸入的信號，其中所述相位差與傳輸線的相移之間的差小于20％，其中第一輸入端電耦合到第一分路器輸出，并且第二輸入端電耦合到第二分路器輸出。
5、在實施例中，第一放大器可被配置為載波放大器，并且第二放大器可被配置為峰值放大器。
6、在實施例中，根據實施例，第一放大器可被配置成在第一狀態下操作以及在第二狀態下操作。在實施例中，根據實施例，當處于第一狀態時，第一晶體管和第二晶體管可被配置成在以下情況下操作：第一偏置施加到第一偏置網絡，第二偏置施加到第二偏置網絡，其中當第一晶體管以飽和輸出功率操作時，第一偏置和第二偏置允許第二晶體管的最大電流的至少50％的rf電流可從第二晶體管的第三載流電極流到第四載流元件；以及第三偏置施加到第一載流電極和第三載流電極。根據實施例，當在第二狀態下操作時，第一晶體管和第二晶體管可被配置成在以下情況下操作：第一偏置施加到第一偏置網絡，第四偏置施加到第二偏置網絡，使得當第一晶體管以飽和輸出功率操作時，第四偏置允許小于第二晶體管的最大電流的10％的rf電流流過第二晶體管；以及第五偏置施加到第一載流電極和第三載流電極。
7、在實施例中，第一晶體管可被配置為場效應晶體管，其中第一控制端可被配置為柵極電極，其中第一載流元件可被配置為漏極電極，并且其中第二載流元件可被配置為源極電極。
8、實施例可包括具有第一端和第二端的第一耦合元件，其中第二端可電耦合到第一控制電極。
9、實施例可包括具有第三端和第四端的第二耦合元件，其中第四端可電耦合到第二控制電極，并且其中第一端可電耦合到第三端。
10、包括晶體管的驅動器放大器可電耦合到第一耦合元件的第一端和第二耦合元件的第三端。
11、實施例可包括被配置成在諧波頻率下為第一晶體管提供諧波終止的第一輸入諧波匹配網絡，且還可包括被配置成在諧波頻率下為第二晶體管提供諧波終止的第二諧波匹配網絡。
12、在另一方面，實施例可包括一種功率放大器裝置，所述功率放大器裝置包括電耦合到第一輸入端和第一輸出端的第一放大器。根據實施例，第一放大器可包括第一場效應晶體管，所述第一場效應晶體管包括第一柵極電極、第一漏極電極和第一源極電極，被配置成支持第一漏極電極與第一源極電極之間的電流流動，其中第一柵極電極可被配置成控制第一漏極電極與第一源極電極之間的電流流動，其中柵極電極可射頻(rf)耦合到第一輸入端，并且其中第一漏極電極可電耦合到第一輸出端。在實施例中，第一偏置網絡可電耦合到第一柵極電極，其中第一偏置網絡可被配置成向第一柵極電極施加第一直流(dc)偏置且可與第一柵極電極rf隔離。在實施例中，第二場效應晶體管可包括第二柵極電極、第二漏極電極和第二源極電極，被配置成支持第二漏極電極與第二源極電極之間的電流流動，其中第二柵極電極可被配置成控制第二漏極電極與第二源極電極之間的電流流動，其中第二柵極電極可rf耦合到第一輸入端，其中第二漏極電極可電耦合到第一輸出端。根據實施例，第二偏置網絡可電耦合到第二柵極電極，其中第二偏置網絡可被配置成向第二柵極電極施加第二dc偏置且可與第二柵極電極rf隔離。
13、在實施例中，具有第一端和第二端的第一電容器可通過其第二端電耦合到第一柵極電極。根據實施例，第二電容器，具有第三端和第四端，其中第四端可電耦合到第二柵極電極，并且其中第一端可電耦合到第三端。在實施例中，第一輸入匹配網絡可電耦合到第一柵極電極且被配置成在基頻下為第一場效應晶體管本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種放大器裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括：
3.根據權利要求2所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括：
4.根據權利要求3所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括分路器裝置，所述分路器裝置具有分路器輸入以及第一分路器輸出和第二分路器輸出，且被配置成利用所述第一分路器輸出與所述第二分路器輸出之間的相位差在所述第一分路器輸出與所述第二分路器輸出之間劃分遞送到所述分路器輸入的信號，其中所述相位差與所述傳輸線的所述相移之間的差小于20％，其中所述第一輸入端電耦合到所述第一分路器輸出，并且所述第二輸入端電耦合到所述第二分路器輸出。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的放大器裝置，其特征在于，在多爾蒂放大器配置中，所述第一放大器被配置為載波放大器，并且所述第二放大器被配置為峰值放大器。
6.根據在前的任一項權利要求所述的放大器裝置，其特征在于，所述第一放大器被配置成在第一狀態下操作以及在第二狀態下操作，其中：
7.根據在前的任一項權利要求所述的放大器裝置，其特征在于，
8.根據在前的任一項權利要求所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括：
9.根據權利要求8所述的放大器裝置，其特征在于，包括晶體管的驅動器放大器電耦合到所述第一耦合元件的所述第一端和所述第二耦合元件的所述第三端。
10.根據權利要求8或9所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括被配置成在基頻下為所述第一晶體管提供阻抗匹配的第一輸入匹配網絡和被配置成在基頻下為所述第二晶體管提供阻抗匹配的第二輸入匹配網絡，所述第一輸入匹配網絡耦合到所述第一控制電極，所述第二輸入匹配網絡耦合到所述第二控制電極。
...【技術特征摘要】
1.一種放大器裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括：
3.根據權利要求2所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括：
4.根據權利要求3所述的放大器裝置，其特征在于，另外包括分路器裝置，所述分路器裝置具有分路器輸入以及第一分路器輸出和第二分路器輸出，且被配置成利用所述第一分路器輸出與所述第二分路器輸出之間的相位差在所述第一分路器輸出與所述第二分路器輸出之間劃分遞送到所述分路器輸入的信號，其中所述相位差與所述傳輸線的所述相移之間的差小于20％，其中所述第一輸入端電耦合到所述第一分路器輸出，并且所述第二輸入端電耦合到所述第二分路器輸出。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的放大器裝置，其特征在于，在多爾蒂放大器配置中，所述第一放大器被配置為載波放大器，并且所述第二放大器被配置為峰值放大器...
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。