【技術實現步驟摘要】
本公開的實施例涉及沉積掩模。
技術介紹
1、正在開發眼鏡或頭盔的形式的可穿戴裝置，該可穿戴裝置在離用戶眼睛短距離處形成焦點。例如，可穿戴裝置可以是頭戴式顯示(hmd)裝置或增強現實(ar)眼鏡。這樣的可穿戴裝置向用戶提供ar圖像或虛擬現實(vr)圖像。
2、諸如hmd裝置或ar眼鏡的可穿戴裝置可能期望具有至少2000每英寸像素(ppi)的顯示規格，以允許用戶長時間使用它而不會眩暈。為了實現可穿戴裝置，正在提出硅上有機發光二極管(oledos)技術，該技術用于小型高分辨率有機發光顯示裝置。oledos技術是用于在其上設置有互補金屬氧化物半導體(cmos)的半導體晶圓基底上放置有機發光二極管(oled)的技術。
技術實現思路
1、本公開的實施例提供用于提供高分辨率有機發光顯示裝置的沉積掩模，其中，該沉積掩模通過改善像素位置精度(ppa)而具有改善的可靠性。
2、本公開的實施例還提供能夠減少陰影缺陷和沉積材料在掩模上累積的沉積掩模。
3、本公開的實施例還提供了制造具有改善的掩模剛性的沉積掩模的方法。
4、根據本專利技術的實施例，沉積掩模包括掩模主體，掩模主體包括硅基底，其中，多個孔限定為穿過掩模主體，并且掩模主體還包括延伸以限定孔的掩模柵格。在這樣的實施例中，每個掩模柵格的截面具有倒漸縮形狀(reverse?tapered?shape)，倒漸縮形狀具有從沉積掩模的后表面到上表面增加(基本上增加)的寬度，并且每個掩模柵格的限定孔的每個側表面包
5、在實施例中，相鄰孔之間的距離可以小于或等于約5微米(μm)。
6、在實施例中，每個掩模柵格的漸縮角(taper?angle)可以在約60度到約88度的范圍內。
7、在實施例中，每個掩模柵格的最大寬度可以小于或等于約10μm。
8、在實施例中，每個掩模柵格的最大厚度可以小于或等于約15μm。
9、在實施例中，每個掩模柵格的后表面可以包括第二凹入彎曲表面。
10、在實施例中，在每個掩模柵格的每個側表面中包括的第一凹入彎曲表面的深度可以小于或等于掩模柵格的厚度的約20％。
11、在實施例中，掩模柵格可以包括選自硅(si)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化硅(siox)、氧化鈦(tiox)、非晶硅(a-si)和氧化鋁(alox)中的至少一種材料。
12、在實施例中，掩模柵格可以包括選自銅(cu)、鎳(ni)、鋁(al)、鎢(w)、鉬(mo)、鈦(ti)和因瓦合金中的至少一種材料。
13、在實施例中，每個掩模柵格的每個側表面可以包括多個第一凹入彎曲表面。
14、根據本公開的實施例，沉積掩模可以包括包含硅基底的掩模主體，其中，多個孔限定為穿過掩模主體，并且掩模主體還包括延伸以限定孔的掩模柵格。在這樣的實施例中，每個掩模柵格的截面具有倒漸縮形狀，倒漸縮形狀具有從沉積掩模的后表面到上表面增加的寬度，并且每個掩模柵格的限定孔的每個側表面包括多個第一凹入彎曲表面。
15、在實施例中，相鄰孔之間的距離可以小于或等于約5μm。
16、在實施例中，每個掩模柵格的漸縮角可以在約60度到約88度的范圍內。
17、在實施例中，每個掩模柵格的最大寬度可以小于或等于約10μm。
18、在實施例中，每個掩模柵格的最大厚度可以小于或等于約15μm。
19、在實施例中，每個掩模柵格的后表面可以包括第二凹入彎曲表面。
20、在實施例中，在每個掩模柵格的每個側表面中包括的每個第一凹入彎曲表面的深度可以小于或等于掩模柵格的厚度的約20％。
21、在實施例中，掩模柵格可以包括無機層，無機層包括選自硅(si)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化硅(siox)、氧化鈦(tiox)、非晶硅(a-si)和氧化鋁(alox)中的至少一種材料。
22、在實施例中，掩模柵格可以包括金屬層，金屬層包括選自銅(cu)、鎳(ni)、鋁(al)、鎢(w)、鉬(mo)、鈦(ti)和因瓦合金中的至少一種材料。
23、在實施例中，每個掩模柵格可以具有其中無機層和金屬層交替堆疊的多層結構。
24、然而，本公開的實施例不限于本文中所述的實施例。通過參照以下給出的本公開的詳細描述，本公開的實施例的上述和其它特征對于本公開所屬領域的普通技術人員將變得更加明顯。
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1.一種沉積掩模，其中，所述沉積掩模包括：
2.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個孔中的相鄰孔之間的距離小于或等于5μm。
3.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的漸縮角在60度到88度的范圍內。
4.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的最大寬度小于或等于10μm。
5.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的最大厚度小于或等于15μm。
6.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的后表面包括第二凹入彎曲表面。
7.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，在所述多個掩模柵格中的所述每一個的每個所述側表面中包括的所述第一凹入彎曲表面的深度小于或等于所述多個掩模柵格中的所述每一個的厚度的20％。
8.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格各自包括選自硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化鈦、非晶硅和氧化鋁中的至少一種材料。
9.根據權利要求8所述的沉積掩模
10.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的每個所述側表面包括多個第一彎曲表面，代替所述第一凹入彎曲表面。
11.一種沉積掩模，其中，所述沉積掩模包括：
12.根據權利要求11所述的沉積掩模，其中，所述多個孔中的相鄰孔之間的距離小于或等于5μm。
13.根據權利要求11所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的漸縮角在60度到88度的范圍內。
14.根據權利要求11所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的最大寬度小于或等于10μm。
15.根據權利要求11所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的最大厚度小于或等于15μm。
16.根據權利要求11所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的后表面包括第二凹入彎曲表面。
17.根據權利要求11所述的沉積掩模，其中，在所述多個掩模柵格中的所述每一個的每個所述側表面中包括的所述多個第一凹入彎曲表面中的每一個的深度小于或等于所述多個掩模柵格中的所述每一個的厚度的20％。
18.根據權利要求11所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格各自包括無機層，所述無機層包括選自硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化鈦、非晶硅和氧化鋁中的至少一種材料。
19.根據權利要求18所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格還各自包括金屬層，所述金屬層包括選自銅、鎳、鋁、鎢、鉬、鈦和因瓦合金中的至少一種材料。
20.根據權利要求19所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個具有多層結構，在所述多層結構中，所述無機層和所述金屬層交替堆疊。
...【技術特征摘要】
1.一種沉積掩模，其中，所述沉積掩模包括：
2.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個孔中的相鄰孔之間的距離小于或等于5μm。
3.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的漸縮角在60度到88度的范圍內。
4.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的最大寬度小于或等于10μm。
5.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的最大厚度小于或等于15μm。
6.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的后表面包括第二凹入彎曲表面。
7.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，在所述多個掩模柵格中的所述每一個的每個所述側表面中包括的所述第一凹入彎曲表面的深度小于或等于所述多個掩模柵格中的所述每一個的厚度的20％。
8.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格各自包括選自硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化鈦、非晶硅和氧化鋁中的至少一種材料。
9.根據權利要求8所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格各自還包括選自銅、鎳、鋁、鎢、鉬、鈦和因瓦合金中的至少一種材料。
10.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述多個掩模柵格中的所述每一個的每個所述側表面包括多個第一彎曲表面，代替所述第一凹入彎曲表面。
11.一種沉積掩模，其中，所述沉積掩模包...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙俊豪，金成云，金楨國，李德重，李一洙，李鎮禹，鄭錫宇，趙晟原，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：
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